Способ совмещения рисунка маски с рисунком подложки

 

Изобретение относится к технологии рентгенолитографии в процессе производства полупроводниковых приборов. Цель изобретения - упрощение процесса. На подложке формируются метки в виде многослойной структуры. Она состоит из чередующихся полупроводниковых слоев противоположного типа проводимости или чередующихся проводящих и непроводящих слоев. Подложку облучают рентгеновским излучением через маску. На метки подложки подают электрическое напряжение и измеряют электрический ток, протекающий через них. Ток возникает при воздействии рентгеновского излучения на многослойную структуру меток. По величине этою тока судят о рассовмещении маски и подложки. Затем подложку и маску взаимно ориентируют до момента точного их совмещения , который фиксируют по максимуму или минимуму тока. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

<51) 5 G 03 F 9/00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21)4314768/21 (22) 27.08.87 (46) 30.11.91. Бюл. N 44 (72) А.Н.Генцелев и Н.П.Самойлиди (53) 621.382.002(088.8) (56) Заявка ФРГ

¹ 22772222995588, кл. Н 01 21/68, 1978.

Solid State Technology, 1972, ч, 15, №7, р.21. (54) СПОСОБ СОВМЕЩЕНИЯ РИСУНКА

МАСКИ С РИСУНКОМ ПОДЛОЖКИ (57) Изобретение относится к технологии рентгенолитографии в процессе производства полупроводниковых приборов. Цель изобретения — упрощение процесса. На подложке формируются метки в виде многоИзобретение относится к процессам изготовления интегральных схем и полупроводниковых приборов, в частности к технологии рентгеноли, ографии.

Целью изобретения является упрощение процесса путем использования меток на подложке в виде многослойной структуры, состоящей из чередующихся полупроводниковых слоев противоположного типа проводимости или чередующихся проводящих и непроводящих слоев. Такие метки используются как датчики рентгеновского излучения, прошедшего через метки на маске.

На многослойную структуру меток подают электрическое напряжение и измеряют ток, протекающий через каждую метку. По величине этого тока судят об интенсивности рентгеновского излучения, попадающего на каждую метку, а следовательно. и о величине рассовмещения, 4

„„Я „„1501759 А1 слойной структуры. Она состоит из чередующихся полупроводниковых слоев противоположного типа проводимости или чередующихся проводящих и непроводящих слоев. Подложку облучают рентгеновским излучением через маску. На метки подложки подают электрическое напряжение и измеряют электрический ток, протекающий через них. Ток возникает привоздействии рентгеновского излучения на многослойную структуру меток, По величине этого тока судят о рассовмещении маски и подложки. Затем подложку и маску взаимно ориентируют до момента точного их совмещения, который фиксируют по максимуму или минимуму тока. 1 ил.

Изобретение поясняется чертежом, где показана принципиальная схема процесса совмещения.

На подложку 1 нанесен слой 2 резиста, Маска 3 представляет собой рентгенопрозрачную мембрану, На маске 3 имеется топологический рисунок 4 из рентгенопоглощающего материала. На подложке 1 сформированы метки 5 в виде многослойной структуры. На маске

3 сформированы метки 6, выполненные также как и топологический рисунок 4 иэ рентгенопоглощающего материала.

Пример 1. Маска 3 имеет мембрану из кремния, легированного бором толщиной

2-3 мкм. Топологический рисунок 4 и метки

6 на маске 3 выполнены из слоя золота толщиной 0,6 мкм. Каждая метка 6 имеет размер 5х200 мкм.

На подложке 1 формируют метки 5 в виде чередующихся полупроводниковых слоев противоположного типа проводимо1501759 вского излучения, и величина электрического тока, протекающего через метки 5, минимальна.

Пример 2. Все операции выполняют как в примере 1. Метки 5 на подложке 1 выполняют в виде многослойной структуры, состоящей из чередующихся проводящих и

i.åïð0â0äÿùèõ слоев. В частности, такая структура может состоять из слоя кремния, разделенного с кремниевой подложкой слоем окиси кремния толщиной 30-40 А.

Составитель В.Рубцов

Редактор Н.Каменская Техред М.Моргентал Корректор М.Демчик

Заказ 4644 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб.. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Ъ сти. В этом случае каждая метка представляет собой плоский р-и-переход размером

5х200 мкм. Метки 6 на маске 3 и метки 5 на подложке 1 расположены в координатно сопряженных точках, 5

ka подложку 1 наносят негативный резист 2 марки ЭЛН-216. На р-и-переход каждой метки подают электрическое напряжение е обратном направлении. Это достигается с помощью расположенных, на 10 подложке .вспомогательных контактных площадок и токоведущих дорожек, соединяющих эти контактные площадки с метками.

После предварительного поэициониро- 15 вания маски 3 и подложки 1 их облучают рентгеновским синхронным излучением.

Метки 6 на маске 3 экранируют рентгеновское излучение. Однако, если маски 3 и подложка 1 совмещены не точно, то на не- 20 которую часть метки 5 на подложке будет попадать рентгеновское излучение. В результате в р-и-переходе возникает электрический ток. Чем больше величина рассовмещения, тем больше ток, 25

Таким образом, по величине электрического тока, протекающего через каждую метку 5 на подложке 1, можно судить об интенсивности рентгеновского излучения, попадающего на данную метку. а следова- 30 тельно, и о величине рассовмещения.

Затем проводят взаимную ориентацию маски 3 и подложки 1. При точном совмещении метки 6 на маске 3 полностью экрани- 35 руют метки 5 на подложке 1 от рентгеноФормула изобретения

Способ совмещения рисунка маски с рисунком подложки, включающий формирование координатно-сопряженных меток на маске и подложке, облучение рентгеновским излучением подложки через маску и взаимную ориентацию подложки и маски по интенсивности рентгеновского излучения на метках подложки, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса, метки на подложке формируют в виде многослойной структуры с чередующимися полупроводниковыми слоями противоположного типа проводимости или чередующимися проводящими и непроводящими слоями. а в процессе взаимной ориентации подложки и маски к многослойной структуре меток прикладывают электрическое напряжение, при этом интенсивность рентгеновского излучения на метках подложки определяют по величине электрического тока, проходящего через многослойную структуру меток.