Способ получения крупногабаритных монокристаллов ниобата лития

 

Изобретение касается получения высокотемпературных сегнетоэлектрических монокристаллол ниобата лития, которые широко применяются в квантовой электронике , и позволяет повысить выход кристаллов , свободных оттрещин. Способ включает вытягивание монокристалла (М) из расплава на затравку, отжиг и охлаждение до комнатной температуры. После охлаждения на М наносят злектроизоляционный лак и извлекают М из ростовой камеры после полного высыхания лака. Нанесенный на М электроизоляционный лак предотвращает образование трещин и защищает поверхность М от загрязнений. Выход полученных М ниобата лития, свободных от трещин, составил 85%.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (si)s С 30 В 15/00, 29/30

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ЛВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4287595/26 (22) 21.07.87 (46) 15.03.93. Бюл. N 10 (72) М.Б.Космына, А.БЛевин, А.И.Машков и

Н, cb. Ефремова (56) Заявка Японии ¹ 57-118087, кл. С 30 В

15/00, 29/30, опублик; 1982. (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРУПНОГАБАРИТНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ НИОБАТА

ЛИТИЯ (57) Изобретение касается получения высокотемпературныхх сегнетоэлектрических монокристаллов ниобата лития, которые, Изобретение касается получения высокотемпературных сегнетоэлектрических монокристаллов. Монокристаллы ниобата лития находят широкое применение в квантовой электронике, акусто- и пьезотехнике.

Целью изобретения является повышение выхода кристаллов, свободных от трещин.

При применении известных способов получения монокристаллов ниобата лития во время охлаждения в кристалле возникает пироэлектрический заряд, скомпенсиро. ванный на поверхности кристалла, После окончания охла>кдения пироэлектрический заряд исчезает, а на поверхности монокристалла остается нескомпенсированный электрический заряд, который часто приводит к электрическому пробою по поверхности и возникновению трещин в кристалле.

В предло>кенном способе нанесения на поверхность монокристалла электроизоляционного лака, имеющего в жидком состоя„„5U ÄÄ 1468025 А1 широко применяются в квантовой электронике, и позволяет повысить выход кристаллов, свободных от трещин. Способ включает вытягивание монокристалла(М) из расплава на затравку, отжиг и охлаждение до комнатной температуры. После охлаждения íà M наносят электроизоляционный лак и извлекают М из ростовой камеры после полного ° высыхания лака. Нанесенный на M электроизоляционный лак предотвращает образование трещин и защищает поверхность М от загрязнений. Выход полученных M ниобата лития, свободных от трещин, составил 85 .

t нии проводимость 10 — 10 Ом " см (проводимость жидкого лака близка к проводимости растворителя — основного компонента лака), позволяет компенсировать свободными носителями жидкого лака электрический заряд, образовавшийся на поверхности после охлаждения, и, следовательно, предотв-, ф ращает электрический пробой и образование О трещин. ОО

Высохшая пленка электроизоляционного лака, покрывающая монокристалл, защищает его поверхность от загрязнения, Имея высокую электрическую прочность (20-60 кВ/мм) пленка электроизоляционного лака предотвращает электрические пробои по поверхности монокристалла нескомпенсированного заряда, возникающего при хранении монокристалла в обычных условиях из-за небольших колебаний температуры, и, следовательно, предотвращает образование трещин в кристалле.

Способ получения состоит из следующей последовательности операций;

1468025 — вытягивание кристалла из расплава на затравку; — послеростовой отжиг и охлаждение выросшего кристалла до температуры окружающей среды; — нанесение электроизоляционного лака, — высыхание электроизоляционного ла Составитель В.Безбородова

Техред М.Моргентал Корректор И.Шмакова

Редактор Т.Иванова

Заказ 1959 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета IlO изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат Патент", r. Ужгород, ул.Гагарина, 101 ка; — извлечение полученного кристалла из ростовой камеры.

П р и гл е р. Монокристаллы изобата лития получали методом Чохральского на высокочастотных установках "Донец-1" и

"Кристалл-607" иэ расплава конгруэнтоплавящегося состава на воздухе. Скорость вытягивания затравки 3. г4м/ч, частота вращения затравки 20 мин 1. После окончания выращивания кристалл отрывали от расплава и 2-3 ч поднимали над расплавом в область с градиентом температуры 510 С/см. Затем кристалл охлаждали до комнатной температуры за 20 г 2 ч. После охлаждения под I кристалом, укрепленным на затравкодержателе, устанавливали сосуд с электроизоляционным лаком НЦ-62, Кристалл погружали в лак и выдерживали

0,5 ч. Затем извлекали из лака и выдерживали 0,5-1 ч до полного высыхания тонкого слоя электроизоляционного лака. После этого кристалл отделяли от затравки и извлекали из ростовой камеры.

Выход полученных монокристаллов ниобата лития диаметром 50-60 мм, свобод10 ных от трещин, составлял 85 .

Выход монокристаллов, свободных от трещин, полученных известным способом, ниже 80 .

Формула изобретения

Способ получения крупногабаритных глонокристаллов ниобата лития, включающий вытягивание кристалла из расплава на затравку, отжиг, охлаждение до комнатной температуры и извлечение монокристалла

20 из камеры роста, отличающийся тем, что, что, с целью увеличения выхода кристаллов, свободных от трещин, после охлаждения на монокристалл наносят электроизоляционный лак, извлечение монокристалла из ростовой

25 камеры проводят после высыхания лака.

Способ получения крупногабаритных монокристаллов ниобата лития Способ получения крупногабаритных монокристаллов ниобата лития 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способу получения шихты для выращивания монокристаллов ниобата или танталата лития и обеспечивает уг|1еньшёние отклонения шихты от заданного аехиометрического соотношения и фазового состава

Изобретение относится к выращиванию кристаллов и обеспечивает повышение качества кристаллов и выхода в годную продукцию за счет создания управляемого изометрического температурного поля вокруг кристалла

Изобретение относится к выращиванию кристаллов и обеспечивает повышение качества кристаллов и выхода в годную продукцию за счет создания управляемого изометрического температурного поля вокруг кристалла

Изобретение относится к электронной и металлургической промышленности

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов пытягиванием из расплава

Изобретение относится к технологии получения профилированных кристаллов вытягиванием из расплава и обеспечивает упрощение затравления и повышение выхода годных кристаллов

Изобретение относится к технологии получения профилированных кристаллов вытягиванием из расплава и обеспечивает упрощение затравления и повышение выхода годных кристаллов

Изобретение относится к технике высокочастотного нагрева, в частности к устройствам для поддержания температуры в установках для выращивания кристаллов, и позволяет повысить точность поддержания и регулирования температуры Б ростоных индукционных установках

Изобретение относится к холодному тиглю для плавки и кристаллизации неорганических соедин-ений методом гарнисажа и обеспечивает увеличение размеров монокристаллов
Наверх