Способ изготовления магнитной периодической фокусирующей системы

 

Изобретение может быть использовано, в частности, при изготовлении магнитной периодической фокусирующей системы, формирующей потоки заряженных частиц в электронных приборах, предназначенных: для работы в широком диапазоне температур. Цель - повышение термостабильности магнитной периодической фокусирующей системы (МПФС) и выхода годных - достигается тем, что повторяющиеся циклы коррекции чередуют с термоостариванием. В качестве значения амплитуд магнитного поля используют значения амплитуд магнитного поля в ячейках после предыдущего термоостаривания. Способ позволяет получить дополнительный эффект, заключающийся в исключении необходимости предварительной настройки МПФС, в сокращении числа циклов настройки, исключении необходимости подбора и замены термоостаренных магнитов, увеличении процента выхода годных магнитов на 5 - 10%.

Способ относится к электротехнике, в частности к способам изготовления магнитных периодических фокусирующих систем (МПФС), формирующих потоки заряженных частиц в электронных приборах, предназначенных для работы в широком диапазоне температур. Способ является усовершенствованием известного способа изготовления МПФС по авт.св. N 1333130. Цель изобретения - повышение термостабильности магнитной периодической фокусирующей системы и выхода годных. Сущность способа состоит в следующем. I. Моделирование МПФС. 1а. Формирование исходной матрицы А-o1. Измеряют напряженность поля в центрах ячеек МПФС Нij (i,j = 1,2,...,n), создаваемых пробным магнитом, имеющим амплитуду поля в центре Но. Вычисляют коэффициенты (aij) = (i,j=1,2,...,n) и формируют в оперативном запоминающем устройстве (ОЗУ) ЭВМ матрицу Ао = {aij}o. Транспортируют и обращают с помощью ЭВМ матрицу Ао: Ao__ A-o1, где Ao-1 = {aij-1}, где аij-1 - элементы исходной матрицы ij = 1,2,...,n, причем выполняется соотношение (a-1ij)к= (a-1ij), (1) где di= , dj= 1б. Основной цикл моделирования. Подставляя элементы исходной матрицы Ао-1 в соотношение (2), (1) (Hi)o= aHj (2) и решая его с помощью ЭВМ, определяют значения амплитуд поля стабилизации каждого магнита (Нi)o, i = 1,2,...,n. Устанавливая поочередно магниты вместе со своими полюсными наконечниками в устройство магнитной обработки, стабилизируют магниты до расчетного значения поля, затем собирают МПФС, устанавливая каждый магнит в ячейку из своих полюсных наконечников и другой арматуры (далее собирают МПФС), измеряют амплитуды поля (Нai)o, i = 1,2,...,n в каждой ячейке МПФС и определяют погрешность настройки МПФС по наибольшему значению относительных отклонений поля в ячейках ее от требуемых значений So = макс | Нai|o, i = 1,2,...,n. 1в. Повторные циклы идентификации. Модифицируют матрицу Ао-1 по соотношению (1), получают матрицу А-1 {aij-1}, определяют из соотношения (2) значения амплитуд поля H=aHj стабилизации каждого магнита. Извлекают магниты из системы вместе со своими полюсными наконечниками, поочередно устанавливают их в устройство магнитной обработки, стабилизируют магниты на расчетных значениях амплитуд поля (Нi), i = 1,2,...,n, собирают МПФС, измеряют амплитуды поля |Нai|, в каждой ячейке МПФС, определяют погрешность настройки МПФС S1 = макс | Hai|1, где i = 1,2,...,n. Затем проверяют выполнение критерия |So - S1| < , где - оценка случайной составляющей суммарной относительной погрешности средств измерений поля в ячейках МПФС и в магнитах. Если |So - S1| > , то повторяют цикл идентификации в описанной последовательности, начиная с модификации матрицы по соотношению (i). Если |So - S1| < , то повторение циклов идентификации прекращают. Если критерий |Sk-1 - Sk| < выполнен в цикле с номером К, то полученную в нем матрицу Аk-1 считают полностью идентифицированной для МПФС данного типа, магнитов, требуемых значений амплитуд поля. Полностью идентифицированную матрицу, обозначаемую Аu-1, используют в дальнейшем при изготовлении МПФС. Для этого матрицу Au-1 выводят из ОЗУ ЭВМ на магнитный диск или перфоленту. На этом моделирование МПФС заканчивают. Перед изготовлением идентичных МПФС вводят в ОЗУ ЭВМ с носителя матрицу Au-1 и требуемые значения амплитуд поля Hj в ячейках. II. Изготовление МПФС. 2а. Основной цикл изготовления. Подставляя элементы полностью идентифицированной матрицы Au-1 = {aij-1} в соотношение (2) (Hi)o= aHj и решая его с помощью ЭВМ, определяют значения амплитуд поля стабилизации магнитов (Нi)o, i = 1,2,...,n. Устанавливая поочередно магниты вместе со своими полюсными наконечниками в устройство магнитной обработки, стабилизируют магниты до расчетных значений поля (Hi)o, собирают системы, измеряют поле (Нi)o, i = 1,2,...,n в каждой ячейке МПФС и определяют погрешность настройки МПФС по наибольшему значению относительных отклонений поля в ячейках от требуемых значений So= макс|Наi|o, i = 1,2,...,n. 2б. Термоостаривание. Термообрабатывают МПФС при температуре термоостаривания, доводят температуру МПФС до нормальной. 2в. I-й цикл коррекции: измеряют амплитуды поля (Нai), в каждой ячейке термоостаренной МПФС, определяют погрешность настройки S1 = макс | Hai|1, проверяют выполнение соответствующего критерия в зависимости от цели настройки
|So - S1| < - с целью определения минимума погрешности настройки;
|S1 | Sз - с целью определения заданной погрешности настройки (Sз). Если критерий не выполняется, то модифицируют матрицу Au-1 исходя из соотношения (1) и используют коэффициенты di, dj, где в качестве значений напряженности амплитуд поля в ячейках i и j соответственно, подставляют значения (Нa)ij, полученные в этих ячейках после первого термоостаривания системы. Получают матрицу Аi-1. Рассчитываются первые упрежденные значения полей стабилизации каждого магнита по соотношению (2) (Hi)1, i = 1,2,...,n устанавливают каждый магнит со своими полюсными наконечниками в устройство магнитной обработки, стабилизируют магниты на первых упрежденных значениях амплитуд поля (Hi)1; собирают систему, устанавливая каждый магнит в ячейку из своих полюсных наконечников, экранов и т. д. Затем проводят повторное термоостаривание МПФС, как в п. 2б, и второй цикл коррекции, как в п.1в, причем в последнем проверяют выполнение критерия |S1 - S2| < (с целью Sмин) или | S2| S (с целью Sз). Если критерий не выполняется, то продолжают указанный цикл и его чередование с термостариванием МПФС до тех пор, пока в зависимости от цели настройки (Sмин или Sз) в одном из циклов в процессе контроля не будет выполнен соответствующий критерий |Sk| Sз или |Sk-1 - Sk|< . На этом цикле К чередование прекращают. П р и м е р. Экспериментальное исследование способа осуществлялось с управлением от ЭВМ (Электроника-60 М). Исследование проведено на испытательном посту, на котором производится стабилизация магнитов на расчетном уровне поля, измерение амплитуд поля в ячейках МПФС, а также моделирование системы. Термоостаривание МПФС из современных высококоэрцитивных материалов производилось при 200оС в специальной термокамере в течение 2 ч с выдержкой при нормальной температуре 1 ч. В исследованиях использована серийная МПФС с числом ячеек n = 27. Заданные значения амплитуд поля в ячейках: Ва1 = 115 мТл; Ва2 = -210 мТл; Ва3 = 160 мТл; Ва4 - Ва26 = 210 мТл и Ва27 = 140 мЛт. Проверена возможность настройки термоостаренных МПФС способом повторения чередующихся операций термоостаривания, цикла идентификации матрицы-модели управления, термоостаривания. Предельное значение амплитудного разброса настроенных термоостаренных МПФС не превышало 1% от заданных значений, продолжительность цикла коррекции - около 35 мин, общее число повторных чередующихся операций не превышало 3-4 шт. По сравнению с традиционными способами, используемыми в производстве, предлагаемый способ позволяет получить дополнительный эффект, заключающийся в исключении необходимости предварительной настройки МПФС, в сокращении числа циклов настройки (на 1-2 цикла), исключении необходимости подбора и замены термоостаренных магнитов, увеличении процента выхода годных магнитов на 5-10%.


Формула изобретения

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАГНИТНОЙ ПЕРИОДИЧЕСКОЙ ФОКУСИРУЮЩЕЙ СИСТЕМЫ по авт. св. N 1333130, отличающийся тем, что, с целью повышения термостабильности магнитной периодической фокусирующей системы и выхода годных, повторяющиеся циклы коррекции чередуют с термоостариванием, причем в качестве значения амплитуд магнитного поля Hai и Haj для расчета коэффициентов di и dj используют значения амплитуд магнитного поля в ячейках после предыдущего термоостаривания.

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 8-2000

Извещение опубликовано: 20.03.2000        




 

Похожие патенты:

Изобретение относится к радиотехнике

Изобретение относится к сверхвысокочастотной (СВЧ) электронике

Изобретение относится к электротехнике

Изобретение относится к области СВЧ-электроники, в частности к конструкциям коллекторных систем электровакуумных приборов О-типа

Изобретение относится к электронике СВЧ, к мощным электровакуумным приборам О-типа

Изобретение относится к электро- и радиотехнике, в частности к устройствам электровакуумных приборов с электронным пучком, фокусируемым системой на постоянных магнитах, а также к способам их изготовления

Изобретение относится к магнитным системам для получения однородного постоянного магнитного поля, в частности малогабаритным магнитным системам, используемым в устройствах и приборах ЯМР и ЭПР-спектроскопии

Изобретение относится к электротехническому оборудованию для мощных электронно-лучевых приборов СВЧ, в частности к магнитным фокусирующим устройствам с использованием длинного соленоида с жидкостным охлаждением

Изобретение относится к электротехнике, к измерительной технике и может быть использовано в устройствах и приборах ядерного магнитного резонанса (ЯМР)

Изобретение относится к электронной технике, в частности к конструкции коллектора многолучевого электронного прибора, например клистрона

Изобретение относится к электронной технике, а более конкретно к многолучевым приборам СВЧ О-типа (клистрон, ЛБВ и т.д.)

Изобретение относится к электровакуумным СВЧ приборам, в частности к элементам магнитной фокусировки электронных пучков в таких приборах

Изобретение относится к электронике СВЧ, в частности к электровакуумным приборам "0" типа с электронным пучком, фокусируемым системой с постоянными магнитами

Изобретение относится к электровакуумным СВЧ приборам, а более конкретно, к магнитным фокусирующим системам приборов "О" типа

Изобретение относится к фокусирующим магнитным системам для электронных СВЧ-приборов О-типа
Наверх