Способ выращивания затравочных кристаллов пентабората калия

 

Способ выращивания затравочных кристаллов пентабората калия, включающий нагрев насыщенного водного раствора и кристаллизацию путем снижения температуры при спонтанном зарождении на кристаллоносце, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллов изометричной формы с развитой поверхностью (001), в качестве кристаллоносца используют вертикальную поверхность, которую помещают в раствор после его нагрева, и выращивание ведут при рН раствора, равном 6-7.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способам обработки активных элементов лазерной и нелинейной оптики и может быть использовано при изготовлении нелинейных элементов на основе монокристалла иодата лития -LilO3 например параметрических преобразователей длины волны лазерного излучения

Изобретение относится к получению высокотемпературных сверхпроводников на основе метаплооксидов и может быть использовано в микроэлектронике

Изобретение относится к получению высокотемпературных сверхпроводников на основе металлооксидов и может быть использовано при разработке новых приборов микроэлектроники

Изобретение относится к получению высокотемпературных сверхпроводников на основе металлооксидоп и может быть использовано при разработке новых приемов микроэлектроники Способ включает нагрев криааплообразующих оксидов и растворителя выдержку попу енного растворарасплава и последующее охлаждение, обеспечивает увеличение размеров фисталлов в кристаллографическом направлении ( 001 Растсоритепь содержит оксид бария и меди в мольном соотношении (0,4 - 0,5) 8аО:СиО

Изобретение относится к способам получения монокристаллов из водных растворов, конкретно кристаллов иодата лития, и позволяет повысить выход годных за счет уменьшения объема фантомной области

Изобретение относится к выращиванию кристалловJ может быть использовано в химической и электронной отраслях про Ф1шленности при производстве кристаллон квантовой электроники и позволяет улучшить,оптическую одиородность кристаллов

Изобретение относится к приборостроению, электронике и радиоэлектронике, может быть использовано в технологических процессах локального травления и позволяет обеспечить анизотропность травления

Изобретение относится к нелинейно-оптическому кристаллу стронций бериллатоборату, способу выращивания нелинейно-оптических монокристаллов бериллатобората и нелинейно-оптическому устройству

Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла трибората лития (LBO)
Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла трибората лития (LBO) и позволяет выращивать крупные кристаллы диаметром 65-70 мм и длиной до 40-45 мм высокого оптического качества без включений и свилей, пригодных для изготовления оптических элементов

Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла двойного цезий-литий бората CsLiB6O10 из раствор-расплава на затравку путем снижения температуры расплава
Изобретение относится к области получения монокристаллов калий титанил арсената KTiOAsO4 (КТА), используемых в лазерной технике в качестве преобразователей частоты лазерного излучения

Изобретение относится к выращиванию синтетических монокристаллов и промышленно применимо при изготовлении ювелирных изделий, а также высокопрочных оптических деталей (небольших окон, линз, призм и т.п.)
Наверх