Патент ссср 160428
Подписная группа М 1б3
Л. Д. Циммерман, И. И. Левитан и В. Г. Шульгин
СПОСОБ УДАЛЕНИЯ ЗАДУБЛЕННОИ ПОЛИВИНИЛОВОЙ
ЭМУЛЬСИИ
Время обработки туре
3 — 6 л ин при темпера40 — 70 С.
Предмет изобретения
50 — 200
50 — 100
1 л
Щавелевая кислота
Хлористый натрий
Вода
Кислота щавелевая 50 — 200
Натрий хлористый 50 — 100
Вода 1 л
При фотохимических и фотомеханических процессах создания изображений на металлах, изготовления сложнопрофилированных деталей методом контурного травления и т. д. для удаления задубленной поливиниловой эмульсии используют горячие растворы 200/ —250 0 щелочи или соляной кислоты.
Однако при работе с фольгированными диэлек1риками (изготовление печатных плит) эти растворы ухудшают диэлектрические свойства основания и нарушают прочность сцепления фольги с диэлектриком.
Согласно предложенному способу обеспечивается качественное раздубливание поливиниловой эмульсии. Для этого используют растьор на основе щавелевой кислоты следующего состава (г/л):
Для эмульсий, обработанных при температур=.х ниже 100 †1 С, время раздубливания сокращается до 2 — 1 .иин.
Способ удаления задубленной поливиниловой эмульсии нагретыми кислыми растворами, отличающийся тем, что, с цель|о неизменяемости диэлектрических свойств основы и сохранения хорошего сцепления фольги с подложкой, используют растворы на основе щавелевой кислоты состава (г л);
Похожие патенты:
Изобретение относится к составам композиций для регенерации сеткотрафаретных печатных экранов, полученных с помощью фоторезистов, и может быть использовано в полиграфической, электронной и радиотехнической промышленности
Способ обработки жидкости // 2439641
Изобретение относится к способу обработки жидкости, который включает удаление компонента смолы из жидкости, используемой для отслаивания компонента органической смолы с поверхности подложки
Состав для удаления позитивного фоторезиста // 1653442
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано на завершающей стадии фотолитографии при удалении задубленного слоя фоторезиста с поверхности полупроводниковых пластин и фотошаблонных заготовок
Состав для удаления позитивного фоторезиста // 1734487
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано на завершающей стадии фотолитографии при удалении задубленного слоя фоторезиста с поверхности полупроводниковых пластин и фотошаблонных заготовок
Изобретение относится к составам для удаления фотополимерных слоев с поверхности трафаретных сеток
Способ формирования электронного устройства // 2515340
Изобретение относится к технологии полупроводниковых устройств. В способе формирования электронного устройства удаляют фоторезист с по меньшей мере одной поверхности проводящего слоя с использованием смеси реактивов, которая содержит первый материал самоорганизующегося монослоя и реактив для удаления фоторезиста, таким образом осаждают самоорганизующийся монослой на по меньшей мере одну поверхность указанного проводящего слоя и осаждают полупроводниковый материал на самоорганизующийся монослой, нанесенный на проводящий слой, без озонной очистки проводящего слоя. Техническим результатом изобретения является упрощение способа формирования электронного устройства. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к способу изготовления электрических устройств, содержащему стадии: 1) нанесение изоляционного диэлектрического слоя, состоящего из по меньшей мере одного материала с низкой или ультранизкой диэлектрической проницаемостью, на поверхность подложки, 2) нанесение позитивного или негативного слоя резиста на поверхность изоляционного диэлектрического слоя, 3) подвергание слоя резиста селективному воздействию электромагнитного излучения или корпускулярного излучения, 4) проявление селективно подвергнутого излучению слоя резиста для образования рисунка в резисте, 5) сухое травление изоляционного диэлектрического слоя с использованием рисунка в резисте в качестве маски для образования проводных канавок и/или сквозных отверстий, сообщающихся с поверхностью подложки, 6) выбор по меньшей мере одного полярного органического растворителя (А) из группы, состоящей из: диэтилентриамина, N-метилимидазола, 3-амино-1-пропанола, 5-амино-1-пентанола и диметилсульфоксида, проявляющего в присутствии от 0,06 до 4 мас. % растворенного гидроксида тетраметиламмония (В), массовая доля которого взята, исходя из полного веса соответствующего тестируемого раствора, постоянную интенсивность удаления при 50°C для полимерного барьерного просветляющего слоя толщиной 30 нм, содержащего хромофорные группы, поглощающие дальнее УФ-излучение, 7) обеспечение по меньшей мере одной композиции для удаления резиста, не содержащей N-алкилпирролидона и гидроксиламина и производных гидроксиламина и обладающей динамической сдвиговой вязкостью при 50°C от 1 до 10 мПа·с, измеренной методом ротационной вискозиметрии, и содержащей, исходя из полного веса композиции, (A) от 40 до 99,95 мас. % по меньшей мере одного полярного органического растворителя, выбранного в соответствии со стадией (6) процесса, (B) от 0,05 до<0,5 мас. %, исходя из полного веса композиции, по меньшей мере одного гидроксида четвертичного аммония, и (C) <5 мас. %, исходя из полного веса композиции, воды, 8) удаление рисунка в резисте и травильных шламов с помощью влажного процесса, используя по меньшей мере одну композицию для удаления резиста (7), полученную в соответствии со стадией (7) процесса, и 9) заполнение проводных канавок (5) и сквозных отверстий (5) по меньшей мере одним материалом, обладающим низким электрическим сопротивлением. Также изобретение относится к применению данной композиции. Настоящая композиция способна удалить положительные и негативные фоторезисты и PER одинаковым, наиболее выгодным образом без повреждения поверхностного слоя пластин, рельефных структур пластин и клеевого материала, соединяющего тонкие кремниевые пластины с подложками. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 3 табл., 4 пр.
Изобретение относится к композиции для удаления фоторезиста после ионной имплантации, содержащей: (a) амин, (b) органический растворитель А, и (c) сорастворитель, где содержание воды в композиции составляет менее 0.5 мас. % композиции; амин представляет собой гидроксид четвертичного аммония и присутствует в количестве от 1 до 4 мас. % композиции; органический растворитель А выбран из группы, состоящей из диметилсульфоксида (DMSO), диметилсульфона (DMSO2), 1-метил-2-пирролидинона (NMP), γ-бутиролактона (BLO)(GBL), этилметилкетона, 2-пентанона, 3-пентанона, 2-гексанона и изобутилметилкетона, 1-пропанола, 2-пропанола, бутилового спирта, пентанола, 1-гексанола, 1-гептанола, 1-октанола, этилдигликоля (EDG), бутилдигликоля (BDG), бензилового спирта, бензальдегида, N,N-диметилэтаноламина, ди-н-пропиламина, три-н-пропиламина, изобутиламина, втор-бутиламина, циклогексиламина, метиланилина, о-толуидина, м-толуидина, о-хлоранилина, м-хлоранилина, октиламина, N,N-диэтилгидроксиламина, N,N-диметилформамида и их комбинации; сорастворитель выбран из группы, состоящей из изопропиловых спиртов, изобутиловых спиртов, втор-бутиловых спиртов, изопентиловых спиртов, трет-пентиловых спиртов, этиленгликоля (EG), пропиленгликоля, 1,2-пропандиола, 1,3-пропандиола, 1,2,3-пропантриола, 1-амино-2-пропанола, 2-метиламино-этанола (NMEA), N-этилдиизопропиламина и их комбинации; и количество органического растворителя А и сорастворителя составляет 84, 90-99 мас. %. Также настоящее изобретение относится к способу удаления фоторезиста после ионной имплантации. Техническим результатом настоящего изобретения является получение не содержащей воду композиции для удаления фоторезиста после ионной имплантации. 2 н. и 9 з.п. ф-лы, 2 ил., 5 табл., , 5 пр.
