Устройство для литья деталей с направленной кристаллизацией расплава

 

1. Устройство для литья деталей с направленной кристаллизацией расплава, включающее керамическую форму, установленную на холодильнике и имеющую расположенные одна над другой полости для детали, стартовую полость и полость для затравочного кристалла, соединенные кристалловодами, отличающееся тем, что, с целью повышения выхода годного литья, в форме выполнена дополнительная стартовая полость в виде канала клиновидного сечения, расположенного между стартовой полостью и полостью для затравочного кристалла, а стартовая полость выполнена в виде канала прямоугольного сечения, расположенного по периметру полости для детали.

2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что дополнительная стартовая полость выполнена в виде кольца.

3. Устройство по пп.1 и 2, отличающееся тем, что нижняя кромка дополнительной стартовой полости выполнена наклонной, а полость для затравочного кристалла расположена под ее нижней точкой.

4. Устройство по пп.1, 2 и 3, отличающееся тем, что внутри кольца дополнительной стартовой полости выполнена полость в виде крестовины из каналов клиновидного сечения, высота которых увеличивается к центру, где расположена полость для затравочного кристалла.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к получению кристаллов и позволяет ускорить процесс

Изобретение относится к лазерной технике и может быть использовано в химической промышленности

Изобретение относится к способу получения монокристаллов сплавов на основе меди, железа и никеля и позволяет повысить выход годных монокристаллов

Изобретение относится к способу получения монокристаллов германата висмута со структурой эвлитина и позволяет сократить длительность процесса и уменьшить загрязнение расплава и кристаллов и коррозию тигля

Изобретение относится к способу выращивания монокристаллов тугоплавких окислов, позволяет повысить их качество и исключить карбидизацию контейнера

Изобретение относится к способам ожжижения и отверждения газов получения криокристаллов: AR, KR, XE, N 2, O 2, CO, CH 4, H 2, NE и др

Изобретение относится к технике выращивания искусственных кристаллов и обеспечивает снижение энергозатрат и повышение производительности

Изобретение относится к лазерной технике , в частности к способам получения кристаллов для изготовления оптических элементов С02-лазеров, и может найти применение в химической промышленности при выращивании кристаллов селенида цинка

Изобретение относится к получению сложных полупроводниковых соединений типа A3B5 и A4B6

Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению и может найти применение в создании высокоэффективных преобразователей на основе полупроводниковых материалов для прямого преобразования тепловой энергии в электрическую, например, в холодильниках, термостатах, агрегатах для кондиционирования воздуха и других устройствах
Изобретение относится к производству монокристаллов корунда и других тугоплавких веществ по методу Вернейля, в частности кристаллов сапфира и рубина с эффектом астеризма, которые иначе называются звездчатыми

Изобретение относится к металлургии, преимущественно к технологии получения литых монокристаллических заготовок из сплавов, содержащих Fe-Co-Ni-Al-Cu-Ti (ЮНДКТ)

Изобретение относится к выращиванию синтетических монокристаллов и промышленно применимо при изготовлении ювелирных изделий, а также высокопрочных оптических деталей (небольших окон, линз, призм и т.п.)

Изобретение относится к области выращивания активированных монокристаллов и может быть использовано при производстве сцинтилляторов, применяемых в приборостроении для ядерных, космических, геофизических исследований, для медицинской и промышленной компьютерной томографии
Наверх