Электрофотографический материал
Изобретение относится к электрофотографии и позволяет улучшить качество материала для повышения начального потенциала зарядки на единицу толщины слоя, времени его темнового полуспада и устранения усталостности, а также увеличения его долговечности. На низкоомную электропроводящую подложку наносят фоточувствительный слой, состоящий из полимерного связующего и фотопроводника на основе ZN GA<SB POS="POST">2</SB>SE<SB POS="POST">4</SB> толщиной 10-20 мкм. Соотношение полупроводника и связующего составляют 3-5:1. 1табл.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК щ) g G 03 6 5/087
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
rl0 ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
flPff fHHT СССР
{21) 4616876/31-12 (22) 08. 12. 88
{46) 30. 10.90. Бюл. У 40 (71) Институт физики АН АЗССР (72) В.Г. Агаев, Н.И. Ибрагимов, Р.К. Велиев, Б.А. Халилов, З.М.Абута"лыбова и Н.А.Музаффаров (53) 772.93{088.8) 1. (56) Авторское свидетельство СССР . У 4673)5, кл. G 03 G 5/02, 1973. (54) ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ (57) Изобретение относится к области
Изобретение относится к электрофотографическим материалам и может быть использовано дпя регистрации и хранения информации.
Цель изобретения - улучшение качества материала для повышения начального потенциала зарядки на единицу толщийы слоя, времени его темнового полуспада, устранения усталостности, а также увеличение его долговечности.
Электрофотографический материал получают следующим образом. . Пример ы 1-8.Ñíà÷àëà получают соединение ZnGa 99 ° 999X, Se - 99,9999Х. В горизонтально расположенную печь, предварительно нагретую до 1100 С, вводят откачанную до pcl0 3 Ila и запаянную кварцевую ампулу, содержащую навеску исходных компонентов соединения „„SU „„1603335 А ) 2 электрофотографии и позволяет уг;учшить качество материала для повышения начального потенциала зарядки на единицу толщины слоя, времени его темнового полуспада и устранения усталостности, а также увеличения его долговечности. На ниэкоомную электропроводящую подложку наносят фоточувствительный слой, состоящий иэ полимерного связующего и фотопроводника на основе ZnGa .>e+ толщиной 10-20 мкм. Соотношение полупроводника и связующего составляют 3-5:1, 1 табл. ZnGa. Бе в стехиометрическом соотношении. Ампулу располагают так, что" бы треть ее длины выступала иэ печи. После того, как часть ампулы, находящаяся внутри печи, нагреется до температуры-печи, начинает бурно протекать реакция образования соединения, сопровождаемая интенсивным свечением внутри ампулы. При этом пары селена, еще не вступившие в реакцию, конденсируются в холодном оттянутом конце ампулы, снижая давление ее паров и тем самым предотвращая взрыв. По мере протекания реакции ампулу слегка вдвигают вовнутрь печи и в реакционную часть ампулы подают новую порцию селена. Реакция возобновляется с прежней интенсивностью. Таким образом проводят весь процесс до тех пор, пока компоненты полностью не вступают в реакцию. После полного прохождения реакции температуру в о печи повышают до 1170 С {температура 1603335 плавления соединения ZnGa Se< составляет 1160 С). Происходит йереплавка продукта реакции в течение 2 ч, Затем осуществляют медленное охлаждение расплава со скоростью Зо/ч с постоянным температурным градиентом 5О/см. Таким образом получают кристаллические слитки соединения ZnGa При комнатной температуре кристаллов ЕпСафе 10 Ом.см (про(2. водимость а-типа), а отношение темнового и светового сопротивлений при 10 Лк составляет P / I) =5 10 3.. Максимум собственной фоточувствительности находитСя при 540 нм и составляет 2 "10 см /Дж. Оптическая ширина запрещенной зоны равна 2,4 эВ. После этого готовят электрофото- 20 графический материал измельчением порошка кристаллов фотопроводника ЕпСа Бе4 и диспергированием его совместно со связующей средой в шаровой меньнице в течение 1 ч. В качестве 25 связующей среды используют раствор поливинилбутираля марки ПШ в этиловом спирте или полистирол (растворитель бензол), или силиконовый лак К-55 (растворитепь толуол), или акриловый 30 сополимер E-216 (растворитель толуол), Весовое соотношение фотопроводник — связующее берут 3-7:1 соответственно. Однородную суспензию, полученную после процесса диспергирования, накосят на лабораторной поли, вочной машине (методом купающегося валика1 на электропроводящую подложку из обезжиренной и протравленной металлической фольги или электро- 40 проводной бумаги. Подложка может быть жесткой или гибкой и иметь любую толщину. Фоточувствительный слой, содержащий фотопроводник и связующее, имеет толщину 10-24 мкм (см. 45 таблицу). При постоянных значениях времени диспергирования и скорости полива суспензии толщина получаемых слоев задается в основном вязкостью суспензии, зависящей, в свою очередь, от соотношения погружаемых в шаровую мельницу веществ. При постоянных количествах фотопроводника и связующего вязкость суспензии зависит от количества растворителя. Для получения слоев толщиной 1024 мкм в шаровую мельницу погружают 1 г фотопроводника из ZnGa 1,8-3,2 мл растворителя из этилового спирта. Приготовленные слои сушат вначале при комнатной температуре в течение 24 ч, а затем при 100 С 1 ч. В таблице приведены основные электрофотографические параметры и характеристики изготовленных образцов, а также прототипа. Основые электрофотографические па" раметры и характеристики слоев исследуют бесконтактным методом на электрометрической установке с вибрирующим датчиком над поверхностью слоя (в статическом режиме1. Электризацию проводят с помощью блока высокого напряжения БП-13-0,5. Экспонирование белым или монохроматическим светом осуществляют лампой накаливания СИ10-300 или монохроматором VSU2-Р, с применением нейтральных светофильтров и фотозатвора. Энергетическую освещенность монохроматического света измеряют при помощи радиационного термозлемента РТН-30 и прибора Ф116/1. При иследовании кинетики спада потенциала под освещением в качестве индикатора используют запоминающий осциллограф, а спад потенциала в темноте регистрируют подключенным к выходу электрометрического усилителя У2-6 стрелочным прибором или самопишущим устройством. Интегральная фоточувствительность и спектральное распределение определяют по полуспаду потенциала. Толщину фоточувствительного слоя ЭФ материала измеряют микроскопом МИН-8, Усталость ЭФ материала из ZnGa Бе определяют варьированием числа циклов зарядка — засветка после 10 непрерывных циклов. Долговечность электрофотографического материала определяют как отношение фоточувствительности материала через 3 и 6 мес к исходной. Как видно из таблицы, у предлагаемого электрофотографического материала все параметры превосходят прототип: величина начального потенциала на единицу толщины рабочего слоя - . на 65-82%; время темнового полуспада потенциала — в 1,8"3 0 раза; остаточный потенциал в 1,8-3,0 раза. Долговечность материала практически не меняется в течение 6 мес. В результате сравнения данных параметров материала "время темнового полуспа5 1603335 6 )1 !! )! да и остаточный потенциал исходных фоточувствительного слоя, выполненобразцов и через 10 циклов заряд- ного из неорганического Ga Se содерка — aacBerKa ясно, что у предлагае- жащего фотопроводника и полимерного мого материала отсутствует усталость связующего, отличающийся в режиме проведенных испытании. 5 тем, что, с целью улучшения качества Технология производства предлагае- материала для повышения начального мого электрофотографического матерна- потенциала зарядки на ед цу толщла может быть осуществлена на имею- . m слоя времени его темнового полу" 3 щемся оборудовании, спада и устранения усталостности т а также увеличения его долговечности, Формула и э обретения фоточувствительный слой выполнен толщиной 10-24 мкм из фотопроводника Электрофотографический материал, ZnGa Se при соотношении последнего а. -Ф состонщий из низкоомной электРОПРО- 15 к свяэующе у 3-7:1 водящей подложки и нанесенного на нее ! I Величина начальПриме Время теннового полуспада, с Усталость Долговечность Остаточный потенциал ° В отнонне фопроводного потенциала на единицу толлт ь, с О, В Ъ С4 "я + и >! —,с+ 82 Вв 84 вя + ци>п) рабочего слов ° В к язуннее 35 35 О ° 95 40 40 0,95 45 45 0,95 45 . 45 0,95 50 50 0,95 60 60 0,95 60 55 0,95 45 45 0,95 45 35 50 40 65 45 65 45 75 . 50 70 60 60 60 55 45 0,80 0,80 0,85 0,85 0,85 0,85 0,85 0,80 60. 1,3 i>2 1,2 ! ° 2 1,2 l,2 1 ° 2 I ° 3 1>1 1,1 I > I 1,1 1,1 1>1 1 ° 1 1,! 64,0 45 67,5 50 66,6 65 62,9 65 61,9 75 60,8 70 74,1 60 56,4 55 63;О 67,5 66 ° О 63,5 6),4 60,4 73,5 55,8 5:1 5)1 5)1 5)1 5)1 5)1 3) l 7)1 12 17 2l 24 17 1 3 5 7 Про тотнп 36,6 36,6 25 25 . 1!О 110 15 5)! 0 Р Н н е ч ° н и е: Sc - фоточУвствительчость .чеуез 3 иес; S4 - фоточУвствительность чеРез 6 нес; 0 и - нсходнае фоточувствительнос ь ь †скорость теинового спада потенциала через 3 нес) ьа - скоРость темпового ! л+ овала потенциала через 6 нес; ь - исходная скорость темпового спада потенциала! ь — время темпового полуспада через 10 циклов; Пе — остаточ>п>В потенциал через 10 aalu)os ° Составитель Д. Табатадзе Редактор И. Касарда Техред Л.Сердюкова Корректор Э. Лончакова Заказ 3384 Тираж 373 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб>в д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г>ужгороде ул. Гагарина,101
