Композиция для обработки монокристаллов силленитов

 

1. Композиция для обработки монокристаллов силленитов, содержащая полирующий порошок, травитель и воду, отличающаяся тем, что, с целью повышения стойкости полированной поверхности монокристаллов к мощному лазерному излучению, композиция дополнительно содержит комплексообразователь, например трилон Б, и вещество, предотвращающее гидролиз травителя, например хлорид аммония, а в качестве травителя используют хлорид цинка при следующем соотношении компонентов, мас.%: Полирующий порошок - 0,1 - 5,0 Трилон Б - 0,5 - 5,0 Хлорид аммония - 1,0 - 15 Хлорид цинка - 1,0 - 50 Вода - Остальное 2. Композиция по п.1, отличающаяся тем, что она дополнительно содержит поверхностно-активное вещество, например синтанол, в количестве 0,05 - 0,5 мас.%.

3. Композиция по пп.1 и 2, отличающаяся тем, что она дополнительно содержит стабилизатор суспензии, например оксиэтилцеллюлозу, в количестве 0,1 - 1,0 мас.%.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к изготовлению ферромагнитных монокристаллических изделий для электронной техники, в частности к технологии изготовления сферических резонаторов из монокристаллов феррогранатов
Изобретение относится к обработке кристаллов, а именно к технологии травления кристаллов кварца

Изобретение относится к приборостроению, электронике и радиоэлектронике, может быть использовано в технологических процессах локального травления и позволяет обеспечить анизотропность травления

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов соединений со структурой эвлитина, в частности монокристаллов ортогерманата висмута Bi4Ge3O12, которые широко используются в качестве сцинтилляционных детекторов гамма-излучения, электронов, мезонов и других элементарных частиц в ядерной физике, гамма-астрономии, космических исследованиях, геофизике (гамма-каротаж скважин при разведке месторождений полезных ископаемых), в ядерной медицине (рентгеновская и позитронная компьютерная томография)

Изобретение относится к способам получения кристаллов, а именно к способу получения монокристаллов вольфрамата свинца (далее PWO), и может быть использовано при изготовлении сцинтилляционных элементов, применяемых в детекторах ионизирующих излучений высоких энергий, работающих в условиях высоких дозовых нагрузок в трактах регистрации, требующих высокого временного разрешения

Изобретение относится к способам получения кристаллов, а именно к способу получения монокристаллов вольфрамата свинца, и может быть использовано при изготовлении сцинтилляционных элементов, применяемых в детекторах ионизирующих излучений высоких энергий, работающих в условиях высоких дозовых нагрузок в трактах регистрации, требующих высокого временного разрешения
Наверх