Способ определения намагниченности подрешеток эпитаксиальной доменосодержащей ферромагнитной пленки

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при выборе носителей информации для быстродействующих магнитооптических управляемых транспортеров. Целью изобретения является упрощение способа. Для определения намагниченности подрешеток эпитаксиальной доменосодержащей ферромагнитной пленки измеряют ширину полосовых доменов в отсутствии магнитного поля в центре и вблизи краев пленки и по измеренным значениям судят о намагниченности подрешеток пленки. Измерение ширины полосовых доменов осуществляют на расстоянии 20 - 500 мкм от краев пленки. 1 з.п. ф-лы.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (19) ПИ

А3 (51) 5 G 11 С 11/14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А BTGPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4440873/24-24 (22) 28.03.88 (46) 15.03.90.,Бюл. № 10 (75) В.В.Рандошкин и В.И.Чани (53) 681.327.66(088.8) (56) Неорганические материалы, т. 22

1986, ¹ 9, с. 1530-1533.

ЖТФ, т. 54, вып. 7,.1984, с. 13811383. (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ НАМАГНИЧЕННОСТИ ПОДРЕШЕТОК ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ДОМЕНОСОДЕРЖАЩЕЙ ФЕРРОМАГНИТНОЙ ПЛЕНКИ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исИзобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при выборе носителей информации для быстродействующих магнитооптических управляемых транспарантов.

Целью изобретения является упрощение способа.

Согласно предлагаемому способу определение намагниченности подрешеток эпитаксиальной доменосодержащей ферромагнитной пленки определяют следующим образом: измеряют ширину полосовых доменов в отсутствии магнитного поля в центре и вблизи краев пленки и по измеренным значениям судят о намагниченности подрешеток эпитаксиальной доменосодержащей ферромагнитной пленки. Измерение ширины полосовых доменов осуществляют на расстоянии от 20-500 мкм от края пленки.

2 пользовано при выборе носителей информации для быстродействующих магнитооптических управляемых транспарантов. Целью изобретения является упрощение способа. Для определения намагниченности подрешеток эпитаксиальной доменосодержащей ферромагнитной пленки измеряют ширину полосовых доменов в отсутствии магнитного поля в центре и вблизи краев пленки и по измеренным значениям судят о намагниченности подрешеток пленки. Измерение ширины полосовых доменов осуществля-! ют на расстоянии 20-500 мкм от краев пленки. 1 з.п. ф-лы.

Сущность предлагаемого способа состоит в следующем. Обычно в запоминающих устройствах (ЗУ) используются пленки, составы которых не обес печивают компенсацию намагниченности подрешеток, т.е. намагниченность тетраэдрической подрешетки больше суммарной намагниченности октаэдрической и додекаэдрической подрешеток.

В ЗУ на основе пленок феррит-гранатов с повышенным гидромагнитным отношением и, как следствие, повышенной скоростью доменных стенок наблюдается обратная ситуация, Экспериментально установлено, что на краю эпитаксиальной структуры (на расстоянии

20-500 мкм) имеет место заметное увеличение толщины пленки, что связано с повышенной скоростью эпитаксиально го наращивания пленки на таком участке за счет б пее интенсивного пере1550584

Формула из об р е тения

Составитель В.Розенталь

Редактор Е.Копча Техред Ме Ходанич Корректор М.Максимишинец

Заказ 277 Тираж 483 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Иосква, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r.Óæãîpîä, ул. Гагарина,!01 ме кивания раствора-расплава на периферии подложки, которая при эпитакси приводится во вращение со скоростью 100-200 об/мин. Увеличение скорости роста пленки феррит-граната всегда сопровождается увеличением коэффициента распределения (Fel т/(ГРе) т + (GaJ т)

;KFe= р 10 (Ре)ж/(jFe)z+ (Gà)ж) где в квадратных скобках указаны концентрации компонетов Ре и Ga в твердой (т) - феррит-гранат и жидкой (я ) — раствор-расплав — фазах соотве1тственно.

; Таким образом, концентрация Fe н периферии пленки всегда выше по с авнению с центральной областью.

0 нако в случае, когда намагниченность тетра-подрешетки больше суммар- 20 н и намагниченности октаэдрической и додекаэдрической подрешеток, увел чеиие (FeJ т пп периферии паиачае и увеличение суммарной намагниченн сти феррит-граната, а следователь- 25 н, и уменьшение периода доменной с руктуры. В обратной ситуации увелич ние fFe "„ т на периферии приводит к уменьшению величины суммарной намагниченности и увеличению периода 30 а доменной структуры.

Таким образом, в случае, когда е рс, - Искус + И дор,ека р РазмеР д мейов на периферии больше по сравн нию с Размерами доменов в центре 35 п6енки и наоборот при M eòра>14октс +

+ Мд, „, т.е. сравнение измеренных периодов позволяет судить о состоянии материала.

Пример. Период доменной структуры Р (ширина полосового домена) измеряли, помещая пленку в поляризационный оптический микроскоп типа MHK-8. Измерения проводили на расстоянии 20-500 мкм от края пленки. Соответствие пленок условию

M.тетрис ) M октд + M додекп провернли по увеличению скорости движения доменных стенок на установке высокоскоростной фотографии.

1. Способ определения намагниченности подрешеток эпитаксиальной доменосодержащей ферромагнитной пленки, основанный на измерении магнитного параметра пленки, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью упрощения способа, измеряют ширину полосовых доменов в отсутствии магнитного поля в центре и вблизи краев эпитаксиальной доменосодержащей ферромагнитной пленки и по измеренным значениям судят о намагниченности подрешеток эпитаксиальной доменосодержащей ферромагнитной пленки„

2. Способ по п. 1, о т л и ч а юшийся тем, что измерение ширины полосовых доменов осуществляют на расстоянии 20 — 500 мкм.от края эпитаксиальной доменосодержащей ферромагнитной пленки.

Способ определения намагниченности подрешеток эпитаксиальной доменосодержащей ферромагнитной пленки Способ определения намагниченности подрешеток эпитаксиальной доменосодержащей ферромагнитной пленки 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на вертикальных блоховских линиях /ВБЛ/

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для ассоциативного поиска информации в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к области вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении магнитных интегральных схем с носителями информации в виде вертикальных блоховских линий

Изобретение относится к вычислительной технике и оптоэлектронике и может быть использовано в быстродействующих магнитооптических транспарантах

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для построения доменных запоминающих устройств

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при контроле параметров материалов для запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах /ЦМД/

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при контроле носителей информации для быстродействующих магнитооптических управляемых транспарантов, при обработке технологии получения эпитаксиальных пленок и в научных исследованиях

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в устройствах памяти на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании устройств хранения информации на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх