Способ определения намагниченности подрешеток эпитаксиальной доменосодержащей ферримагнитной пленки

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при контроле носителей информации для быстродействующих магнитооптических управляемых транспарантов, при обработке технологии получения эпитаксиальных пленок и в научных исследованиях. Цель изобретения - упрощение способа. В соответствии с предложенным способом намагниченность подрешетной эпитаксиальной доменосодержащей ферримагнитной пленки определяют следующим образом. Измеряют ширину полосовых доменов в отсутствии магнитного поля в пленках, расположенных при эпитаксии на верхней и нижней сторонах подложки, и по измеренным значениям ширины полосовых доменов судят о намагниченности подрешеток эпитаксиальной доменосодержащей ферримагнитной пленки.

COlO3 СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (И) Ai (51) 5 G 11 С 11/14

4 . =,"("Щ,"., ф Я

E,, E,;„:,;.1Д

° i%

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И О НРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

1 (21) 4399582/24-24 (22) 28.03.88 (46) 23.01.90. Бюл. № 3 (75) В,В.Рандошкин, В.Б.Сигачев и В.И.Чани (53) 681.327.66(088.8) (56) Неорганические материалы, т.22, ¹ 9, 1986, с. 1530-1533.

ЖТФ, т. 54, вып. 7, 1984, с. 1381-1383. (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ НАМАГНИЧЕННОСТИ ПОДРЕШЕТОК ЗПИТАКСИАЛЬНОЙ ДО-

ИЕНОСОДЕРЖАЩЕЙ ФЕРРИМАГНИТНОЙ ПЛЕНКИ (57) Изобретение относится к вычис-лительной технике и может быть использовано при контроле носителей информации для быстродействующих магИзобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при контроле носителей информации для быстродействующих магнитооптических управляемых транспарантов, приобработке технологии получения эпитаксиальных пленок и в научных исследованиях.

Целью изобретения является упрощение способа °

В соответствии с предложенным способом намагниченность подрешеток эпитаксиальной доменосодержащей ферримагнитной пленки определяют следующим образом.

Измеряют ширину полосовых доменов в отсутствии магнитного поля в пленках, расположенных при эпитаксии на верхней и нижней сторонах подложки, 2 нитооптических управляемых транспарантов, при обработке технологии получения эпитаксиальных пленок и в научных исследованиях. Цель изобретения — упрощение способа. В соответствии с предложенным способом намагниченность подрешетной эпитаксиальной доменосодержащей ферримагнитной пленки определяют следующим образом. Измеряют ширину полосовых доменов в отсутствии магнитного поля в пленках, расположенных при эпитаксии на верхней и нижней сторонах подложки, и по измеренным значениям ширины паласовых доменов судят о намагниченности подрешеток эпитаксиальной доменосодержащей ферримагнитной плен,ки. и по измеренным значениям ширины полосовых доменов судят о намагниченности подрешеток эпитаксиальной доменосодержащей ферримагнитной пленки.

Суть изобретения заключается в том, что обычно в запоминающих устройствах используются пленки, составы которых не обеспечивают компенсацию намагниченностей подрешеток, т.е. намагниченность тетраэдрической подрешетки больше суммарной намагниченности октаэдрическойи додекаэдрической подрешеток. В запоминающих устройствах на основе пленок феррит-гранатов с повышенным гиромагнитным отношением и,как следствие, повышенной скоростью доменных стенок наблюдается обратная ситуация.

1538189

I нов на нижней пленке больше по срав-. нению с размерами доменов верхней структуры и, наоборот, при

Мтет а- Мокта — + Мдодеку т.е. сравнение измеренных периодов позволяет судить о состоянии материала.

Формула и з обретения

Составитель Ю.Розенталь

Техред JI.Càðäþêoâà Корректор М.Пожо

Редак тор Л. Гр атилл о

Заказ 170 Тиоаж 474 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва,, Ж-35, Раушская наб., д. ч/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина, 101

Экспериментально установлено, что рости эпитаксиального наращивания нок на вращающуюся подложку при, ном ее погружении в раствор-расплав с верхней и нижней сторон сущест венно различаются. Скорость роста с нижней стороны в 1,3-1,5 раза выше

nd сравнению с верхней стороной, что связано с более интенсивным подводом обогащенного раствора к-поверхности р ста, Увеличение скорости роста п енки феррит-граната, как показывае опыт, всегда сопровождается увеI чением коэффициента распределения

М,/ Ga) К(Ре)

9 (Реj /(Ре + СаI @ г е в квадратных скобках указаны конц нтрации компонентов Ге и Са в тверд и (т) (феррит-граната) и жидкой (ж) (аствор-расплав) фазах соответственн ° Таким образом, концентрация Fe на н жней пленке всегда выше по сравненфю с верхней. Однако, в случае, когда намагниченность тетраэдрической п дрешетки больше суммарной намагнич нности октаздрической и додекаэдрич ской подрешеток, увеличение Ре) .с нижней стороны означает и увеличение с марной намагниченности ферритг аната, а следовательйо, и уменьшен е периода доменной структуры. В обратной ситуации увеличение Ре с н1лжней стороны приводит к уменьшению абсолютной величины суммарной намагн1лченности и увеличению периода дом иной структуры.

Таким образом, в случае, когда

Мт -о Мокта-™додека размер домеПример. Период доменной струк-. туры Р (ширина полосового домена

M Р /2) измеряли, помещая пленку в поляризационный оптический микроскоп типа МИП-8, Измерения проводили в геометрическом центре верхней и

15 нижней эпитаксиальных пленок, .полу- . ченных на одной подложке при полном, ее погружении в раствор-расплав на глубину 0 5-1,5 мм. Соответствие пленок условию Мтетра™ октс-+ 1 о ека20 проверяли по увеличению скорости движения доменных стенок на установке высокоскоростной фотографии.

Способ определения намагниченности подрешеток элитаксиальной доменосодержащей ферримагнитной пленки, основанный на измерении магнитного параметра пленки, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью упрощения способа, измеряют ширину полосовых доменов в отсутствии магнитного поля в зпитаксиальных доменосодержащих ферримагнитных пленках, расположенных при эпитаксии па верхней и нижней сторонах подложки, и по измеренным значениям. ширины полосовых доменов судят о намагниченности под40 решеток эпитаксиальной доменосодержащей ферримагнитной пленки.

Способ определения намагниченности подрешеток эпитаксиальной доменосодержащей ферримагнитной пленки Способ определения намагниченности подрешеток эпитаксиальной доменосодержащей ферримагнитной пленки 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в устройствах памяти на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании устройств хранения информации на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах /ЦМД/

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке магнитооптических управляемых транспарантов

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении устройств запоминания и обработки радиосигналов

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании устройств хранения и переработки информации на цилиндрических магнитных доменах

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для формирования тока в катушках поля вращения в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах /ЦМД ЗУ/

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении модулей запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах /ЦМД/

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх