Способ получения алмазоподобных пленок

 

Изобретение относится к микроэлектронике, оптике, физике тонких пленок, может быть использовано, например, для получения защитных покрытий зеркал, обеспечивает получение однофазных, бездефектных пленок, стойких к лазерному излучению. Способ включает распыление мишени из графита импульсным ТЕА CO2 - лазером с плотностью мощности излучения 1107-5108Вт/cм2. Пары осаждают на подложку, расположенную от мишени на расстоянии не менее 10-5 Торр. Получены прозрачные пленки светло-желтого цвета, толщиной . Пленки 5 мин выдерживали излучение Nd-лазера средней мощности 104Вт Вт. 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к микроэлектронике, оптике, физике тонких пленок, в частности к способу получения алмазоподобных пленок, например, для защитных покрытий зеркал. Цель изобретения - получение однофазных и бездефектных пленок, стойких к лазерному излучению. На чертеже показана схема осуществления предлагаемого способа. В вакуумной камере 1 расположена мишень 2, на которую фокусируется луч лазера 3 с помощью линзы 4. Подложка 5 расположена по центру факела 6. Способ получения алмазоподобных пленок реализован распылением графита с помощью импульсного ТЕА СО2-лазера, позволяющего получать плотность мощности на мишени в импульсе лазерного излучения 1107-5108Вт/см2 и энергию в импульсе 1-1,3 Дж в вакуумной камере с рабочим давлением не менее 10-5 торр. Перед началом напыления в камеру помещают мишень 2 из графита и подложку 5, причем мишень располагают под углом 45о к оси лазерного луча, а подложку - параллельно мишени на расстоянии от нее. Результаты сведены в таблицу. Пленки в примерах 1-4 (см.таблицу) получаются рыхлые, черного цвета с дырками после напыления на подложки из плавленого кварца, на полированную поверхность KCl и на скол KCl. Пленки в примерах 5-8 (см.таблицу) получаются прозрачные светло-желтого цвета без микро- и макровключений, но с дефектной областью в виде серпа. Пленки, согласно примерам 9-12 таблицы, являются бездефектными, без включений, о чем свидетельствуют фотографии микроструктуры. Эти пленки имеют аморфную однородную структуру, что подтверждено рентгеновским фазовым анализом. Пленки толщиной 1000 были испытаны на лучестойкость лазерного излучения. Испытания проводили для длины волны 1,06 мкм на импульсном Nd-лазере с длительностью импульса 10 нс и средней мощностью 104 Вт. Пленки выдерживали 5 мин импульсное периодическое лазерное излучение со средней плотностью мощности 107Вт/см2. Это выше на порядок-полтора для пленок металлов такой же толщины. Полученные результаты испытания пленок на лучестойкость дают основание для их использования в элементах лазерной оптики.

Формула изобретения

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АЛМАЗОПОДОБНЫХ ПЛЕНОК путем распыления мишени из графита импульсным лазером и осаждения паров на подложку, отличающийся тем, что, с целью получения однофазных и бездефектных пленок, стойких к лазерному излучению, распыление ведут с помощью ТЕА СО2-лазера с плотностью мощности излучения 1 107 - 5 108 Вт/см2 при расстоянии от мишени до подложки не менее 7 см и вакууме в камере не менее 10-5 торр.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 2-2002

Извещение опубликовано: 20.01.2002        




 

Похожие патенты:

Изобретение относится к кристаллизации алмаза из газовой фазы, и может быть использовано в электронике, приборостроении, лазерной и рентгеновской технике и обеспечивает повышение скорости роста слоев

Изобретение относится к получению высокотемпературных сверхпроводниковых пленочных материалов на основе металлоксидов и может быть использовано при разY-Ba-Cu-0 Super Films prepareted by 1988, работке новых устройств микроэлектроники и полупроводниковой электроники

Изобретение относится к кристаллизации алмаза из газовой фазы, и может быть использовано в электронике, приборостроении, лазерной и рентгеновской технике и обеспечивает повышение скорости роста слоев

Изобретение относится к устройствам для получения полупроводниковых материалов

Изобретение относится к росту кристаллов, конкретно - к получению эпитаксиальных пленок оксидов металлов, обладающих стабильностью термоэлектрических свойств при высоких температурах, и позволяет повысить термическую устойчивость пленок за счет улучшения их структуры до эпитаксиальной

Изобретение относится к области полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов на основе карбида кремния, таких как силовые вентили, лавиннопролетные диоды, силовые транзисторы
Изобретение относится к способу получения эпитаксиальных слоев твердых растворов (SiC)4-x(AlN)x методом сублимации, который обеспечивает получение совершенных слоев заданного состава в интервале х=0,35-0,9 и удешевление процесса

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и приборов

Изобретение относится к затравочному кристаллу для изготовления монокристаллов и к способу для изготовления монокристаллов карбида кремния или монокристаллических слоев карбида кремния

Изобретение относится к области технологии полупроводниковых материалов и приборов, а более конкретно к устройствам для нанесения тонких пленок полупроводниковых соединений и твердых растворов на их основе

Изобретение относится к области технологии получения полупроводниковых тонких пленок многокомпонентных твердых растворов

Изобретение относится к технологии производства тонких оксидных монокристаллических пленок и может быть использовано в оптике

Изобретение относится к области технологии получения многокомпонентных полупроводниковых материалов и может быть использовано в электронной промышленности для получения полупроводникового материала - твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x для создания на его основе приборов твердотельной силовой и оптоэлектроники, для получения буферных слоев (SiC) 1-x(AlN)x при выращивании кристаллов нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия (GaN) на подложках карбида кремния (SiC)
Наверх