Патент ссср 160829

 

Cow Coaem x

C0U,ИАЛИС 1 ИЧЕС| ИХ

РеспуБлиК

Класс

40d, 1а, 0IINCAHNE

ИЗОБРЕТЕНИ.Н

K АВТОРСКОМУ СВИЬ,ЕТЕЛЬСТВУ

Ко 160829

МПК

С 22f

Заявлено 06.Ч11.1962 (№ 785811/22-2) ГОСУДАРСТВЕННЫИ

КОМИТЕТ ПО ДЕЛАМ

ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

СССР

УДК

Опубликовано 26.11.1964, Бюллетень № 5

) + lL C !

Подписная группа № 1б

c:;;д,"„ ". ;". ><

A. В. Сандулова, П. С. Богоявленский и М. И. Дронюк

СПОСОБ ВЪ|РАЩИВАНИЯ НИТЕВИДНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ

ГЕРМАНИЯ И КРЕМНИЯ ИЗ ПАРОВОЙ ФАЗЫ температуре 850 — 900 С для кремния и 600 С для германия.

В результате создаваемого перепада температур между частями ампулы в холодном конце ее из паровой фазы выпадает сначала слой поликристаллического осадка, состоящего из многих мелких монокристаллов, а затем на этом слое, как на подложке, вырастают как отдельные монокристаллы, так и сростки и кисти нитевидных монокристаллов. Вследствие концентрации примесей в поликристаллическом слое выращенные нитевидные монокристаллы более чисты, чем исходное вещество. Они имеют чистую, ровную поверхность и значительную механическую прочность.

B настоящее время при выращивании нитевидных монокристаллов металлов и полупроводников из паровой фазы путем термического разложения их галоидов в качестве компонента-растворителя используют в основном йод.

Согласно предлагаемому способу, котсрый отличается тем, что выращивание монокристаллов германия производят при температуре исходного вещества 850 — 900 С и температуре зоны кристаллизации 600 С, а выращивание монокристаллов кремния — при температуре исходного вещества 1150 С и температуре зо ны кристаллизации 850 — 900С, — в качестве компонента-растворителя используют бром, давление паров которого при температуре процесса составляет 3 — 4 атл.

B результате в качестве основного продукта получают нитевидные монокристаллы германия и кремния диаметром 1 — 20 лк с высокой степенью совершенства структуры.

Осуществление способа. Навески исходного германия или кремния и брома помещают в ббльшую часть кварцевой ампулы с перетяжкой. Затем ампулу опускают в жидкий азот, откачивают до давления 10 ил1 рт. ст. и отпаивают. Запаянную ампулу помещают в двухзонную печь так, что часть ампулы с навесками выдерживается при температуре

1150"С для кремния и 850 — 900 С для германия. Давление паров компонента-растворителя при этих температурах составляет 3 — 4 ат,и.

Другой конец ампулы поддерживается при

Предмет изобретения

Способ выращивания нитевидных монокристаллов германия и кремния из паровой фазы с использованием галоида в качестве компонента-растворителя, отличающийся тем, что, с целью получения нитевидных монокристаллов германия и кремния диаметром 1—

20 lfK, выращивание монокристаллов германия производят при температуре исходного вещества 850 †900 и температуре зоны кристаллизации 600, а выращивание монокристаллов кремния — при температуре исходного вещества 1150 С и температуре зоны кристаллизации 850 — 900 С, причем в качестве компонента-растворителя используют бром, давление паров которого при температуре процесса составляет 3 — 4 атлт.

Патент ссср 160829 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов, предназначено для получения нитевидных кристаллов (НК) с воспроизводимыми геометрическими параметрами

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых соединений типа А3N и может быть использовано при изготовлении эпитаксиальных структур различного назначения

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для производства исходного поликристаллического кремния в процессе его осаждения из пара или парогазовой фазы силанов на нагретые основы

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для производства исходного поликристаллического кремния в процессе его осаждения из пара или парогазовой фазы силанов на нагретые основы

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для производства исходного поликристаллического кремния в процессе его осаждения из пара или парогазовой фазы силанов на нагретые основы

Изобретение относится к производству, для управления процессом выращивания монокристаллов из расплава по методу "Чохральского" и может быть использовано в полупроводниковом производстве, для получения монокристаллических слитков германия
Изобретение относится к способам выращивания из расплава монокристаллов германия

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов германия

Изобретение относится к выращиванию из расплава легированных монокристаллов германия в температурном градиенте с использованием нагревательного элемента, погруженного в расплав

Изобретение относится к выращиванию из расплава легированных монокристаллов германия в температурном градиенте с использованием нагревательного элемента, погруженного в расплав, в условиях осевого теплового потока вблизи фронта кристаллизации - методом ОТФ
Изобретение относится к металлургии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения германия с высоким временем жизни неосновных носителей заряда ( н ) и низким отношением времени жизни основных носителей заряда к времени жизни неосновных носителей заряда (К = o / н)

 // 298165
Изобретение относится к электронной и металлургической промышленности, в частности к производству полупроводниковых материалов
Наверх