Способ получения монокристаллов фосфида бора

Авторы патента:

C30B9/12 - солевые растворители, например выращивание из флюсов

C30B29/40 - соединения типа A_IIIB_V

О П И С А Н И Е I67820 изоы итиния

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 02Х11 l.1962 (№ 789513/23) Кл. 12с, 2 с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 05.ll.1965. Бюллетень № 3

Дата опубликования описания 20.III.1965

Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР

Л!ПК В Old

УДК

Авторы изобретения

lO. A. Валов и Н. А. Горюнова

Заявитель

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ФОСФИДА БОРА

Предмет изобретения

Подписная группа № 89

С целью осуществления процесса кристаллизации фосфида бора из раствора, предложен способ, согласно которому шихту, состоящую из фосфида бора и фосфида никеля, нагревают до 1300"С, выдерживают в течение часа при этой температуре, после чего охлаждают вместе с печью. При этом растворителем для фосфида бора является фосфид никеля, который при температуре 1300 С, будучи в расплавленном состоянии, растворяет

10% фосфида бора.

Предлагаемый способ заключается в нагревании навески микрокристаллического BP u

К Р в эвакуированной и отпаянной кварце2 вой ампуле до температуры порядка 1250вЂ”

1300 С, выдержке в течение часа и охлаждении вместе с печью. Получают монокристаллы фосфида бора размером 1,5 им.

Способ получения монокристаллов фосфида бора, отличающийся тем, что, с целью осу)О ществления процесса кристаллизации BP из раствора, шихту,состоящую из фосфида бора и фосфида никеля, нагревают до 1300 С, выдерживают в течение часа при этой температуре, после чего охлаждают вместе с печью.

Способ получения сплава для кристаллических детекторов // 13378

Способ получения сплава для кристаллических детекторов // 13194

Способ создания электронно-дырочных переходов в дендритах полупроводникового антимонида индия // 146049

Способ получения полупроводниковых материалов, содержащих несколько летучих компонентов // 129338

Способ регулирования типа проводимости и электросопротивления антимоната алюминия // 126269

Устройство для подачи паров хлорида галлия при газофазном осаждении соединений а3в5 // 2311498

Изобретение относится к получению полупроводниковых соединений А3В5, используемых для изготовления подложек GaN, GaAs, GaP и др

Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений типа а3b5 // 2327824

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов методом вертикальной направленной кристаллизации и может быть использовано в технологии выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений для получения объемных монокристаллов с высокой степенью совершенства структуры

Способ получения монокристаллов антимонида индия, легированного оловом // 2344209

Изобретение относится к технологии полупроводниковых соединений АIIIВV

Способ получения монокристаллических пластин арсенида индия // 2344211

Изобретение относится к технологии полупроводниковых соединений типа AIIIBV

Способ получения монокристаллов a3b5 // 2400574

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии получения монокристаллов разлагающихся полупроводниковых соединений А3В 5 методом Чохральского, в частности при выращивании монокристаллов фосфидов галлия и индия и арсенида галлия из-под слоя борного ангидрида

Способ получения монокристаллов фосфида индия // 2462541

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии получения монокристаллов фосфида индия методом Чохральского из-под слоя борного ангидрида под давлением инертного газа

Способ получения гетероструктур на основе полупроводниковых соединений // 2064541

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для создания оптоэлектронных приборов, работающих в спектральном диапазоне 0,59-0,87 мкм

Способ выращивания полупроводниковых соединений // 2023770

Изобретение относится к технологии производства материалов электронной техники и может найти широкое применение в технологии получения полупроводниковых соединений, преимущественно группы А3В5

Способ получения широкозонного окна в лазерной гетероструктуре на основе соединений a3b5 и их твердых растворов // 2032776

Изобретение относится к технологии п/п приборов

Магнитный полупроводниковый материал // 2465378

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к легированным марганцем и цинком антимонидам индия, которые могут найти применение в спинтронике, где электронный спин используется в качестве активного элемента для хранения и передачи информации, формирования интегральных и функциональных микросхем, конструирования новых магнито-оптоэлектронных приборов

Нелинейно-оптический кристалл стронций бериллатоборат, способ выращивания нелинейно-оптических монокристаллов стронций бериллатобората и нелинейно-оптическое устройство // 2112089

Изобретение относится к нелинейно-оптическому кристаллу стронций бериллатоборату, способу выращивания нелинейно-оптических монокристаллов бериллатобората и нелинейно-оптическому устройству

Способ выращивания монокристаллов трибората лития // 2112820

Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла трибората лития (LBO)

Способ выращивания монокристалла двойного цезий-литий бората cslib6o10 // 2119976

Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла двойного цезий-литий бората CsLiB6O10 из раствор-расплава на затравку путем снижения температуры расплава

Способ управления процессом кристаллизации и устройство для его осуществления // 2163943

Изобретение относится к выращиванию кристаллов

Способ гомогенизации раствор-расплавов или расплавов при выращивании монокристаллов // 2164561

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов, в частности к стадии предподготовки раствор-расплавов или расплавов, т.е