Способ травления кристаллов кварца

 

Изобретение относится к обработке кристаллов, а именно к технологии травления кристаллов кварца. Может быть использовано при изготовлении пьезоэлектрических резонаторов и позволяет уменьшить степень шероховатости поверхности. Кристалл кварца после механической полировки обрабатывают в одном нетравящем компоненте травителя или их смеси при температуре, равной или на 20 С меньшей температуры последующего травления. Обработанный кристалл подвергают травлению при нагреве в растворе, содержащем неорганическую кислоту и нетравящие компоненты. Получают кристаллы со степенью шероховатости до 0,05 мкм.

Изобретение относится к обработке кристаллов, а именно к технологии травления кристаллов кварца, и может быть использовано при изготовлении пьезоэлектрических резонаторов. Целью изобретения является уменьшение степени шероховатости поверхности. П р и м е р 1. Кристаллы кварца подвергают механической шлифовке до степени шероховатости поверхностей (Rz ) 0,1 мкм, затем их отмывают и обрабатывают при 90оС в диметилформамиде, а затем при 110оС в травителе, содержащем, об: Фтористоводородная кислота ОСЧ 27-5 5 Диметилформамид 3 Бензиловый спирт 4 После обработки получают кристаллы со степенью шероховатости поверхности (R z) 0,05 мкм. П р и м е р 2. Процесс проводят как в примере 1, но после механической шлифовки кристаллы обрабатывают при 100оС в смеси диметилформамида и бензилового спирта при объемном соотношении 1: 1. Получены кристаллы со степенью шероховатости поверхностей (R z) 0,07 мкм. П р и м е р 3. Процесс проводят как в примере 1, но после механической шлифовки сразу проводят обработку в травителе. Получены кристаллы со степенью шероховатости (R z) 0,20 мкм. Из примеров видно, что степень шероховатости у кристаллов, прошедших перед травлением обработку в нетравящих компонентах травителя, уменьшается. (56) Хейман Р. В. Растворение кристаллов: Л. Недра, 1979, с. 196-201. Авторское свидетельство СССР N 1321048, кл. C 09 K 13/08, 1986.

Формула изобретения

СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ КВАРЦА, включающий травление в растворе, содержащем неорганическую кислоту и нетравящие компоненты при нагреве, отличающийся тем, что, с целью уменьшения степени шероховатости поверхности, перед травлением кристалл обрабатывают в одном нетравящем компоненте или их смеси при нагреве до температуры в пределах 20oC от температуры травления.

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Дата прекращения действия патента: 02.03.1996

Номер и год публикации бюллетеня: 36-2002

Извещение опубликовано: 27.12.2002        




 

Похожие патенты:

Изобретение относится к приборостроению, электронике и радиоэлектронике, может быть использовано в технологических процессах локального травления и позволяет обеспечить анизотропность травления

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов, в частности к способам получения синтетических монокристаллов кварца гидротермальным методом на затравку

Изобретение относится к гидротермальным способам получения монокристаллов цитрина с различными оттенками, используемых в качестве полудрагоценных камней в ювелирной промышленности

Изобретение относится к технологии получения окрашенных кристаллов кварца и может быть использовано в ювелирной промышленности

Изобретение относится к способам получения синтетических монокристаллов кварца и гидротермальных растворов методом температурного перепада и может быть использовано для получения высококачественного оптического кварца, используемого в оптико-механической и радиоэлектронной промышленности

Изобретение относится к способу синтеза кварцевых монокристаллов, используемых в радиоэлектронной промышленности при изготовлении различных термостабильных элементов, для производства которых применяют пьезокварцевые крупноразмерные подложки в виде квадратов или АТ-среза дисков

Изобретение относится к области получения синтетических кристаллов, а именно монокристаллов кварца больших размеров и необходимого качества, используемых, преимущественно, для изготовления различных технических устройств в современной электронике

Изобретение относится к средствам выращивания монокристаллов из растворов с применением давления, в частности гидротермальным способом, и может использоваться при изготовлении затравочных пластин большого размера

Изобретение относится к средствам выращивания монокристаллов из растворов с применением давления, например, гидротермальным способом и может использоваться при изготовлении затравочных пластин для выращивания кристаллов с малым числом дислокаций

Изобретение относится к средствам выращивания монокристаллов из растворов с применением давления, в частности, гидротермальным методом и может использоваться при изготовлении затравочных пластин с малым число дислокаций и за более короткое время
Изобретение относится к области изготовления оптических элементов и может быть использовано в инфракрасной технике
Наверх