Способ подготовки подложек ниобата лития для фильтров на поверхностно-акустических волнах

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„„SU„„1627601

А1 (5! )5 С 30 В 33 !О, 2Ч130

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Форчхла ило6ретения

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

Н А BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21 ) 4472024 "26 (22 );30.08.88 (1f>) 1;>.02. .31. 1>к>,(,V (i (72 i .=).(. Раков. А.1-:. Ф»доров. ,Ч 1> Че.!к< 5!ян((, .<.1 . jt <, llj)к>нин, .<.И. Раки(ни и . (,.13 (t,Hpife(fl (5;3 (i > I 8 1 ), ) )() (088 8 ) () f ) ), а и н с .Ч, Г I <1 (с . <. (å ã f i t I < > эс! < к т р и к и

Il ро,(с I li(ни ь!(и (>! м,(7 Вриl. <51; .>! и р, I !)8 с 73().

I1Hòåíò 1, 11),Ч 224450, к.! (. 30 13:3;3 00, 1 .381! I В 06 р( !

3<рxí0 Tè чî(10кри< г;!Г(,llfH < ких п<,ь!ожек нио6ат;! лития и чожет 6ыть исll0,! f:30â 3í0

H !роизно (стве ив и.>ий, Jlj)JINNI(н ечы в фИ 7 ЬТР;IХ Н«3 ПО!3Е(ЭХНОС I НО-<МКХС Г И (t »hi(a ВО,(11

ВЫХОД«1 ГО.(il ЫХ 110 (,10ж(К 3«3 (. It 1 > Н(.,7 Ji

H И Я (3 H Н И Х 1»1 >«О И Н Ы Я М 0 и T P H H, l (l I I I 51

J lpI(.5((р /. 10 по;<ложек и 3 i;ï06HòH лития диаметроч 50 чм и толн<ино

06р«130(3т

ll;i п P0(!) JI, 1<)ГP «1(()(-II ОО(() ис! 0(. 0Tptзках. 110.1.!о кку 06ра6атынак>; н I р >ви7(,>(. и 3 КП/, н(>гре! (д>,l<) 240 <., I С:(НИ(1:)О Ч.IН. !10..1 1;1!О! 110H(рХНО» I Ь !. I>< 631II0f3 51чок Гр<3!3Г!енИЯ .)8 I ) мкХ!.

13ы < д !и)дложек н годную п(н)дук!(ию для

I <).!учения фильтров на 1!0H»p íî»TII0-акусти и ских 3<). !нах 100",,, Пр(<.(< )) 2 110 (Г!Ожк(! при! <)THâëèíHê>ò

ht »pt . но и 3 хl (ня к)т ни.l, и ст(lit fit> (t х;!Инне»кой <и>р:!6отки, со»(:IH 7 р:3((ителя, : (vI 1»Р;(Tt j)3 и .IëèT((lüii

<:11(К<в I<).11()(О(3((1 !<).1,1()

Ж l (х 1Ы1()13.А1,7,, 1!1TI!Я . 1, 1Я Фl!,Ь(1) Г1)<)13 1! t I l<)131:1 Ч (1<)<. TI IÎ Л(хх <. 1 ! 11 .<.

j5,!!.Ч 13<), I ИX (57 ) !1л<н>ретен ие 0T110(!(с я h 06pHf)01ht. кристаллон. H именно под.!05к< k ил нио6аТ (! . I НТ ИЯ, Il НОВВОГI Я(. Т ПОВЫС Ii Г Ь ВЫХОД ГО 1НЫХ ПОД 70Ж(.К Л<3 СЧ(Т Х ВЕГIJt<((. НИЯ 11«1 l

11одлож ку иодв< ргают мех аническои обработке до достижения г,!у6ины чнкронеровнос гей 3:30 чкм.;1 тр;!влепи» (уп(»с! н.iftK)T 13 р(>с! !3<>р» на основе фторсо,(ерж;3И((о реагtli7 1 н T(и ни<,30 240 мин. Вы%0.3, (>;fili I x !I«1 iо«кt h III!1,> i !().!!

3 г;36ли!и пр».1 1;>влены .i0. уч»нны(!

«.;>в и(им о(113 0 > (,10(ill i . 06;);! оо! Ки

11л примеров видно, <1 I(Ilp(длilã;iå÷ый сносо6 полноляет полу I

:

10 20(J >1 кч и Ва счет этоГО ИОВыс((г t> их вы-хо.(в ОднуK) продукцик) i() 100!(lip!1 npoи (н<>ястве фильтров на поверхностны; акусти!»сhèx волн

5 !и)со6 110,(ãîòîâhè 110;Ië0æt h !.ооа(,! лития для фи.!ьгрон н(1 1(он< рхно Til<)-акусТИ It СКИХ В0 7(1<3 Х, Нh.7К)Ч «<НИЧ(<(куK) 06р(36отю и трав,! !lilt в раствор» 11«3

ОС Н 0 В ((1) Т О P <: 0 7(P ж <3 Щ (Г 0 P t <3 Г t. I < Т <3, 0 / . i ((<(аюи<шс<я тем, что, (пелен»>он(ппения выХОДЯ ГоднЫХ 110 (.105h h ла »Ч(Т (В(.111 lt ИIIЯ н«3 (f33# 1), f)ивы ям(>к T(7(IВ.7< ни я .10 )О

200 чкч. 0f)j)iif)0Th проно (яг,то д<>сгижения глубины микро<и ровно(г(й 8;30 м(км(, травл< ii»t осун(< ств.(як>т и i («t ((Itt $0

240 чин.

1

1

1 !

) У .) с ( ("

Е оюо оо(о о о ооо

Ю Ю

o o

o o с о

=(G

Х

Б () 1 ш (>>

Е

7 о

< a o

Г) Г.!

1 1 1

Г Г») СГ\ гл) иi ((i

Г) ж

I 1

СО

О > сг> (о г — cc

1 1 1 х — o сг) Г

» х

X со л (Т

Гл\

Г!

I 1 г.> 1 х

I х Z 1 л

F. Ц 1

% а

> Xl ( л х

У о ос оО сг> г!

1

I

1

«со сг> сО ()

1

1

1

I

I

I !

1

1 с")

Л Г> (:)

Г 1

Д

F() о

1 г а о а л

> а

Z

Ъ с»

Ю о

О Г)

Ю Сп г

Д

G (.) о ( о х

1 ра о > со

5х .О сг)

o ) " o

1> х а а х»

1G га о, а л

Г») л

r) с л о х К х

,т. х а о х ( о о, а», а (-> o o (:) с 1

Ю са

Й ()» (т х

Ж ()-") р а о >

Т

»О о

Т л

) . а Р»а т

-т—.О Р х х

I l

;,а а»а г. о со

1J

У х х

J х

D.

У

О сО (»> а > CC) Ю

C l с-),»> с !

CO

C I х и

Б о о

>х >х с о

C х х

I о о

Z х

Cl!

Z х

Г: х г5

Q, со г

Л х

»

Pl г

D. со

Г5

>х >х

O G х

" l б

Z Е

C!) Г» с с г> г3 о (: и Й

У

1O G (о со г < а а

lD )О с о г

У с со r г) У а 1

lD G

У

1а со

Г а

lD с

Г5

У

) со ( а Е со

У аа

У у о

ID о л о о а

Т х г; ()) (» х х (> с (У

У

"-)

Х ,.)

Z х

Г

У

Z со г! а

)о х

G:х

". х о. (0 lO

1) со

У г)

) а о ID

1::

1627601 г3 х и z o а (.: х

Д - 1

».)

Г

Г с

;, х а с о ш

Г» а д

> л .О Д

> х ! 1

>а а. а () (:)> со

1 (>3 Х г.)

X о со о х а х у сс с

J г» г5 х а со

Г» л х а >х !

» (I) G (а

О )

У

G»а х (Q

Ю Г)ОЛ

>О г. ) (л> C)> (,) с)» Ю с(>

CC) г»\

° л О

И х

Г» с. о

Г) 1» о

° л а> а х—

Ь

) а (:) I (О ) (а

« С Х л> 1

Й о х ) î

g3 л

С с с а

Х G Х со с х а хсо 4 о г»

К х

J х а.х л а

1 о о с о о о г» У о а о (со И

I о г 1

1

1

1

I

) 1

»вЂ”

I с >

I

1

1

I

Е

G 1 х ! (б 1

X I !

1

I г

I» о со

ClI о со с

Способ подготовки подложек ниобата лития для фильтров на поверхностно-акустических волнах Способ подготовки подложек ниобата лития для фильтров на поверхностно-акустических волнах 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к изготовлению ферромагнитных монокристаллических изделий для электронной техники, в частности к технологии изготовления сферических резонаторов из монокристаллов феррогранатов
Изобретение относится к обработке кристаллов, а именно к технологии травления кристаллов кварца

Изобретение относится к приборостроению, электронике и радиоэлектронике, может быть использовано в технологических процессах локального травления и позволяет обеспечить анизотропность травления

Изобретение относится к неорганической химии и может быть использовано для химической обработки подложек ниобата и танталата лития

Изобретение относится к исследованию доменной структуры ниобата лития путем химического травления, может быть использовано при изучении реальной структуры монокристаллов

Изобретение относится к обработке кристаллов танталата лития методом травления, в частности к исследованию реальной и доменной структуры кристаллов методам оптической и электронной микроскопии

Изобретение относится к технологии получения сегнетоэлектрических монокристаллов, которые могут быть использованы в пьезотехнике

Изобретение относится к способу получения шихты для выращивания монокристаллов ниобата или танталата лития и обеспечивает уг|1еньшёние отклонения шихты от заданного аехиометрического соотношения и фазового состава

Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов на основе сегнетоэлектрического соединения ортотанталата сурьмы Sb(SbxTa1-x)O4 (x=0,25 моль) и может быть использовано в пироэлектрической, пьезоэлектрической области, а также в химической технологии для создания родственных композиционных материалов

Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов (Sb1-xBix)NbO4 (x = 0,4 моль) и может быть использовано в пьезоэлектрической, пироэлектрической области, а также в химической технологии для создания композиционных материалов различного назначения
Наверх