Способ получения феррогранатовых структур

 

Изобретение относится к технологии получения гранатовых слоев и может быть использовано в производстве магнитных приборов микроэлектроники. Цель изобретения - снижение продолжительности процесса и уменьшение потерь платины. Способ включает нагрев подложки из галлий-гадолиниевого граната до 900-1050°С, ее травление раствором-расплавом, содержащим, мол.%: GD<SB POS="POST">3</SB>GA<SB POS="POST">5</SB>O<SB POS="POST">12</SB> или Y<SB POS="POST">3</SB>FE<SB POS="POST">5</SB>O<SB POS="POST">12</SB> 1-5

B<SB POS="POST">2</SB>O<SB POS="POST">3</SB> 31-35

BAO 30-35

BAF<SB POS="POST">2</SB> 12-14

PBO остальное, в течение 0,3-1,5 мин и последующее выращивание на ней монокристаллического слоя из раствора-расплава, содержащего компоненты граната и растворителя. В сравнении с прототипом способ позволяет снизить продолжительность процесса за счет увеличения более чем в пять раз скорости травления подложки, а также предотвратить заметное растравливание платинового тигля при проведении не менее 200 процессов полирующего травления подложек.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11),(51)5 С 30 В 19/02, 29/28

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

1 (21) 4486456/31-26 .(22) 19.07.88 (46) 07.11.90. Бюл. Р 41 (71) Донецкий государственный универ ситет (72) Н.Г.Иакарова, А.Н.Николаевский, Е.И.Николаев, И.А.Красин и П.В.10щенко (53) 621.315.592 (088,8) (56) Патент Великобритании )"- 1ч32686, кл. В 01 J 1 7/06, l 973. (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕН1И ФЕРРОГРАНАТО ВЫХ СТРУКТУР (57) Изобретение относится к технологии получения гранатовых слоев и может быть использовано в производстве магнитных приборов микроэлектроники. Цель изобретения — снижение. продолжительности процесса и уменьИзобретение относится к технологии получения гранатовых слоев и может быть использовано в производстве магнитных приборов микроэлектроники.

Цель изобретения - снижение продолжительности процесса и уменьшение потерь платины.

Пример 1. В платиновый тигель диаметром 70 мм и высотой

110 мм загружают навески исходных компонентов в соотношении, мол.%; (. 1 Са О I

В,О, 35

ВаО 32

ВаР 14

РЪО 18

2 шение потерь платины. Способ.вклю- чает нагрев подложки из галлий-гадолиниевого граната до 900-1050 С, ее травление раствором-расплавом, содержащим, мол.%: Изса501г или У(ев "1-5; В О 31-35; Вао 30-35; BaF 12"14; РЪО остальное, в течение 0,31,5 мин и последующее выращивание на ней монокристаллического слоя из раствора-расплава, содержаще го ком-поненты граната и растворителя. В сравнении с прототипом способ позволяет снизить продолжительность процесса за счет увеличения более чем в пять раз скорости травления подложки, а также предотвратить заметное (0 растравливание платинового тигля при проведении не менее 200 процессов полирующего травления подложек.

Общий вес загрузки составляет

1100 г. Во второй тигель загружают . исходные компоненты для приготовления раствора-расплава, используемого при выращивании слоев (YEuTmCa)r

x(FeGe<)O,z . Тигли помещают в печь, нагревают до 1100 С и осуществляют гомогенизацию растворов-расплавов в течение 6 ч. В качестве подложки . используют ориентированную в направлении (13 1) пластину галлий-гадолиниевого граната диаметром 30 мм и тол- щиной 0,5 мм. Пластину предварительно полируют алмазным абразивом (крупность зерна 1 мкм), отмывают, закрепляют в платиновом держателе и нагревают до 900 С. При этой температуре

1604871

Составитель А. Лихолетов

Техред Л,Олийнык Корректор И.Эрдейи

Редактор А.Шандор

Заказ 3435 Тираж 347 Подписи ое

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР ! 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r.Óæãoðîä, ул. Гагарина,101 подложку погружают в раствор-расплав, находящийся в первом тигле, и осуществляют. травление подложки со скоростью 30 мкм/мин, Скорость враще ния подложки в растворе-расплаве сос- тавляет 100 об/мин. Через 0,3 мин после начала травления подложку извлекают из первого раствора-расплава и погружают в раствор-расплав, находящийся во втором тигле, при температуре 910 С. Выращивание слоя (YEuTmCa)> (FeGe)>0< проводят в тече-: ние 3 мин при скорости вращения подложки 150 об/мин. Полученный монокристаллический слой имеет плотность структурных дефектов .0,3 см, Подвижность доменных границ в: слое составляет 1200 см/м.ж., а одноосная магнитная анизотропия и намагни- 20 ченность равны соответственно 1,4 х.

К10 зрг/см и 300 Гс.

Н р и м е р 2, Реализация спосо, ба аналогична описанной в примере 1.

Однако раствор-расплав, используе- 25 мый для травления подложки, содержит, мол./:

Y>Fe О,@ . 4

320, 31

ВаО . 30, 3р

BaF 12.

РЪО .. 23 а подложку нагревают до 1050 С и осу-, ществляют травление при этой температуре в течение 1 мин при скорости вращения подложки 300 об/мин.

Плотность структурных дефектов в полученном монокристаллическом слое. не превышает 0,3 см- . Подвижность доменных границ равна 1200 см/м.ж., а одноосная магнитная:анизотропия и намагниченность составляют соответственно 1.,4 ° 10 эрг/см и 300 Гс.

Предлагаемый способ по сравнению с прототипом позволяет в 6 раз уменьшить интенсивность испарения высокотоксичногоо Pbp иэ раствора-расплава, 1тредотвратить заметное растравливание платинового тигля при проведении не менее 200 процессов полирующего травления подложек, повысить скорость травления подложек более чем в 5 раз при сохранении качества получаемых монокристаллических слоев гранатов.!

Формула изобретения

Способ получения феррогранатовых структур, включ ающий травление в платиновом тигле нагретой подложки .из галлий-гадолиниевого граната раствором-расплавом, содержащим Gd>Ga+ и Y>Fe

900-1050о С, в раствор-расплав для травления дополнительно вводят ВаО и BaF при следующем соотношении компонентов, мол.7:

Г Й Са 012 или FeО, В 0 у 31-35

Ва0: 30-35

Вара 12-14

Pb0 Остальное а травление ведут в течение 0,31,5 мин °

Способ получения феррогранатовых структур Способ получения феррогранатовых структур 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии электронного приборостроения и может быть использовано при производстве носителей информации для запоминающих устройств

Изобретение относится к изготовлению ферромагнитных монокристаллических изделий для электронной техники, в частности к технологии изготовления сферических резонаторов из монокристаллов феррогранатов

Изобретение относится к электронной технике и позволяет повысить качество монокристаллов

Изобретение относится к способу получения монокристаллов гадолиний-галлиевого граната и позволяет увеличить выход монокристаллов диаметром до 80 мм за счет уменьшения длины конусной части до 5-15 мм

Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов гадо лииий-гашшевого граната и позволяет увеличить выход годных монокристаллов диаметром 105-110 мм с апот-; ностью дефектов кристаллической структуры i7 см

Изобретение относится к квантовой электронике

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения кремниевых структур, применяемых для изготовления дискретных приборов и интегральных схем
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для производства полупроводниковых приборов и интегральных схем различного назначения

Изобретение относится к монокристаллическим материалам, в частности к эпитаксиальным феррит-гранатовым структурам (ЭФГС) на основе железо-иттриевого граната (ЖИГ), и может быть использовано при разработке и изготовлении малогабаритных планарных сверхвысокочастотных (СВЧ) приборов на поверхностных магнитостатических волнах (ПМСВ)

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может найти применение в промышленности при изготовлении ряда дискретных полупроводниковых приборов (например, тензодатчиков, полевых транзисторов, переключателей, датчиков малых перемещений и других приборов)

Изобретение относится к технологии материалов твердотельной электроники и может быть использовано при изготовлении оптоэлектронных устройств
Наверх