Способ выращивания монокристаллов хлористого калия
Способ выращивания монокристаллов хлористого калия, включающий плавление шихты с добавкой соединения галогена, имеющего температуру испарения ниже температуры плавления хлористого калия, выдержку расплава и выращивание из него кристалла на затравку, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коэффициента поглощения излучения на длине волны 10,6 мкм, в качестве добавки используют C2F4 в количестве 0,02 - 0,10 мас.%.
Похожие патенты:
Способ выращивания кристалла фторида лития // 1575585
Способ выращивания кристаллов фторида лития // 1565084
Изобретение относится к квантовой электронике и позволяет повысить качество щелочно-галоидных монокристаллов
Изобретение относится к технн- .ке люминофоров на основе монокристаллов фторида кальция, используемых для регистрации поглоп1енньгх доз рентгеновского , гамма-излучения -и другюс видов ионизирующего излучения в медицине , радиационной технике, и обеспечивает увеличение отношения чувствительностей к о( - и J) -излучениям и сн ижение фединга
Способ получения щелочногалоидных кристаллов // 1431392
Изобретение относится к техно-, логни получения материалов для изготовления оптических элементов ИК- техники и позволяет упростить способ получения кристаллов и удалить из камеры .токсичные и агрессивные гйзы Способ получения щелочногалоидных кристаллов включает нагрев Исходного сьфья в герметичной кймере под давлением инертного газа 1-2 атм до расплавления, снижение давления инертного газа до 0,01-0, 2 атм и выращи- ;йание кристалла
Способ получения сцинтилляционного материала // 1429601
Изобретение относится к технологии получения сцинтилляционного материала на основе щелочНо-галоидных монокристаллов , может быть использовано в химической промышленности и обеспечивает улучшение спектрометрических характеристик материала за счет снижения концентрации продуктов неполного сгорания органических примесей
Изобретение относится к получению кристаллов для инфракрасной техники используемых в качестве оптических элементов о Обеспечивает увеличение предела текучести кристаллов при сохранении оптических свойств,
Изобретение относится к устройствам получения информации о состоянии поверхности раздела твердой и жидкой фаз системы кристалл-расплав (раствор) в процессе кристаллизации, предназначено для автоматизации процесса получения монокристаллов кремния, германия, сапфира и т.д
Способ выращивания кристалла фторида лития // 1575585
Способ выращивания кристаллов фторида лития // 1565084
Изобретение относится к квантовой электронике и позволяет повысить качество щелочно-галоидных монокристаллов
Изобретение относится к получению кристаллов для инфракрасной техники используемых в качестве оптических элементов о Обеспечивает увеличение предела текучести кристаллов при сохранении оптических свойств,
Изобретение относится к области квантовой электроники, а именно к технологии получения материала лазерного элемента (ЛЭ), и может быть использовано при создании перестраиваемых по частоте квантовых генераторов, квантовых усилителей, пассивных лазерных затворов и других элементов управления лазерным излучением
Изобретение относится к области квантовой электроники, к способам изготовления оптических элементов лазеров (пассивных модуляторов добротности резонаторов лазеров и активных элементов) на основе щелочно-галоидных кристаллов (ЩКГ) с центрами окраски, и может быть использовано при создании плавно перестраиваемых по частоте оптических квантовых генераторов и усилителей, работающих при комнатной температуре в ближней инфракрасной области спектра
Изобретение относится к способу и устройству для выращивания монокристалла высокого качества
