Способ получения л10нокристаллов тугоплавких окислов

 

О П И С А Н И Е 164016

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских социалистических

Республик

1 ласс 12п1, 6

12п, 1

Зависимое от авторского свидетельства ¹â€”

Заявлено 10Х.1962 г. (№ 777813/22-2) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет—

Опубликовано 30.VII.1964 г, Бюллетень № 14

Дата опубликования описания 10.Х.1964

ИПК С Olf

С 01д

Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР

УДК

Авторы изобретения:

Заявитель

Л. А. Сысоев и Я. A. Обуховский

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

ТУГОПЛАВКИХ ОКИСЛОВ

Предмет изобретения

Подписная группа М 42

Для ряда областей современной техники необходимы монокристаллы высокотемпературных окислов: корунда, рутила, окиси магHèÿ, окиси бериллия, а также Mîttокристаллы соединений более сложного состава шпинелей: берилла, андалузита и jp.

Известен способ получения моцокристаллов тугоплавких окислов из расплава, в котором они растворены.

Предложено кристаллизацию монокристаллов тугоплавких простых и сложных окислов вести из многокомпонентных систем на основе криолитов (натриевого, калиевого, литиевого и др.), содержащих либо не содержащих стехиометрический избыток одного из компонентов; Наличие в криолите двух составляющих компонентов — щелочной и кислой— позволяет осуществлять корректировку растворителя, необходимую для получения монокристаллов из материалов, обладающих кислым, щелочным и амфотерным характером.

Предложенный способ обладает следующими преимуществами: он является универсальным, пригодным для получения монокристаллов большого числа простых и сложных окислов и других соединений, растворимых в криолите; выращивание может проводиться при более низких температурах, чем температуры плавления кристаллизуемых соединений; возможно выращивание кристаллов стехиометрического состава; благодаря «безградиентномр> принципу выращивания исключаются термические напряжения в кристаллах и несовершенства кристаллической

5 решетки; возможно выращивание монокристаллов сло>кцых соед|шении; отсутствуloT принципиальные затруднения в получении монокристаллов больших размеров; растворитель не вносит существенных искажений в

N физические и оптические свойства кристаллов; легирующие примеси равномерно распределяются по кристаллу; криолит является технически доступным материалом крупнотоннажного производства, достаточно изу15 ченным в промышленности в качестве растворителя.

Описанное изобретение может быть принято за основу при разработке промышленных способов получения монокристаллов туго20 плавких простых и сложных окислов и других соедипений, растворимых в криолитах для различных областей новой техники (кван— тово-механические генераторы ti усилители), ювелирной промышленности, приборострое25 ния и т. д.

Способ получения монокристаллов туго30 плавких окислов простого и сложного соста164016

Составитель Н, А. Иванова

Редактор В. П. Липатов Техред А. А. Кудрявицкая Корректор О. Б. Тюрина

Заказ 2325)16 Тираж 525 Формат бум. 60X90

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2.

«а, на!1ример рутила, корунда, окиси магния, андалузита и других соединений, растворе|немм исходных окислов в солевом расплаве с последующей кристаллизацией их из насыщенного ими расплава, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью получения монокрнсталлов с заданными электрофизическими свойствами, исходные тугоплавкие окислы вначале . подвергают растворению в расплавленном натриевом, калиевом или литиевом криолите, содержащем или не содержащем стехио5 метрический избыток одного из компонентов криолита, а затем выращивают монокристаллы охлаждением расплава,

Способ получения л10нокристаллов тугоплавких окислов Способ получения л10нокристаллов тугоплавких окислов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к выращиванию синтетических монокристаллов и промышленно применимо при изготовлении ювелирных изделий, а также высокопрочных оптических деталей (небольших окон, линз, призм и т.п.)

Изобретение относится к области материаловедения, в частности к способам получения исходных веществ для композиционных материалов и конструкционной керамики

Изобретение относится к производству синтетических кристаллов, в частности к способам получения кристаллов цинкита, которые являются хорошими пьезоэлектриками, обладающими высоким коэффициентом электромеханической связи, и могут быть использованы в пьезотехнике, акустооптоэлектронике и других областях науки и техники

Изобретение относится к выращиванию искусственных кристаллов (ZnO, SiO2, СаСО3, Al2О3)

Изобретение относится к оптоэлектронике ядерно-физических исследований, а точнее изготовления мощных твердотельных лазеров, работающих в УФ-области спектра

Изобретение относится к нелинейно-оптическому кристаллу стронций бериллатоборату, способу выращивания нелинейно-оптических монокристаллов бериллатобората и нелинейно-оптическому устройству

Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла трибората лития (LBO)

Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла двойного цезий-литий бората CsLiB6O10 из раствор-расплава на затравку путем снижения температуры расплава

Изобретение относится к выращиванию кристаллов

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов, в частности к стадии предподготовки раствор-расплавов или расплавов, т.е
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов сверхпроводниковых соединений для производства устройств сверхпроводниковой электроники

Изобретение относится к области получения монокристаллов, в частности к способу получения раствор-расплавов для выращивания монокристаллов -ВаВ2О4 (ВВО) во флюсе

Изобретение относится к технологиям производства объемных монокристаллов и может быть использовано при управляемом раствор-расплавном выращивании кристаллов веществ, например сложных окислов
Наверх