Устройство для автоматизированной функциональной настройки гибридных интегральных микросхем

 

Изобретение относится к электронике и может быть использовано при настройке гибридных интегральных микросхем (ГИМС). Цель - повышение точности и сокращение времени настройки за счет предварительной регулировки параметров объекта контроля и настройки перед коррекцией. Она достигается введением в устройство распределителя 13, соединенного с ЭВМ 12 и N-каналами управления и моделирования настройки объекта настройки - ГИМС 2, каждый из которых включает в себя буферный каскад 7 с высоким входным сопротивлением, цифроаналоговый преобразователь 8, двухпозиционный коммутатор 9 и преобразователь 10 напряжение - ток с дифференциальным входом, коммутатора 17 режимов работы. 3 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ соцИАлистических

РЕСПУБЛИК

„„SU„„15521 5 А1 (51)5 С 01 R 31/28

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Фиг!

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

IlQ изОБРетениям и ОтнРытиям

ПРИ П1НТ СССР

1 (21), 4262402/ 24-21 (22) 1 5. 06. 87 (46) 23.03.90. Бюл. К 11 (7 1 ) Таган рог ск ий радио технич е ск ий институт им, В.Д. Калмыкова (7 2) Е .И. Куфлевск ий, В.Д. Гура и Б.Ф. Макаренко (53) 621.317 ° 799 (088.8) (56) Патент Японии 1< - 57-10563, кл. Н 01 С 17/22, G 01 R 17/00, 1982.

Климов А.К., Лопухин В.А ., щеханов Ю.Ф. Регулировка электронной аппаратуры в микроэлектронном исполнении. — Л.: Энергоатомиздат, Ленинградское отделение. 1983, (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ АВТОМАТИЗИРОВАННОЙ ФУНКЦИОНАЛЬНОЙ НАСТРОЙКИ ГИБРИДHblX ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ (57) Изобретение относится к электро2 нике и может быть использовано при настройке гибридных интегральных ми росхем (ГИМС) . Цель — повьяение т< ности и сокращение времени настройки за счет предварительной регулировки параметров объекта контроля и настройки перед коррекцией. Она достигается введением в устройство распределителя 13, соединенного с ЭВМ 12 и п-каналами управления и моделиро-вания настройки объекта настройки—

ГИМС 2, каждый из которых включает в себя буферный каскад 7 с высоким входньм сопротивлением, цифроаналоговый преобразователь 8, двухпоэиционн ый к оммута то р 9 и п реоб ра зова тель

1 0 напряжение — ток с дифференциальным входом, коммутатора 17 режимов работы. 3 ил.

1552135

Изобретение относится к электро )ике и радиотехнике и может быть использовано при настройке гибридНых интегральных микросхем (ГИМС), например избирательных APC-цепей (фильтров, амплитудных или фа зов ых

Корректоров и т.п.) .

Цель изобретения — повышение точ\ ости и сокращение времени настройки эа счет предварительной регулировки параметров объекта контроля и настройки перед коррекцией.

На фиг.1 приведена функциональная схема устройства для автоматизированной функциональной настройки

1интегральных микросхем; на фиг.2 и — фрагменты принципиальной схемы ( гибридной интегральной схемы и подключенные к ним каналы управления и ! моделирования настройки.

Устройство для автоматизированной функциональной настройки гибридных интегральных микросхем (фиг.1)

Содержит источник 1 входных. сигналов, 25 объект контроля и настройки — гибридную интегральную микросхему ГИМС 2, содержащую корректируемые резисторы

3, которые, в свою очередь, могут состоять из двух секций — резисто- Зр ров 4 и 5 — либо из одного резистора 5, корректор 6, каналы моделирования процесса настройки, каждый из которых включает в себя буферный

Каскад 7 с высоким входным сопротив- 35

Лением, цифроаналоговый преобразователь (ЦАП) 8, двухпозиционный . коммутатор 9 и преобразователь 10

Кап ряжение — ток (ПНТ) с диффе ренциальным входом, а также регистр 11 4р буферной памяти, ЭВМ 12, распреде1 итель 13, измерители разности ампЛитуд 14 и фаз 15, эталонный образец ГИМС 16 и коммутатор режимов работы устройства 17, выходы ЭВМ 12 45 соединены с входом источника 1 вход-, ных сигналов и входом корректора 6, выход которого соединен с первыми клеммами для подключения объекта 2 контроля и настройки, измеритель 14 разности амплитуд и измеритель 15 разности фаэ своими выходами соединены с входами ЭВМ, вход эталонного образца 16 соединен с выкодом ЭВМ 12, а выходы соединены с вхоцами распреде55 лителя 13, выход которого соединен с и регистрами 11 буферной памяти по числу каналов управления и моделирования настройки, выход регистра буферной памяти соединен с входом цифроана логов or о и реоб ра зова теля, выход которого соединен с первым входом дв ухпозиционного коммутатора

9, второй вход которого соединен с выходом распределителя 13, а выход с входом преобразователя 10 напряжение — ток с дифференциальным входом, выход которого соединен с вторыми клеммами для подключения объекта контроля, вход буферного каскада

7 соединен с третьими клеммами для подключения объекта контроля, а выход — с вторым входом цифроаналогового преобразователя 8, первый вход коммутатора 17 режимов работы соединен с выходом источника 1 входных сигналов, входом эталонного образца ! 6 и первым входом измерителя 15 разности фаз, выход эталонного образца соединен с вторым входом коммутатора

17 режимов работы, третий выход которого соединен с первым входом измерителя 14 разности амплитуд, второй вход которого соединен с четвертыми клеммами для подключения объекта контроля и вторым входом измерителя разности фаз.

Устройство работает следующим образом.

По команде управляющей ЭВМ 1 2 источник 1 входных сигналов поочередно подает на вход настраиваемой ГИМС 2 напряжения с заранее выбранными частотами, на которых цифровые измерители амплитуд 14 и фаз 15 фиксируют уровень выходного сигнала, либо фазовый сдвиг между входом и выходом

ГИМС 2 (в режиме настройки без эталонного образца) . Полученный таким образом набор отсчетов вводится в ЭВМ 1 2 где на основе сравнения их с расчетными значениями АЧХ (или ФЧХ) вырабатываются значения правых частей системы уравнений, коэффициенты которых заранее заложены в память ЭВМ 12 ° .

В результате решения системы уравнений ЭВМ 12 вырабатывает коды N; тре- буемых для точной настройки ГИМС значений крутизны преобразования

S; ПНТ 10, которые через распределитель 13 поступают в регистр 11 буферной памяти соответствующих каналов моделирования настройки и далее на цифровые входы IJAII 8, На аналоговые входы ЦАП 8 через буферные каскады 7 с высоким входным сопротивлением поступают напряжения U ; снимае5 15 мые с высокоомных по отношению к о6щей шине выводов резисторов 3, и на выходах ЦАП 8 формируются напряжения пропорциональные произведениям П, N

В зав исимости от знаков требуемой коррекции, вырабатываемых ЭВМ 12 и подаваемых через распределитель 13 на управляющие входы двухпозиционных коммутаторов 9, последние подключают выходные напряжения IIAII 8 к инвертирующим либо неинвертирующим входам ПНТ 1 0. Выходные токи ПНТ 1 О,пропорциональные их входным нап ряжениям П„ Ni подаются в отводы резисторов 3, либо в те же точки, откуда снимаются входные напряжения буферных каскадов 7.

При настройке с помощью эталонного образца 16 процесс моделирования настройки выполняется аналогично, отличие состоит „линь в том, что цифровые измерители разности амплитуд

14 или фаз 15 подключаются с помощью коммутатора 17 режимов работы таким образом, что измеряют разность амплитуд (или фаз1 выходных сигналов настраиваемой ГИМС 2 и эталонного образца 16.

Для точной настройки АЧХ (ФЧХ)

ГИМС 2 одного такого цикла моделирования настройки может оказаться недостаточно, поскольку заложенная в

ЭВМ ) 2 математическая модель (порядок и коэффициенты системы линейных уравнений) не может абсолютно точно описывать реальное устройство, поэтому, процесс моделирования настройки повторяется до тех пор, пока не будет достигнута удовлетворительная точность совпадения АЧХ (ФЧХ) ГИМС 2 с расчетной.

Для доказательства работоспособности контура моделирования настройки рассмотрим фиг.2а, где изображен фрагмент принципиальной схемы ГИМС, содержащий подгоняемый резистор R. и подключаемый к нему канал моделирования настройки, условно показанный в виде преобразователя напряжение — ток с управляемой крутизной преобразования S. Резистор.R,. однозначно определяющий регулируемый параметр, может быть выполнен в виде. двух последовательно включенных сек(If ций К и R>, но может и не иметь средней точки, в этом случае выходной ток ПНТ подаетс я в ту же точк у, откуда снимается напряжение, управдя1 +R(-+Y) z

ЗО где R = R,+ R< — сопротивление подгоняемого резистора, частично включающее в себя и сопротивление r.

При подключении ПНТ с крутизной преобразования

35 R U< и 1

1--SR +R(- + Y) Я

R Uf э 7

+ 1

1+R { + Y) z (2) 40

R где R = — — — — эффективное сопро1 — $В. тивление подгоняемого резистора, Таким образом, независимо от величиl ны Z u Y эффективное сопротивление подгоняемого резистора зависит от параметра S ПНТ и при S>0 увеличивается по сравнению с исходным знаФ

gp чением (при $ = 0 R R), а при

S (0 — уменьшается.

В предлагаемом устройстве крутизна S в каждом канале моделирования настройки задается кодом, поступаюЩим на ЦифрОВые ВхОДы ЦАП из уп рав— ляющей ЭВМ через распределитель и регистр буферной памяти, а знак S

{или фаза выходного тока ПНТ по отношению к фазе управдяющего напряже5213 5 6 ющее этим током. Сопротивление г представляет собой эквивалентное coll ротивление других реэистивных элементов ГИМС, которые могут быть

5 включены между выводом резистора RI

1 и общей шиной схемы.

Внешнюю по отношению к подгоняемому резистору пассивную часть ГИМС (имеющую в общем случае комплексный характер проводимости) можно отобразить подключением к более высокоомному по отношению к общей шине выводу резистора R эквивалентного сопротивления Z и про водимости У., как показано на фиг.2б, Здесь К = К

R = R + г; U — напряжение, уйравляющее величиной выходного тока ПНТ;

U — эквивалентный источник напряже1

2О Мия, отражающий наличие в схеме сигналов в режиме функциональной настройки.

При отсутствии ПНТ (или при S = О) напряжения Ug u Ul .связаны соотноше2S кием

1 552135 ния) дв ухпозиционным коммутатором, переключающим выход ЦАП либо к инвертирующему, либо к неинвертирующему входам ПНТ в зависимости от задаваемого 3ВМ через распределитель

5 состояния управляющего входа коммутатора.

Для подтверждения работосп особности контура моделирования в предлагае-10 мом устройстве рассмотрим фрагмент принципиальной схемы ГИМС, содержащий резистивный делитель и подключенный к нему канал моделирования наст-! ройки, условно показанный на фиг.3 в виде ПНТ с управляемой крутизной преобразования S. Пусть коэффициент передачи делителя

Uq K de = (3)

+ Rÿ 20 определяет значение одного из параметров ГИМС. При неточном напылении ! подгоняемых резисторов Ж отличается от расчетного значения, а после подключения канала моделирования настройки выражение (3) принимает вид

Ж= М (1 + SR„), (4)

30 где S †крутизна преобразования ПНТ.

Из соотношения (4) .видно, что изме1 1 нение S в пределах от — — до

Rg R, х(- ) (- — 1) вызывает одновременное изме35 нение е в пределах от 0 до 1 и соотв етственно регулируемого параметра.

После дос тиж ения точной нас тройки всех параметров ГИМС производится 40 коррекция подгоняемых резисторов, причем в рассматриваемом случае для увеличения коэффициента передачи делителя М корректируется R а для уменьшения — резистор R Таким обра- 45 зом, достигается 1007-ный выход годных ГИИС.

Дополнительным достоинством рассматриваемого варианта является повышенная по сравнению с предьдущим ус- g0 тойчивость контура моделирования при его практической реализации. Дело в том, что вследствие неидеальности активных элементов, включенных в канал моделирования (буферный каскад, ЦАП, ПНТ), при подключении входа и, выхода этого канала к одному и тому же узлу ГИМС (что может потребоваться в варианте устройства, если подгоняемый резистор не разделен HB две секции) н нем возможно возникновение паразитных колебаний; во втором же варианте вход и выход канала моделирования настройки всегда разнесены, Формула изобретения устройство для автоматизированной функциональной настройки гибридных интег ральных микросхем, содержащее ЭВМ, соединенную с входом источника входных сигналов и входом корректора, выход которого соединен с первыми клеммами для подключения объекта контроля и настройки, измеритель разности амплитуд и измеритель ра зности фа з, которые своими выходами соединены с входами ЭВМ, эталонный образец, о т л и ч а ю щ ее с я тем, что, с целью повышения точности и сокращения времени настройки гибридных интегральных микросхем, в него введены распределитель, входом соединенный с выходом ЭВИ, а своими выходами соединен с входами и-каналов управления и моделирования настройки объекта контроля, каждый из которых содержит регистр буферной памяти, входом соединенный с выходом распределителя, а выходом с первыми входами цифроаналогового преобразователя, выход которого соединен с первым. входом двухпозиционного коммутатора, второй вход которого соединен с выходом распределителя, а выход — с входом преобразователя напряжение-ток с дифференциальным входом, выход которого соединен с вторыми клеммами для подключения объекта контроля, буферный каскад, вход которого соединен с третьими клеммами цля подключения объекта контроля, а выход — с вторым входом цифроаналогового преобразователя, коммутатор режимов" работы, первый вход которого соединен с выходом источника входных сигналов, входом эталонного образца и первым входом измерителя разности фаз, выход эталонного образца соединен с вторым входом коммутатора режимов работы, третий выход которого соединен с первым входом измерителя разности амплитуд, второй вход которого соединен с четвертыми клеммами для подключения объекта контроля и вторым входом измерителя разности фаз °

l 557) 35 и, $Фр

Фиа2

СВх

И1

Ж я я

ФиаЗ

Составитель Е. Строкань

Редактор В, Бугренкова Техред А..Кравчук Корректор О. Кравцова

Заказ 328 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издатель<.кин комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101

Устройство для автоматизированной функциональной настройки гибридных интегральных микросхем Устройство для автоматизированной функциональной настройки гибридных интегральных микросхем Устройство для автоматизированной функциональной настройки гибридных интегральных микросхем Устройство для автоматизированной функциональной настройки гибридных интегральных микросхем Устройство для автоматизированной функциональной настройки гибридных интегральных микросхем 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано при производстве и контроле твердотельных интегральных схем с изолирующими диодами

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к контролю в производстве интегральных микросхем

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано для контроля электрических /статических и динамических/ параметров и функционирования цифровых логических БИС, в частности схем с эмиттерно-связанной логикой

Изобретение относится к технике контроля качества и надежности радиоэлементов, интегральных микросхем, электронных устройств и блоков и может быть использовано для контроля их статических параметров и функционального контроля

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано для контроля контактирования выводов интегральных схем

Изобретение относится к области контроля изделий электронной техники

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при контроле теплового сопротивления

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть применено для автоматизированного контроля интегральных схем

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и позволяет расширить функциональные возможности устройства

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для выделения из партии интегральных схем (ИС) схемы повышенной надежности

Изобретение относится к области испытания объектов электронной техники, в частности предназначено для отбраковки образцов интегральных микросхем с аномально низкой радиационной стойкостью и надежностью

Изобретение относится к контрольно-испытательной технике и может быть использовано для функционального контроля больших интегральных схем, имеющих выходы с третьим состоянием

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике в микроэлектронике и предназначено для отбраковки запоминающих устройств, имеющих дефектные ячейки памяти

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для диагностического контроля и отбраковки предрасположенных к коррозии интегральных микросхем

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в составе автоматизированных измерительных комплексов для контроля параметров интегральных микросхем

Изобретение относится к микроэлектронике

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для неразрушающего контроля качества объемных интегральных схем

Изобретение относится к контрольноизмерительной технике и может быть использовано при производстве и контроле интегральных схем с диодной изоляцией в процессе испытаний на виброустойчивость и воздействие акустических шумов
Наверх