Носитель информации

 

Изобретение относится к вычислительной технике и оптоэлектронике и может быть использовано в быстродействующих магнитооптических транспарантах. Цель изобретения - расширение температурного диапазона работы с высоким быстродействием. Носитель информации содержит немагнитную подложку со структурой граната 1 и феррит-гранатовую пленку 2, содержащую в додекаэдрической подрешетке висмут и немагнитные редкоземельные ионы. Подложка 1 с пленкой 2 помещены в плоскостное магнитное поле, создаваемое постоянными магнитами 3. Пленка 2 выполнена с невысокой намагниченностью насыщения (200 Гс) и высокой одноосной анизотропией за счет введения в состав пленки большой концентрации висмута и замещения железа ионами галлия. В плоскостных полях H<SB POS="POST">пл</SB> выше 1 кЭ изменяется механизм движения доменной стенки, что приводит к резкому возрастанию ее скорости с @ 5 м/с в отсутствие плоскостного поля до @ 2,5 км/с при плоскостном поле @ 4 кЭ. Для реализации такого механизма и получения высокой скорости доменной стенки фактор качества материала составляет 50-500H<SB POS="POST">и</SB>Н<SB POS="POST">и</SB> - продвигающее импульсное поле). 1 з.п.ф-лы, 3 ил.

СОЮЗ СОБЕТСНИХ

СОЩИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (51) 5 С 11 С 11/14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

rIQ ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГННТ СССР! (21) 4427241/24-24 (22) 17.05.88 (46) О 7. 02. 90. Бюл. 1" 5 (75) N.Â.ËîãóíîB и R.Â.Ðàíäîøêèí (53) 681. 327. 66 (088,8) (56) Логинов Н.А., Рандошкин В.В., Тимошечкин М.И. Получение и свойства монокристаллических пленок ферритгранатов (Tm,ai)3 (Fe,Га) О, . Препринт ИОФАН, 1987, 1" 120, с, 30.

Авторское свидетельство СССР

Nà 1263109, кл. О 11 С 11/42, 11/14, 1985. (54) НОСИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и оптоэлектронике и может быть использовано в быстродействующих магнитооптических транспарантах. Цель изобретения — расширение температурного диапазона работы с высоким быстродействием. Носитель информации содержит немагнитную подлож"

ÄÄSUÄÄ 1541673 А 1

2 ку со структурой граната 1 и ферритгранатовую пленку 2, содержащую в додекаэдрической подрешетке висмут и немагнитные редкоземельные ионы. Подложка 1 с пленкой 2 помещены в плоскостное магнитное поле, создаваемое постоянными магнитами 3. Пленка 2 выполнена с невысокой намагниченностью насыщения (200 Гс) и высокой одноосной анизотропией за счет введения в состав пленки большой концентрации висмута и замещения железа ионами галлия. В плоскостных полях Н „ выше

1кЭ изменяется механизм движения доменной стенки, что приводит к резко.му возрастанию ее скорости - с

- 5 м/с в отсутствие плоскостного поля

Ao + 2 5 км/с при плоскостном поле

- 4 кЭ. Для реализации такого механизма и получения высокой скорости доменной стенки фактор качества материала составляет 50-500 Н и (Н „ - продвигающее импульсное поле) . t з.п. ф-лы, 3 ил., 1 табл.

1541673

Изобретение относится к вычислительной технике и оптоэлектронике и может быть использовано в быстродействующих магнитооптических управляемых транспарантах (ИОУТ), Цепью изобретения является расширение температурного диапазона работы с высоким быстродействием.

На Фиг.1 приведена блок-схема но- 10 сителя информации на фиг.2 - типичная зависимость скорости flC V от плоскостного поля Н„„; на фиг.3 график зависимости скорости ДС V от продвигающего магнитного поля Н„> 15 при нескольких фиксированных значениях H пл °

Носитель информации содержит прозрачную подложку 1, на которую нанесена висмутсодержащая феорит"гранато- 20 вая пленка 2 и постоянные магниты 3, создающие постоянное магнитное поле в плоскости пленки 2.

Сущность изобретения состоит в том, что феррит-гранатовая пленка 2 выполнена содержащей в додекаэдрической подрешетке граната только немагнитные ионы с фактором качества материала от 50 до 500.

В частности, феррит-гранатовая 30 пленка может быть выполнена состава (Y,Su) В1,Ге га;,Л,,, где x = 0,7ul = 1, 1-1,3.

Поскольку в додекаэдрической подрешетке граната отсутствуют магнитные редкоземельные ионы, то магнитные свойства определяются намагниченностью тетраэдрической и октаэдрической подрешеткой, которые содержат одинаковые 40 ионы Fe " Вследствие этого носитель информации обладает высокой термостабильностью параметров в широком температурном диапазоне. Высокое быстродействие обеспечивается приложением 4> постоянного магнитного поля в плоскости пленки Н „ Н»„> где Н"„л пороговое значение плоскостного поля, приблизительно равное 1кЭ, Носитель информации работает сле50 дующим образом.

Приложение поля Н „„ Н „„ с помощью постоянных магнитов 3 обеспечивает режим движения ДС с высокой скоростью (Фиг.? и 3), Движение ДС происходит при приложении переключающего магнитного поля с помощью токовых управляющих структур (на фиг,1 не показаны), Состав пленки 2 выбирают из следующих соображений. При содержании В менее 1>2 атома на формуг ьную единицу граната (ф.е,) не удается создать высокое поле одноосной анизотропии, необходимое для стабилизации ДС в полях Н „„ ) Н „ в пленках с намагниченностью насыцения 4О - 150 Гс.

При у > 2> > не удается пог учить достаточно совершенные пленки. При указанном соотношении для у содержание немагнитных редкоземельных ионов должно находиться в диапазоне О, 7 cñ х <1,9.

При содержании Ga менее 1,1 ф.е. не удается получить достаточно высокой одноосной анизотропии, а также монодоменное состояние в ячейках достатоЧно большого размера (100 мкм), При и 7 1,3 недопустимо снижается температура Нееля, т.е. сужается температурный диапазон работы, При указанном содержании галлия содержание железа составляет 3 6 z <3,9.

При факторе качества материала

q c 50 не удается получить достаточно большую скорость ДС, а при факторе качества 0 ) 500 снижается температура

Нееля из-за низкой намагниченности насыщения.

Пример. Висмутсодержащие пленки состава (R,Bi) (Fe,Ga) 0,<, где

R = Lu, Y, La Са, выращивали методом жидкофазной эпитаксии из переохлажденного раствора-расплава на прозрачных подложках G<. >Ga>0 >q (ГГГ) (Сс1,Са) (Ег,ИВ,Гя) 0, (ГКЦИГГ) при переохлаждении 80-150 К. Постоянное магнитное поле в плоскости пленки 2 создавали с помощью самарий-кобальтовых магнитов 3. Напряженность этого поля достигала 5 кЭ.

В таблице приведены примеры конкретного выполнения, где dТ - температурный диапазон, в котором скорость

ДС превышает 500 м/с. На фиг.2 и 3 приведены данные для пленки состава

Luo Y<,Bi<,, Fe» Ga„,,O „,.

Данные, приведенные в таблице и на фиг.2 и 3, свидетельствуют о расширении температурного диапазона работы примерно в 5 раз.

Формула изобретения

1. Носитель информации, содержащий висмутсодержащую феррит-гранатовую пленку, расположенную на подложке из

5 154 прозрачного граната с ориентацией (III), отличающийся тем, что, с целью расширения температурного диапазона работы носителя информации и повышения его быстродействия, феррит-гранатовая пленка выполнена содержащей в додекаэдрической подрешетке граната только немагнитные

1673

6 ионы с фактором качества материала от 50 до 500.

2. Носитель информации по и.1, 5 отличающийся тем что

> феррит-гранатовая пленка выполнена состава (Y,Lu) „Bi „Fe,Ãà 0 ... где х = 0,7-1,8, у = 1,2-2,4, г

3 6-3>9> u = 1> 1-1 ° 3 °

1п

Под- 4кМт > q Н „„, Н„, Ч> 4Т> ложка Гс Э Э км/с К

Состав пленки

ГКЦМГГ 52

ГГГ 50

ГКЦМГГ 65

ГГГ 41

ГКЦМГГ 150

152

Я кн)с

duo н,ю

l н„„,к йл.i

Фиг 3

Составитель А,Ануфриев

Техред Л.Сердюкова

Корректор A.ОбРУчаР

Редактор А.Шандор

Заказ 284 Тираж 484 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, И-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r Ужгород, ул.Гагарина; 101

Lu>>,тВд,аРеь,тк Са т, qg0 > (ЕцТ)>д В1,с5Гез Са q,>q0n (La > Y> Са),9 Big,gFey, в Га >, О, Lu Bi.,> Ге,Са „ 0,< (Y,Са),, Bi Fe>,Ñà, О,>

Прототип

500 4000 370

50 3200 350

83 3200 350

250 3800 410

72 3400 420

7 - 350

2,6 190 I 5 210

1 4 200

1,9 170

1,8 180

1>4 38