Способ выращивания кристаллов иодистого цезия
Изобретение относится к области выращивания кристаллов, конкретно щелочногалоидных кристаллов йодистого цезия, и позволяет уменьшить пластичность кристаллов . В тигле расплавляют шихту соли йодистого цезия. Кристалл вытягивают из расплава на затравку, ориентированную вдоль оси 100 . На лазерных окнах, вырезанных из кристалла перпендикулярно оси роста, достигают предела текучести 1 кг/мм2.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (я)5 С 30 В17/00, 29/12
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ (21) 4650652/26 (22) 05.12.88 (46) 07.05.91. Бюл. М 17 (72) П.Н,Цирульник (53) 621.315.529 (088.8) К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (56) Вильке К.Т, Выращивание кристаллов,—
Л.: Недра, 1968, с.158-165.
Беляев Л.M.. Добржанский Г.Ф., Багдасаров Х.С, Методы выращивания кристаллов из расплава.— Сб.: Рост кристаллов,— М, Изд-во АН СССР, 1964, с.90.
Изобретение относится к выращиванию кристаллов, конкретно к технологии выращивания щелочногэлоидных кристаллов.
Целью изобретения является уменьшение пластичности кристалла.
Пример. Кристалл иодистого цезия выращивают из расплава на затравку произвольного направления. Подшлифовывают несколько участков кристалла, расположенных под произвольными углами по отношению к направлению роста и по фигурам укола, находят плоскость {001}, на которой фигура укола имеет форму креста. Затем параллельно этой плоскости отпиливают пластину, по толщине равную длине затравки — порядка 40 мм, Полученную пластину распиливают перпендикулярно плоскости
{001) на прямоугольные параллелепиды размером 15х20х40 мм. Таким образом пол- . учают затравки, ориентированные вдоль направления <100>.
Ориентированную затравку крепят к кристаллодержателю, охлаждаемому во,, ЖÄÄ 1647045 А1 (54) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИОДИСТОГО ЦЕЗИЯ (57) Изобретение относится к области выращивания кристаллов, конкретно щелочногалоидных кристаллов иодистого цезия, и позволяет уменьшить пластичность кристаллов. В тигле расплавляют шихту соли иодистого цезия. Кристалл вытягивают из расплава на затравку, ориентированную вдоль оси <100> . На лазерных окнах, вырезанных из кристалла перпендикулярно оси роста, достигают предела текучести
1 кг/мм, дой. Рост кристалла осуществляют в воздушной атмосфере в вертикальной муфельной печи из платинового тигеля с расплавом соли иодистого цезия, Печь закрывают керамической крышкой со смотровым окном. Перед началом цикла выращивания соль расплавляют, отжигают при 680 С. Через смотровое окно опускают кристаллодержатель с затравкой под крышку печи. Прогретую в течение 3 — 5 мин затравку опускают до прикосновения с поверхностью расплава. Затравку оолавляют, затем рост кристалла проводят за счет отвода тепла через затравку и поверхность кристалла. Температуру в процессе роста кристалла непрерывно снижают за цикл на 20 С.
Кристаллодержатель с кристаллом в процессе роста вращают со скоростью 8 об/мин. Выращенный кристалл переносят в печь отжигэ, нагретую до 500 С, затем температуру в печи снижают до комнатной со скоростью 20 град/ч. Фиксируют, что полученный таким образом кристалл имеет
1647045
Составитель 8.Безбородова
Техред M.Ìoðãåíòàë Корректор С.Шевкун
Редактор Н. Рогулич
Заказ 1380 Тираж 265 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35. Раушская наб„4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул.Гагарина, 101 ориентацию < 001> по оси роста, диски, используемые в качестве окон для лазеров, вырезанные перпендикулярно оси роста, имеют предел текучести 1000 тlмм, что в четыре раза выше, чем по известному способу.
Формула изобретения
Способ выращивания кристаллов иодистого цезия из расплава на затравку, о т л ич а ю шийся тем, что с целью уменьшения
5 пластичности кристалла, затравку ориентируют в направлении <100>,
