Устройство для выращивания монокристаллов тугоплавких окислов

 

Изобретение относятся к технологии вьфапушания монокристаллов для квантовой электроники. Цель - увеличение срока службы тигля. Устройство содержит тигель в виде многогранной призмы. Грани призмы состоят из нескольких параллельных пластин. Последние уст(ановлены с зазором и соединены последовательно. Каяидая грань призмы снабжена дополнительной пластиной, установленной в месте соединения внутренней пластины с последующей. Расплав доводят до температуры затравления за счет теплоотдачи от тигля и выделения мощности в расплаве а зазорах между дополнительными пластинами. Необходимую температуру получают при меньшей величине тока, протекающего в тигле. Срок службы тигля увеличен в 1,25 раза. Снижена потребляемая мощность в 1,2 раза. 3 ил. (Л

СОЮЗ СОВЕтСНИХ

СОЦИАЛИСтИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (191 (И1

А2 (51) 5(. 30 В 5/10 29/22

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТНЕННИЙ НОМИТЕТ

flO ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ (1РИ ГКНТ СССР (46) 30,,02. 93 „Вюл. 1(- 4 (61) 1 2531 82 (21) 4287554/26 (22) 21 .07 .87 (72) В. А. Асланов, Л.A. Коваленко и Л.И. Промоскаль (56) Лв торск ое свидетельство СССР

Р 1353132, кл. С 30 В 15/10, 29/22, 1984. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОИОКРИСТАЛЛОВ ТУГОППЛВКИХ ОКИСЛОВ (57) Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов для квантовой электроники, Цель — увеличение срока службы тигля. Устройство содержит тигель в виде многоИзобретение относится к технологии выра шип ания выс ок отемпера турнь.х монокристаллов для квантовой электроники.

Целью изобретения является увеличение срока службы тигля.

Иа фиг. 1 показана схема устройства для вырашивания монокристаллов тугоплавких окислов, на фиг. 2 изображен тигель, горизонтальный разрез, на фиг. 3 — разрез А-А на фиг. 7.

Устройство включает герметичную камеру !. шток 2 для вытягивания

I мопокристаллов, имеющий возможность вертикального вращения и перемещения (механизмы вращения и перемещения не показаны), затравку Э, присоединенную к штоку, на которую вытягивают монокристалл 4, индуктир гранной призмы. Грани призмы состоят из нескольких параллельных пластин.

Последние установлены с зазором и соединены последовательно. Каждая грань призмы снабжена дополнительной пластиной, установленной в месте соединения внутренней пластины с последующей. Расплав доводят до с температуры затравления эа счет теп. лоотдачи от тигля и выделения мощности в расплаве в зазорах между дополнительными пластинами. Необходимую температуру получают при меньшей величине тока, протекающего в тигле. Срок службы тигля увеличен в 1,25 раза. Снижена потребляемая мощность в 1,2 раза. Э ил.

5, соединенный с источником б индукционного нагрева, тигель 7, расположенный внутри индуктора 5, траверсы 8, прикрепленнь1е к кромке тигля 7 (тигель 7 зафиксирован в неподвижном положении), герметичный бункер 9, установленный на камере l, снабженный механизмом 10 подачи сырья, и подающую трубу 11 .

Тигель 2 (фиг . 2) выполнен в виде многогранной призмы, грани 12 которой состоят из нескольких пластин 13, установленных с зазором параллельно друг другу и послецовательно соединенных. К месту соединения внутренней пластины с последуюшей пластйной в каждой грани тигля прикреплена дополнительная пластина 14 .

Донная часть тигля имеет отверстие.

3 . 149

Устройство работает следующим образомм.

В герметичной камере 1 внутри индуктора 5 неподвижно устанавливают тигель 7 с помощью траверс 8. Объем тигля 7 и дополнительный объем между тиглем и индуктором 5 заполняют исходным сырьем, порошкообразным (например, шихтой иттрий-алюминиевого граната, активированного неодимом—

Т А1 О,, -Nd) . Увеличением мощности, подводимой от источника 6 .индукционного нагрева к индуктору 5, повышают температуру тигля 7 до расплавления загруженного в него сырья и сырья, находящегося в дополнительном объеме. Полученный расплав при дальнейшем увеличении мощности, подводимой от источника 6 индукционного нагрева

I к индуктору 5, за счет теплаотдачи от тигля 7 и непосредственного выделения мощности в расплаве в зазорах между дополнительными пластинами

14, доводят до температуры затравле6332 Д ния, проводят процесс затравления на затравку 3 и осуществляют выращивание монокристалла 4.

При этом получают необходимую темпаратуру расплава при меньшей величине тока, протекающего в тигле, что предотвращает его преждевременное разрушение.

Срок службы предлагаемого тигля по сравнению с известным увеличен в

l,25 раза. Использование предлагаемого устройства обеспечивает снижение потребляемой мощности в 1,2 раза..

Формула изобретения о

Устройство для выращивания монокристаллов тугоплавких окислов по авт.св. И- 1253182, о т л и ч а ю 1ц е20 е с я тем, что, с целью увеличения срока службы тигля, каждая грань призмы снабжена дополнительной пластиной, установленной в месте соединения двух соседних внутренних пластин.

1496332

Составитель H . Давыдова

Техред М. Дидык Корректор A.. Козориз

Редактор Л. Лашкова

Заказ 1092

Подписное

Тираж

ВНИИПИ 1 осударственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101