Способ определения фронта кристаллизации и устройство для его осуществления

 

1. Способ определения фронта кристаллизации при получении монокристаллов, включающий перемещение литейной формы с исходным веществом в фиксированном температурном поле и измерение во времени параметра процесса на разной высоте формы, отличающийся тем, что, с целью облегчения измерений в труднодоступных местах формы, в качестве параметра измерения используют высоту границы твердой фазы, получаемую после расплавления исходного вещества, фиксирования температурного поля и слива жидкой и/или твердожидкой его части.

2. Устройство для определения фронта кристаллизации, включающее литейную форму с полостью для исходного вещества, установленную на кристаллизаторе с возможностью перемещения, размещенные над ним нагреватели с возможностью фиксации на разной высоте и средства измерения параметра процесса, отличающееся тем, что, с целью облегчения измерений в труднодоступных местах литейной формы, в последней выполнен канал, соединенный с полостью при помощи щели, расположенной вдоль канала.

3. Устройство по п.2, отличающееся тем, что, с целью расширения объема измерений за счет определения размеров твердожидкой фазы вещества над фронтом кристаллизации, в форме выполнена дополнительная полость, соединенная с каналом при помощи второй щели, расположенной вдоль канала и с шириной, отличающейся от ширины первой щели.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов и позволяет получать ориентированные кристаллы цепочной или слоистой структуры с низкой степенью деформации

Изобретение относится к технике выращивания искусственных кристаллов и обеспечивает повышение качества кристаллов за счет уменьшения теплоотвода при выходе контейнера из зоны нагрева

Изобретение относится к управлению термодинамическими потоками и может быть использовано при разработке и оптимизации различных массообменных процессов, включая тепломассоперенос в жидкой фазе, плавление и/или кристаллизацию

Изобретение относится к получению кристаллов и позволяет ускорить процесс

Изобретение относится к лазерной технике и может быть использовано в химической промышленности

Изобретение относится к способу получения монокристаллов сплавов на основе меди, железа и никеля и позволяет повысить выход годных монокристаллов

Изобретение относится к способу получения монокристаллов германата висмута со структурой эвлитина и позволяет сократить длительность процесса и уменьшить загрязнение расплава и кристаллов и коррозию тигля

Изобретение относится к способу выращивания монокристаллов тугоплавких окислов, позволяет повысить их качество и исключить карбидизацию контейнера

Изобретение относится к получению сложных полупроводниковых соединений типа A3B5 и A4B6

Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению и может найти применение в создании высокоэффективных преобразователей на основе полупроводниковых материалов для прямого преобразования тепловой энергии в электрическую, например, в холодильниках, термостатах, агрегатах для кондиционирования воздуха и других устройствах
Изобретение относится к производству монокристаллов корунда и других тугоплавких веществ по методу Вернейля, в частности кристаллов сапфира и рубина с эффектом астеризма, которые иначе называются звездчатыми

Изобретение относится к металлургии, преимущественно к технологии получения литых монокристаллических заготовок из сплавов, содержащих Fe-Co-Ni-Al-Cu-Ti (ЮНДКТ)

Изобретение относится к выращиванию синтетических монокристаллов и промышленно применимо при изготовлении ювелирных изделий, а также высокопрочных оптических деталей (небольших окон, линз, призм и т.п.)

Изобретение относится к области выращивания активированных монокристаллов и может быть использовано при производстве сцинтилляторов, применяемых в приборостроении для ядерных, космических, геофизических исследований, для медицинской и промышленной компьютерной томографии
Наверх