Малогабаритное фотосопротивление из сернистого кадмия

 

Л - 150950

Класс 2) g 29ol

СССР =:Xi 7/

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа № 97

Л Е. Ведерников

МАЛОГАБАРИТНОЕ ФОТОСОПРОТИВЛЕНИЕ ИЗ

СЕРНИСТОГО КАДМИЯ

Заявлено 2 декабря 1961 г. за № 753045/26-9 в Комитет по делам изобретений и открытий прн Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» ¹ 20 за 1962 г.

Известны малогабаритные фотосопротивлсния из сернистого кадмия, выполненные в виде стеклянной пластинки с нанесенным на нее фоточувствительным слоем.

Предлагаемое фотосопротивление отличается от известных уменьшенной рабочей площадью освещенности. Это достигается тем, что стеклянная пластина покрыта со всех сторон светонепроницаемым слоем за исключением торцовой стороны, в которой расположен светоприемник с концентрированным пучком света.

На чертеже изображено предлагаемое малогабаритное фотосопротивление в двух проекциях.

На одну сторону пластинки 1, изготовленной из оптического стекла, наносят светочувствительный слой 2 с тонкими токопроводящими контактными выводами 3. Обратную сторону стеклянной пластинки 1 покрывают зеркальной пленкой 4, после чего пластинку со вссх сторон, кроме одной скошенной торцовой стороны, покрывают светонепроницаемым слоем 5 (лаком). Общая толщина всех слоев вместе со стеклом должна быть не более 0,5 — 1,0 ил.

Светочувствительный слой 2 освещается узким концентрированным пучком света через скошенный торец, IIe защищенный светонепрониIIãñìblì слоем.

Фотосопротивление такой конструкции с ограниченной плошадью освещенности, включенное в схему реле. позволяет повысить чjBcTBIIтельность этого реле при отклонении светового луча на 0,2 — 0,5 «л от его осН.

Описанное фотосопротивление может найти применение в ряде приборов системы автоматики и телеуправления. № 150950

Предмет изобретения

Малогабаритное фотосопротивление из сернистого кадмия, выполненнос в. виде стеклянной пластинки с нанесенным на нее фоточувствительным слоем, отл и ч а ю щ ее с я тем, что, с целью уменьшения раоочей площади освещенности, пластина покрыта со всех сторон светонепроницаемым слоем за исключением торцевой стороны, в которой расположен светоприемник с концентрированным пучком света.

Itt

Составитель. Л. 3. Рубинчик

Редактор 3. А. Москвина Техред А. А, Камышникова Корректор В. П. Фомина

Типография ЦБТИ Москва, Петровка, 14.

Поди. к печ, 29.IX-62 г.

3ак. 9895

ЦБТИ Комитета по делам

Москва

Формат бум. 70Х108 /,в

Тира>к 1150 изобретений и открытий при

Центр М. Черкасский пер., Объем 0 18 изд. л.

Цена 4 коп.

Совете Министров СССР д, 2/6.

Малогабаритное фотосопротивление из сернистого кадмия Малогабаритное фотосопротивление из сернистого кадмия 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к полупроводниковым приемникам, предназначенным для регистрации излучений и заряженных частиц

Изобретение относится к устройствам фотоэлектрического преобразования и системе формирования изображения
Изобретение относится к гибридному органически-неорганическому мономерному материалу, а именно к способу его получения

Фотодиод // 1512430

Гибридная фоточувствительная схема содержит: алмазный матричный фотоприемник (МФП), индиевые столбики и кремниевый мультиплексор с чувствительными площадками. В состав МФП входят: верхний плоский электрод, на который подается напряжение смещения, алмазная пластина и нижние электроды чувствительных элементов алмазного МПФ, с которых снимается сигнал. Нижние электроды гальванически связаны через индиевые столбики с расположенными в виде прямоугольной матрицы с осями X и Y чувствительными элементами кремниевого мультиплексора. Число индиевых столбиков на каждой осей X и Y должно быть не менее двух. Кроме того, матрица алмазного фотоприемника по оси X и Y имеет в два раза шаг больше, чем матрица кремниевого мультиплексора, и нижние электроды чувствительных элементов алмазного МПФ расположены в шахматном порядке. Нижние электроды чувствительных элементов алмазного МПФ соединены гальванически индиевыми столбиками только с нечетными или четными чувствительными площадками кремниевого мультиплексора, поэтому, свободные чувствительные площадки кремниевого мультиплексора могут использоваться для регистрации видимого и ИК-излучений. Технический результат изобретения - расширение детектируемого диапазона излучения, за счет одновременной регистрации изображения в ультрафиолетовом, видимом и ИК спектре, увеличение срока службы ГФС за счет исключения попадания жесткого УФ излучения на мультиплексор. 4 ил.

Настоящее изобретение относится к люминесцентному фотогальваническому генератору (1) и волноводу для использования в таком фотогальваническом генераторе. Фотогальванический генератор содержит фотогальванический элемент (4) и волновод, содержащий прозрачную матрицу (2), имеющую частицы неорганического люминесцентного материала, рассредоточенные в ней, и/или неорганический люминесцентный материал, расположенный по меньшей мере на одной ее стороне. Волновод ассоциирован с фотогальваническим элементом (4), так что при использовании по меньшей мере часть света, излученного из люминесцентного материала, поступает в фотогальванический элемент (4), чтобы создать напряжение в элементе. При этом неорганический люминесцентный материал имеет максимум поглощения по меньшей мере в одной из ультрафиолетовой области, видимой области и инфракрасной области, ширину линии поглощения 50 нм или более, ширину линии испускания 20 нм или менее и Стоксов сдвиг 50 нм или более. Также предложен волновод для использования в фотогальваническом генераторе. Фотогальванический генератор (1) является альтернативой или усовершенствованием известных фотогальванических генераторов, которые обычно страдают от недостатка удельного выхода мощности. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области полупроводниковой техники. Входное окно предназначено для использования в вакуумных фотоэлектронных приборах проксимити типа. Технический результат - упрощение технологии изготовления входного окна, в том числе для фотокатодов на основе гетероэпитаксиальных структур, а также обеспечение значительного коэффициента усиления фотоэлектронных приборов типа проксимити при увеличении их электрической прочности и повышении пробивного напряжения. Входное окно для вакуумных фотоэлектронных приборов типа проксимити выполнено чашеобразной формы, составным, включающим боковую часть конусообразной формы, имеющую ступенчатый выступ со стороны меньшего диаметра, и плоское дно, имеющее ступенчатый выступ вдоль края, соединенные посредством примыкания соответствующих ступенчатых выступов друг к другу, причем соединение зафиксировано индиевым уплотнением. 2 ил.

Изобретение относится к области оптико-электронного приборостроения и касается способа защиты приемника оптического излучения. Способ включает в себя прием входного оптического потока матричным фотоприемным устройством (МФПУ), измерение величины ii выходного сигнала каждого i-го чувствительного элемента (ЧЭ) МФПУ, где - номер ЧЭ МФПУ, N - количество ЧЭ в МФПУ, и сравнение их значения с пороговым значением iП. При превышении величины ij выходного сигнала j-ого ЧЭ МФПУ порогового значения iП закрывают j-ую часть входного оптического потока. Далее периодически открывают j-ую часть входного оптического потока и измеряют величины ij выходного сигнала j-го ЧЭ МФПУ. При ij≥iП закрывают j-ую часть входного оптического потока, а при ij<iП оставляют j-ую часть входного оптического потока открытой. Технический результат заключается в обеспечении возможности функционирования устройства в условиях засветки фоточувствительной поверхности мощными сигналами. 3 ил.
Наверх