Способ изготовления многослойных структур

Авторы патента:

H01L21/265 - с внедрением ионов (трубки с ионным пучком для локальной обработки H01J 37/30)

Способ изготовления многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя изолятора методом ионной имплантации с последующим отжигом, отличающийся тем, что, с целью улучшения структурных и электрических параметров, имплантацию проводят последовательно ионами углерода дозой 0,8 - 310¹⁶ см^-2, а затем ионами инертных газов дозой 1,75 - 2,5 х 10¹⁴ ехр/79(Ми - 2,3) см^-2, где Ми - масса иона инертного газа, при этом соотношение энергий ионов углерода и ионов инертного газа выбирают из условия, что отношение среднепроецированных пробегов ионов углерода и инертного газа лежит в интервале 0,7 - 0,9.

Способ получения включений гексаборида кремния // 1442004

Способ создания коллекторных областей р-n-р-транзисторов // 1428116

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на улучшение электрических параметров интегральной схемы за счет увеличения пробивного напряжения перехода коллектор-база p-n-p-транзистора и улучшения воспроизводимости параметров p-n-p-транзисторов

Способ формирования эпитаксиальных структур // 1422904

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем с изоляцией заглубленным окислом

Способ изготовления многослойных структур // 1389598

Способ изготовления интегральных транзисторов // 1371445

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам изготовления интегральных схем высокой степени интеграции

Способ изготовления бис на мдп-транзисторах с поликремниевыми затворами // 1340481

Способ формирования контактных отверстий к областям @ -типа интегральных схем // 1313257

Способ локального сухого травления слоев окисла кремния // 1304666

Установка ионного легирования // 1292601

Способ геттерирующей обработки подложек кремния // 2134467

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии изготовления дискретных приборов и интегральных схем для очистки (геттерирования) исходных подложек и структур на основе монокристаллического кремния от фоновых примесей и дефектов

Способ формирования твердотельных наноструктур // 2141699

Изобретение относится к методам формирования твердотельных наноструктур, в частности полупроводниковых и оптических, и может быть использовано при создании приборов нового поколения в микроэлектронике, а также в оптическом приборостроении

Установка для формирования наноструктур на поверхности полупроводниковых пластин ионными пучками // 2164718

Изобретение относится к электронной и вакуумной технике

Способ образования кремниевой наноструктуры, решетки кремниевых квантовых проводков и основанных на них устройств // 2173003

Изобретение относится к способам образования квазиодномерных твердых кремниевых наноструктур

Способ получения кремниевых наноструктур // 2192689

Способ ионного легирования твердых тел // 2193080

Изобретение относится к области легирования твердых тел путем облучения ионами фазообразующих элементов и может быть использовано для ионной модификации структуры и физико-механических свойств металлов, полупроводников и сверхпроводников

Способ формирования нанорельефа на поверхности пленок // 2204179

Способ ионно-лучевого легирования кристаллов // 2258977

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии для формирования в кристаллах областей с различным типом и величиной электропроводности с помощью имплантации ионов средних (10-5000 кэВ) энергий

Способ формирования высокосовершенных кремниевых эпитаксиальных структур со скрытыми n+-слоями // 2265912

Изобретение относится к области микроэлектроники

Способ многоэлементной ионной имплантации (варианты) // 2285069

Изобретение относится к области легирования твердых тел путем их облучения пучком ионов из фазообразующих атомов и может быть использовано для структурно-фазовой модификации твердых тел, например для улучшения их физико-механических, коррозионных и других практически важных свойств