Сегнетоэлектрический керамический материал

 

Изобретение относится к материалам электронной техники и радиотехники и может быть использовано в производстве керамических многослойных и монолитных конденсаторов. Для повышения диэлектрической проницаемости и удельного объемного электрического сопротивления сегнетоэлектрический керамический материал содержит дополнительно PBFE<SB POS="POST">2/3</SB>W<SB POS="POST">1/3</SB>O<SB POS="POST">3</SB> при следующем соотношении компонентов, мас.%: PBMG<SB POS="POST">1/3</SB> NB<SB POS="POST">2/3</SB> SO<SB POS="POST">3</SB> 91,77-93,59

PBTIO<SB POS="POST">3</SB> 3,23-5,07

PBFE<SB POS="POST">1/2</SB>NB<SB POS="POST">1/2</SB>O<SB POS="POST">3</SB> 0,84-0,92 и PBFE<SB POS="POST">2/3</SB>W<SB POS="POST">1/3</SB>O<SB POS="POST">3</SB> 2,24-2,34. Полученный по обычной керамической технологии путем предварительного синтеза соединений, входящих в состав материала, при температуре 750-900°С, их смешения, прессования и спекания при 1200-1240°С, материал имеет следующие характеристики ε при 20°С 18800-24500

TG δ при 20°С 0,002-0,023, ρ<SB POS="POST">V</SB> (4,9<SP POS="POST">.</SP>10<SP POS="POST">12</SP>-2,4<SP POS="POST">.</SP>10<SP POS="POST">13</SP>)Ом<SP POS="POST">.</SP>см, Δε/ε<SB POS="POST">20</SB> в температурном интервале -60 ... +125°С (-83,6 ... +17,2)%. 2 табл.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51)5 С 04 В 35/00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГННТ СССР

Н A ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ У (21) 4404930/23-33 (22) 07.04.88 (46) 28.02.90. Бюл. й- 8 (72) О.В.Рубинштейн, В.А.Исупов, Б.А,Ротенберг и А.Н.Торопов (53) 666.638(088,8) (56) Заявка Японии Ф 62-22942, кл. С 04 В 35/00, опублик. 1987.

Авторское свидетельство СССР

Р 1364611, кл. С 04 В 35/46, 1986. (54) СЕГИЕТОЗЛЕКТРИЧЕСКИЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ ИАТЕРИАЛ (57) Изобретение относится к материалам электронной техники и радиотехники и может быть использовано в производстве керамиЧеских многослойных и монолитных конденсаторов. Для повышения диэлектрической проницаемости

Изобретение относится к материалам электронной техники и радиотехники и может быть использовано в производстве керамических многослойных и монолитных конденсаторов.

Цель изобретения - повышение диэлектрической проницаемости и удельного объемного электрического сопротивления. Сегнетоэлектрический керамический материал готовят по обычной керамической технологии. Сначала синтезируют из смеси оксидов стехиометрические соединения: магнониобат свинца. (PbMg q 3 Nbq z Оэ), титанат свинца (PbTi0q ), ферровольфрамат свинца (PbFe pter M > > 0 ), феррониобат свинца

ÄÄSUÄÄ 1546449 А1 и удельного объемного электрического сопротивления сегнетоэлектрический керамический материал содержит дополнительно PbFe M, О> при следующем соотношении компонентов, мас.Х:

PbHg,) Nb (Оз 91,77-93,59; PbTi03

3,23-5,07; PbFe 1) "lb 1 О> 0э84 Оэ92;

РЬЕе.,,1 „ 0 2,24-2,34. Полученный по обычной керамической технологии путем предварительного синтеза соединений, входящих в состав материала, при температуре 750-900 С, их смешения, прессования и спекания при

1200-1240 С, материал имеет следующие характеристики г при 20 0 1880024500; д / при 20 С 0,002-0,023, f (4,9 10 -,4 .1Ь } UM см, аЯ / Е ю в температурном интервале -b0...+125 С (-83,6...+ 17,2}/, 2 табл.

Фи4 (РЬРе, gb,<, Оз) . ПРи этом темпеРатУра синтеза 750-900 С. Полученные ма-. териалы измельчают сухим помолом в Ф вибромельнице в течение 2-4 ч. 4ь

Компоненты материала смешивают ь| Ь (согласно вышеуказанному соотноше- 1, Д) нию) в ступке в среде этилового спирта или путем сухого помола в .вибромельнице.

Образцы для испытаний оформляют в виде дисков методом полусухого прессования на связке из поливини- З лого спирта. Изготовленные образцы обжигают при 1200-1240 С в замкнутом объеме (для предотвращения испарения оксида свинца) . Ha обожженные образцы наносят серебряные электроды ме1546449 л и ч а ю шийся тем что с целью повышения диэлектрической пронп— цаемости и удельного объемного электрического сопротивления, он содержит . в качестве добавки РЬГez/ W,@Од при следующем соотношении компонентов, мас.l:

Р Ы18.д, ИЬ„эО, РЪТ1ОЗ

PbFe<

РЬРе,цф О тодом вжигания серебросодержащей пасты, 1

В табл. 1 приведены составы материала, в табл.. 2 - характеристики материала.

Формула из обре тен ия

Се гне тоэлек трический керамический материал, включающий PbNg НЬ О

PbTi03, РЬРе,/ ЙЪ / О и добавку, о т10

Таблица1

Содержание компонентов, мас.7.

РЪТ10з

Состав

РЬМК /э НЬ zIs Оэ

PbFe /z Nb /z Оэ PbFezy> W /зОз

5,07

3,23

4,15

91,77

93,59

92,68

0,92

0,84

0,88

2,24

2,34

2,29

Т а блица 2

Оо

Я (20 C) у„(20 С), Ом -см

5

-60...+125 С

Состав

23600-24500

18800-19000

20700-21400

9,2 10 (1,8" 1,9)

4,9 10 2,4 10

2,0.10"1,1 10

"83,6 ° . ° +1,4

10 -82,0...+17,2

-82,8...+10,4

0,022-0,023

0,0020,003

0,005-0,006

0,002-0,006

-81,6...+8,5

Прототип 16600-18000

Составитель Л.Косяченко

Редактор Н, Киштулинец Техред Л. Сердюкова Корректор C.шекмар

3аказ 54 Тираж 572 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина,101

Сегнетоэлектрический керамический материал Сегнетоэлектрический керамический материал 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к пьезокерамическим материалам и может быть использовано для создания высокочастотных электромеханических преобразователей, в частности для ультразвуковых линий задержки

Изобретение относится к области создания материалов, применяемых в электромеханике, и может быть использовано для создания электромеханических преобразователей (биморфов, актюаторов)
Изобретение относится к керамическим материалам, в частности к электрострикционным керамическим материалам, и может быть использовано в технических устройствах для получения больших (до нескольких десятков микрометров) управляемых микроперемещений: актьюаторах, устройствах адаптивной оптики, микропозиционерах

Изобретение относится к пьезоэлектрическим керамическим материалам на основе титаната свинца и может быть использовано в низкочастотных приемных устройствах - гидрофонах, микрофонах, сейсмоприемниках, а также в приборах медицинской диагностики, Работающих на нагрузку с низкоомным входным сопротивлением
Наверх