Патент ссср 161707

 

С0103 СОВЕТСКИХ

СО(1ИАЛИСТИЧЕСКИХ

Г6СПЛЛИК

0IIHCA.HÈE

ИЗОБРЕТЕН(ИЛ

К ASTOPCKOMV СВИДЕТЕЛЬСТВ,и о )(I f g(g

Класс

12гп, 9

» ф

Ф;

/,.! л ", ПК

С 01f

Заявлено l7.VI I.I 962 (№ 789837/23-4) ГОСУДАРСТВЕННЫ И

КОМИТЕТ ПО ДЕЛАМ изОБРетении и ОткРытиЙ

СССР

Опубликовано OI.IV.1964. Б!оллст.нь ¹ 8 ДК

Подписная группа Л 42

В. А. Преснов, Л. Г. Лаврентьева и М. Д. Вилисова

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ

Предмет изсоретения

Известны способы получения пленок арceнида галлия, основанные на использовании эффекта термической возгонки в запаянных ампулах или испарения в вакууме. Однако при осуществлении этих способсв скорость испарения недостаточна, получаемые пленки имеют мелкокристаллическую структуру. КроМЕ ТОГО, НЕВОЗМОЖНО ИЗМЕНЯТЬ 13 Н1 Ж!!ЫХ пределах концентраци1о легир foIIlих пр!!мосей.

Предлагаемый способ получения п..е ок арсенида галлия отличается от известных тем, что возгонку производят в атмосфере паров йода (перенссчпк вещества) при температуре в области источника от 750 до 1000-"С и в ооласти подлоукки — от 600 до 800 С.

Кварцевую откачанную и запаянную ампулу (длина 200 л!!! и диаметр 20 ltilt) с источником арсенида галлия произвольных размеров, подложкой, выбираемой в зависимости от поставленной задачи, и 1 л!г/сл!а йода помещают в печь. Температура в области источника может колебаться от 750 до 1000 С, в области подложки -- от 600 до 800 С, разность температур между источником и подложкОп должна Оыть не менее 150 С, Исто|! I!Iåo.;I может c, IA жllть 110ликристалличес1:.нй арсеl!Ilä Галлия, леГпрова1!1!Ьlй нужной примесью. В 88!3»cia ости от выбранно1 по;1ложк1! КОI!денсат О3." T (3аз.!1I lнь1м. СКОрость

П О л у:1 с 1!и !1 п, 1 е н к и 3 а Г! I C I I T i T 1 0 ) i! I C I I T 13 I II I I I I

iio,1а, которая х;О1ксT н 3:i!е:!яться От 0,0О lc

5 !!г с. и колей.;ется в и 3еделах от 1 до

100»ий час, продолжительность процесса опреде чается Т1эе.>ус 31 .3Й Tci,i!!T !; c!1 Ti, .P!I!Ill.

Сгосоо лпя термической возго: кой в запаянной ампу..е, в ксторой размещены источ1гик арсенпла галлия и подложка, отличающийся тем, что, с целью ускорения процесса и получения пленo! арсеш!да галлия с заданной

1,онцснтрац1;ей! легпр .юще!»! примеси, возгонку проводят в атмосфере Гаров йода прп температуре в област;1 источника от 750 до 1000" С

I3 I 3. O TII II, "IО liliI1 пт 600 zo 800 С.

Патент ссср 161707 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов, предназначено для получения нитевидных кристаллов (НК) с воспроизводимыми геометрическими параметрами

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых соединений типа А3N и может быть использовано при изготовлении эпитаксиальных структур различного назначения

Изобретение относится к тугоплавким соединениям, а именно пиролитическому ромбоэдрическому нитриду бора и технологии его получения методом химического осаждения из газовой фазы

Изобретение относится к области технологии полупроводниковых материалов и приборов, а более конкретно к устройствам для нанесения тонких пленок полупроводниковых соединений и твердых растворов на их основе

Изобретение относится к электронной технике, конкретно к технологии материалов, предназначенных для создании приборов и устройств обработки и передачи информации

Изобретение относится к способу и устройству для разделения монокристаллов, а также устройству для юстировки и способу тестирования для определения ориентации монокристалла, предназначенным для осуществления такого способа
Изобретение относится к получению монокристаллических материалов и пленок и может использоваться в технологии полупроводниковых материалов для изготовления солнечных элементов, интегральных схем, твердотельных СВЧ-приборов

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к способам приготовления атомно-гладких поверхностей полупроводников

Изобретение относится к способу получения малодислокационных монокристаллов арсенида галлия и позволяет увеличить однородность распределения дислокаций в объеме монокристалла

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может найти применение при создании приборов оптоэлектроники и нелинейной оптики, в частности для полупроводниковых лазеров и преобразователей частоты
Наверх