Способ очистки ртути

 

Изобретение относится к цветной металлургии, в частности к рафинированию ртути. Целью изобретения является повышение эффективности очистки . Способ осуществляется вертикальной направленной кристаллизацией со скоростью 2-25 мм/ч при этом на жидкую фазу воздействуют вращающимся электромагнитным полем с напряженностью (15-20)-1О3 А/м. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (51)5 С 22 В 43/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АBTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ и

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4671896/02 (22) 03,04.89 (46) 07.04.91. Бюп. Н 13 (72) А.П.Вевиорский, В. H. Èâà Hîâ и О.В.Иосалев (53) 669 . 79 1 (088 .8) (56) Ниссепьсон Л.А., Ярошевский A.Ã.

Коэффициенты разделения при дистплляционной и кристаллизационной очистке ртути. †. Высокочистые вещества, 1987, У 1, с. 51 и 52.

Изобретение относится к получению высокочистых материалов для полупроводниковой электроники.

Целью изобретения является повышение эффективности очистки.

Согласно способу очистки ртути, включающему в ертикал ьную напра вп енную кристаллизацию со скоростью

2-25 мм/ч, на жидкую фазу воздействуют вращающимся эп ектр ома г нитным полем с напряженностью (12-15) 10 А/м

При наложении поля с напряженностью Н = 5000 А/м на ламинарный режим движения в жидкой фазе накладывается турбулентность. В интервале (1520) 10 А/м происходит резкое изменение характера движения уже в пограничном гидродинамическом слое.

Переход через границу, соответствующую критическому числу Рейнольдса при напряженности электромагнитного поля

>15000 А/м, приводит к стабилизации значения эффективного коэффициента разделения.

„„Я0„„164О188 А 1

2 (54) СПОСОБ ОЧИСТКИ РТУТИ (57) Изобретение относится к цветной металлургии, в частности к рафинированию ртути. Цепью изобретения является и овышение эффективности очистки. Способ осуществляется вертикальной направленной кристаллизацией с.о скоростью 2-25 мм/ч при этом на жидкую фазу воздействуют вращающимся электромагнитным полем с напряженностью (15-20) ° 10 А/м ° 2 ил.

Повышение напряженности выше значения 20000 А/м экономически нецелесообр аз но, поскольку эффективность очистки не растет.

При значениях ki менее 15000 А/м эффективность очистки падает, поскольку характер движения жидкости меняется на паминарный и растет толщина пограничного гидропинамического слоя.

Предлагаемый способ позволяет приблизительно на один порядок слив зить значение эффективного коэффициента распределения и повысить глубину очистки ртути, На фиг. 1 показана зависимость

К, си от напряженности электромагнитного поля, на фиг. 2 — зависимость величины эффективного коэффициента распределения от концентрации (примеси меди) для различной напряженности магнитного поля: график 1 при Н = 10 10 А/м, график 2 — при

Н - =17 ..10э А/м.

1640188 формула изобретения

072

ОЛО

О,дб

200 1 7П- тГ ИО- С„ „Я

И!0 >/Р

ХО 100

Фиа1

Составитель К.Дьяконов

Техр ед М. Дидык Корректор С ° вверни

Редактор И.Дербак

Заказ 998 Тираж 380 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035; Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101

Ртуть, предварительно очищенная известным способом, включающим тер» мохимическую обработку и вакуумную ректнфикацию, и подвергнутая финишному кристаллизационному рафинирова5 нию с наложением вращающегося электромагнитного поля, обеспечивает воспроизводимый уровень электрофизических параметров полупроводниковых 10 твердых растворов на основе теллурида ртути.

Способ очистки ртути, включающий вертикальную направленную кристаллизацию со скоростью 2-25.мм/ч, о т— л и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения эффективности процесса очистки, на жидкую фазу воздействуют вращающимся электромагнитным полем с напряженностью (15-20) ° 10 А/м.