Высоковольтный диод с резким восстановлением обратного сопротивления
Изобретение относится к полупроводниковой импульсной технике, а именно к полупроводниковым приборам для формирования высоковольтных перепадов напряжения наносекундного диапазона. Целью изобретения является увеличение диапазона длительностей и амплитуд импульсов прямого тока. В основе работы диода лежит физический процесс накопления носителей в слаболегированных слоях на этапе накачки с последующим рассасыванием их на этапе протекания обратного тока. Диод представляет собой полупроводниковую структуру с контактами, содержащую слаболегированный слой, заключенный между сильнолегированными слоями, в которую введен дополнительный слаболегированный слой, расположенный между слаболегированным и одним из сильнолегированных слоев. Тип проводимости дополнительного слоя совпадает с типом проводимости прилегающего к нему сильнолегированного слоя и противоположен типу проводимости слаболегированного слоя. Концентрация легирующей примеси в дополнительном слое и его толщина отвечают определенным соотношениям. Диод является выходным элементом генератора резких перепадов напряжения и может использоваться в сочетании с различными генераторами импульсов накачки без жесткой регламентации их параметров. 1 ил.
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к полупроводниковым приборам, используемым для формирования высоковольтных перепадов напряжения наносекундного диапазона. Целью изобретения является увеличение диапазона длительностей и амплитуд импульсов прямого тока. На чертеже показана структура предлагаемого диода. Диод состоит из омических контактов 1 и 2, к которым примыкают сильнолегированные слои 3 , 4 полупроводника с разным типом проводимости. Между слоями 3, 4 располагаются сильнолегированный слой 5 n-типа проводимости и дополнительный слой 6 р-типа проводимости. В диоде обеспечивается большая скорость восстановления обратного сопротивления при увеличении длительности импульса накачки и уменьшении его амплитуды за счет создания дополнительного слоя. В диоде c таким слоем при накачке неравновесные носители накапливаются одновременно в дополнительном и слаболегированном слоях. При протекании обратного тока образование области объемного заряда у p-n-перехода и связанное с ним медленное повышение напряжения на диоде исключается за счет взаимной компенсации объемных зарядов, идущих через переход встречных потоков электронов и дырок. В диоде с дополнительным слоем р-типа проводимости этот слой играет роль резервуара электронов, которые при протекании обратного тока компенсируют объемный заряд идущих навстречу дырок. Высоковольтный диод может быть изготовлен с помощью эпитаксиальной и диффузионной технологии. П р и м е р. Структура p+-p-n-n+ изготовлена на основе слаболегированного кремния n-типа проводимости с концентрацией примеси (фосфор) 1014 см-3. Дополнительный слаболегированный слой создан путем диффузии быстродиффундирующей примеси (алюминий) с глубокой длительной разгонкой. Поверхностная концентрация алюминия после разгонки 
1017 см-3, а толщина дополнительного слоя d1 = 10-2 см. Оценка для W0031 в предположении линейного распределения примеси дает величину не мене 25 мкм. Сильнолегированный слой р-типа проводимости, полученный путем неглубокой диффузии бора, характеризуется поверхностной концентрацией 1019 см-3 и толщиной d3 = 10-3 см. Сильнолегированный слой n-типа проводимости создан посредство диффузии фосфора на глубину 8
104 см и имеет поверхностную концентрацию на менее 1020 см-3. Толщина слаболегированного слоя n-типа d2 = 10-2 см. Диапазон длительностей и амплитуд импульсов накачки при использовании высоковольтного диода в принципе не ограничен. При импульсах накачки с длительностью больше времени жизни носителей заряда в дополнительном слое неизбежны потери энергии при накачке. Если исключить указанные потери и считать, что время жизни неосновных носителей заряда в дополнительном слое равно 50 мкс, то увеличение длительности импульса накачки и уменьшение его амплитуды может достигать двух порядков.
Формула изобретения
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ДИОД С РЕЗКИМ ВОССТАНОВЛЕНИЕМ ОБРАТНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ, содержащий слаболегированный слой n-типа проводимости, расположенный между двумя сильнолегированными слоями разного типа проводимости, и два омических контакта, отличающийся тем, что, с целью увеличения диапазона длительностей и амплитуд импульсов прямого тока, в него введен дополнительный слой p-типа проводимости, расположенный между сильнолегированным слоем p+-типа проводимости и слаболегированным слоем n-типа проводимости, причем концентрация легирующей примеси в дополнительном слое N1 и его толщина d1 удовлетворяют соотношениям N3 > N1
N2 ; W0031 
d1 d2 , где N2 и d2 - концентрация и толщина слаболегированного слоя соответственно; W0031 - ширина области объемного заряда в дополнительном слое при напряжении лавинного пробоя; N3 - концентрация примеси в сильнолегированном слое n-типа проводимости.РИСУНКИ
Рисунок 1MH4A/MZ4A - Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение на основании заявления, поданного патентообладателем в Патентное ведомство
Дата прекращения действия патента: 12.03.1998
Номер и год публикации бюллетеня: 15-1998
Извещение опубликовано: 27.05.1998
