Способ изготовления магнитодиодов, включающий формирование на лицевой стороне высокоомной полупроводниковой подложки первого типа проводимости инжекционных областей магнитодиодов второго типа проводимости, формирование приконтактных областей первого типа проводимости с повышенной концентрацией примеси и подготовку параметров магнитодиодов по чувствительности путем механической шлифовки обратной стороны подложки, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных за счет повышения точности подгонки параметров магнитодиодов по чувствительности, перед подгонкой на обратной стороне подложки между инжекционными и приконтактными областями поперек продольных осей магнитодиодов локальным травлением создают канавки глубиной 0,1-0,4 толщины подложки с соотношением ширины канавок и расстояния между ними 0,5-2.
Похожие патенты:
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления лавино-пролетных диодов
Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике, а именно к технологии изготовления высоковольтных кремниевых приборов и способам защиты p-n-переходов от влияния внешних зарядов
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в полупроводниковых датчиках и модульных устройствах вычислительных машин
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в полупроводниковых датчиках и модульных устройствах вычислительных машин
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к технологии изготовления фотоприемников и сверхбыстродействующих схем на подложках из антимонида индия
Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении микроактюаторов, микрофонов, полевых транзисторов, электретных элементов и др
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов на основе арсенида галлия
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов на основе арсенида галлия
Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано при изготовлении миниатюрных полупроводниковых магнитодиодов для измерительных устройств, основанных на применении гальвано-магнитных принципов преобразования информации
Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к легированным марганцем тройным арсенидам кремния и цинка, расположенным на монокристаллической подложке кремния, которые могут найти применение в устройствах спинтроники, для инжекции электронов с определенным спиновым состоянием
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для изготовления датчиков скорости потока газа и жидкости в аэродинамике, химии, биологии и медицине
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления многоэлементных ИК-фотоприемников
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может быть использовано для разработки новых более совершенных наноприборов, таких как фотодетекторы, сенсоры, полевые транзисторы, светодиоды и т.д
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полевых транзисторов
