Устройство для молекулярно-лучевой эпитаксии

 

Изобретение относится к технологии получения интегральных микросхем и обеспечивает упрощение устройства и регулирование угла наклона. Устройство включает вакуумную камеру, в которой размещен подложкодержатель. Подложкодержатель соединен со средствами вращения и наклона. Отличия устройства относятся к выполнению средства наклона, которое позволяет проводить измерения наращиваемого слоя в процессе роста, позволяет регулировать угол наклона в пределах 0 - 5°. 1 ил.

СОВХОЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

„„SU„„1555401

А1 (51)5 С 30 В 23!03

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

flQ ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ П НТ СССР (21) 4303667/23-26 (22) 07. 09. 87 (46) 07. 04, 90. Вюл. 1"- 13 (72) В. В, Ломовой, В. В. Строцкий и Г.Я.Иарошек (53) 621,315.592(038.3) (56) Geng P., РаЫ:е C ., Tacobi 1:.

А multiple technique ШЮ chamber

for the investigation of epitaxially

grovn semiconductor surfaces.

3. Phys Е.: Sci Instrun,, 1976 ° 9, N - 11, р. 924-925. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИОЛЕ1<УЛЯРИО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ

Изобретение относится к технологии получения интегральных микросхем, Белью изобретения является упрощение устройства и регулирование угла наклона подложкодержателя, На чертеже представлено устройство, разрез.

Устройство содержит вакуумную камеру 1, размещенный внутри нее подлажкодержатель, шток 2 которого соединен со средством 3 вращения и средством наклона относительно вертикальной оси. Средство наклона выполнено в виде горизонтальной плиты 4, жестко закрепленной на корпусе камеры 1, и кольца 5, установленного на плите 4.

В кольце 5 размещена сферическая цапфа 6, закрепленная на корпусе 7 штока 2. На плите 4 установлены регулируемые по высоте упоры 8 и 9, В цапфе

6 выполнен паз 10, а кольцо 5 имеет штифт 11, взаимодействующий с пазом

10. Дпя поворота подложкодержателя в (57) Иэобретенне относится к технологии получения интегральных микросхем и обеспечивает упрощение устройства и регулирование угла наклона. Устройство включает вакуумную камеру, в которой размещен подложкодержатель.

Подложкодержатель соединен со средствами вращения и наклона, Отличия устройства относятся к выполнению средства наклона, которое позволяет проводить измерения наращиваемого слоя в процессе роста, позволяет регулироо вать угол наклона в пределах 0-5

1 ил. вертикальной плоскости используют винт 12, Устройство работает следующим об- С разом, Упоры 8 и 9 регулируют по ar соте, при этом в исходном положении фланец

13 взаимодействует с упором 3, а при СЛ повороте корпуса 7 фланец 13 взаимо- Ю действует с упором 9 и обеспечивает Ql наклон подложкодержателя в пределах рфь о

0-5, При проведении измерений выра- (, 1 щиваемого на подложке 14 слоя, не останавливая вращение штока 2, с помощью винта 12 фланец 13 поднимают до взаимодействия с упором 9, при этом штифт 11 перемещается .по пазу 10 сферической цапфы 6 и происходит отклонение ытока 2 вместе с подложкой 14 на необходимый угсп. После проведения измерений ыток 2 возвращают в исходное положение при помощи винта 12 до упора фланца 13 в упор 8, Таким образом, предлагаемое устройство обеспечивает отклонение под1555401 ложкодержателя с одновременным его вращением для измерения параметров наращиваемого слоя, при этом процесс наращивания слоя не прерывается при проведении измерений.

Формула изобретения

Составитель П.Давдова

РЕдаКтор О. Голойач Техред g. Кравчук Корректор М. Кучерявая

Тираж 344?

Заказ 540

Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям прн ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина,101

Устройство для молекулярно-лучевой 10 зпитаксии, включающее вакуумную камеру и подложкодержатель, размещенный в ней на штоке, соединенном со средствами вращения и наклона относитель15 но вертикятт ной оси, о т л и ч а ющ е е с я тем, что, с целью упроще— ния устройства и регулирования угла наклона подложкодержателя, средство наклона выполнено в виде горизонтальной плиты, жестко закрепленной на корпусе камеры, и кольца, в котором установлена сферическая цапфа, закрепленная на ытоке подложкодержателя, на плите установлены регулируемые по высоте упоры, в цапфе выполнен паз, а кольцо имеет штифт, взаимодействующий с этим пазом.

Устройство для молекулярно-лучевой эпитаксии Устройство для молекулярно-лучевой эпитаксии 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к вакуумной технике и может быть использовано в технологии получения тонкопленочных многослойных покрытий

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых соединений типа А3N и может быть использовано при изготовлении эпитаксиальных структур различного назначения

Изобретение относится к полупроводниковой области техники и может быть использовано в молекулярно-лучевой эпитаксии для снижения плотности дефектов в эпитаксиальных структурах

Изобретение относится к оборудованию для производства элементов полупроводниковой техники и, в частности, предназначено для создания полупроводниковых соединений азота с металлами группы A3
Изобретение относится к отжигу алмаза, а именно к отжигу монокристаллического CVD-алмаза

Изобретение относится к усовершенствованному тиглю из нитрида бора и способу его получения

Изобретение относится к оборудованию для получения материалов и многослойных структур полупроводниковых соединений

Изобретение относится к технике нанесения эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений и обеспечивает повышение производительности и качества выращиваемых структур

Изобретение относится к получению тонких пленок методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Изобретение относится к техноло ии полупроводниковых материалов, в частно сти к технологии выращивания многокомпонентных тонкопленочных структур методом молекулярно-лучевой эпитаксии в соер вы соком вакууме
Наверх