Устройство для бесконтактного измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов

 

Изобретение относится к технике электроизмерений. Цель изобретения - повышение точности при измерении электрофизических параметров полупроводниковых материалов в виде субмикронных легированных слоев на высокоомных подложках. Устройство содержит цилиндрический резонатор 1 с торцевой стенкой 5, имеющей осевое отверстие 4 конусообразной формы, а также эл-ты 2 и 3 связи с источником СВЧ-колебаний и измерителем добротности, исследуемый полупроводниковый материал - структуру 6 с субмикронными легированными слоями толщиной ≤0,5 мкм и металлическую пластину 7. Данное устройство обеспечивает измерение электрофизических параметров: удельного и слоевого сопротивления двухслойной структуры с субмикронным легированным слоем методом малых возмущений. Кроме того, обеспечивается определение слоевого сопротивления N<SP POS="POST">*</SP>01+ и P<SP POS="POST">+</SP> - слоев трехслойной N<SP POS="POST">+</SP>-P-P<SP POS="POST">+</SP>-структуры с известными удельным сопротивлением и толщиной подложки (P-слоя), а также определение величины фотопроводимости в базовой области трехслойных структур при их освещении со стороны резонатора 1. 1 з.п.ф-лы, 1 ил.

(5l) 4 С О1 К 31/26

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А BTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Ф

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СЦЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

- ф... р, Г - - РЕСРУБЛИН ф „ф

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

lI ИЗОБРЕТЕНИЯМ И OTHPblTHRM

ПРИ ГННТ СССР (2)) 4296961/24-09 (22) 20.08.87 (46) 30.07.89. Бюл. Ф 28 (72) Ю.А.Аношин, В.М.Базин, С.С.Кабак и Л.Д.Сагинов (53) 621,317(088.8) (56) Войцеховский П В. и др. Резонаторный метод измерения электрофизических параметров полупроводниконых структур. Электромагнитные методы измерения и контроля. - Томск, 1985, с.165-169.

Труды Сев.-Кавказ.горнометаллург. ин-та, 1972, вын.33, с.269-273. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ БЕСКОНТАКТНОГО

ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИАТЕРИАЛОВ

„„SU„„14 7593 А1

2 (57) Изобретение относится к технике электроизмерений. Цель изобретения— повышение точности при измерении электрофизических параметров полупроводниковых материалов в виде субмикронных легированных слоев на высокоомных подложках. Устр-во содержит цилиндрический резонатор 1 с торцовой стенкой 5, имеющей осевое отверстие 4 конусообразной формы, а также эл-ты 2 и 3 связи с источником СВЧ колебаний и измерителем добротности, исследуемый полупроводниковый материал — структуру 6 с субмикронными легированными слоями толщиной †- 0,5 мкм и металлическую пластину 7. Данное

С> устр-во обеспечивает измерение элекСоставитель P.Êóçíåöoâà

Техред М.Дидык Корректор Н.Яцола

Редактор Л.Пчолинская

Заказ 4441/48 Тираж 713 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина,101

Б 149759 электрофиэических параметров полупроводниковых материалов в виде субмикронных легированных слоев на высокоомных подложках, в одной из торцовых стенок цилиндрического резонатора вы5 полнено осевое отверстие для связи с исследуемым полупроводниковом материалом и введена металлическая пластина, которая установлена параллельно тор- 10 цовой стенке на расстоянии„ равном толщине исследуемого полупроводникового материала, от ее внешней поверх3 е ности, при этом размеры металлической пластины превьш ают размер осевого отверстия.

2. Устройство по п.1, о т л и— ч а ю щ е е с я тем, что осевое отверстие выполнено конусообразным и имеет больший диаметр со стороны внутренней поверхности торцовой стенки, при этом половина разности большего и меньшего диаметров осевого отверстия больше толщины торцовой стенки,

Устройство для бесконтактного измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов Устройство для бесконтактного измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов Устройство для бесконтактного измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения параметров носителей заряда в полупроводниках

Изобретение относится к метрологии электрофизических параметров полупроводников

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения кристаллографической неоднородности полупроводниковых кристаллов

Изобретение относится к измерительной технике

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля электрической однородности поверхности полупроводников и диэлектриков

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Наверх