Электрофотографический носитель информации

 

Изобретение относится к электрофотографии и позволяет улучшить качество носителя за счет снижения скорости темнового спада потенциала при увеличении фоточувствительности в диапазоне длин волн 400- 800 нм. На электропроводящую подложку сначала наносят слой аморфного селена, легированного висмутом с возрастающей кон-, центрацией от 0,05 ат.% у п одложки до 5,0 ат,% у поверхностного слоя. Затем на данный слой наносят аморфный селен. 1 табл,

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (st)s G 03 G 5/085, 5/08

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ji 3М

, Д

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4688882/12 (22) 03.05.89 (46) 23.05.91, Бюл. № 19 (71) Специальное конструкторское бюро электрофотографических аппаратов Грозненского производственного объединения

"Оргтехника" и Московский энергетический институт (72) В.М.Котов, P.À,Ñåëèìõàíîâ, А,А.Мкртичан, А.И.Попов, А.В,Каралюнец и Н.Д.Васильева (53) 772.93(088.8) (56) Патент США ¹ 3884688, кл. 96 — 15, 1975.

Заявка ФРГ ¹ 2024863, кл. G 036 5/08, 1973.

Изобретение относится к электрофотографическим носителям информации и может быть использовано в копировально-множительной технике и выводных устройствах к ЭВМ.

Целью изобретения является улучшение качества носителя за счет снижения скорости темнового спада потенциала при увеличении фоточувствительности в диапазоне длин волн 400 — 800 нм.

Пример. Электрофотографический носитель информации изготовляют вакуумным напылением на электропроводящую подложку. На первом этапе в фотопроводниковый слой из аморфного селена вводят висмут путем соиспарения. Температура расплава селена составляет 300 С, а температуру висмута изменяют в диапазоне

600 — 700 С. Это позволяет достигнуть градиентного распределения висмута в селене

О;05 — 5,0 ат,%. Затем испаряют только селен и получают слой аморфного селена, Темпе„„Я3 „„1651266 А1 (54) ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИЙ НОСИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ (57) Изобретение относится к электрофотографии и позволяет улучшить качество носителя за счет снижения скорости темновоГО спада потенциала при увеличении фоточувствительности в диапазоне длин волн 400800 нм. На электропроводящую подложку сначала наносят слой. аморфного селена, легированного висмутом с возрастающей кон-, центрацией от 0,05 ат. у подложки до 5,0 . ат,7 у поверхностного слоя, Затем на данный слой наносят аморфный селен, 1 табл.

В ратура подложки в процессе получения слоев селена составляет 70 С. Толщина легированного висмутом слоя селена 70 мкм, слоя селена 1 — 5 мкм.

Основные электрофотографические характеристики приведены в таблице.

Как видно из результатов, приведенных 0 в табице, скорость темнового спада в 2,5 " Л раза ниже, а величина экспозиции, необходимая для регистрации информации, почти ) в 300 раз меньше по сравнению с известным 01 носителем информации. ос

Формула изобретения

Элеткрофотографический носитель ин° вюзи формации. состоящий из электропроводящей подложки и нанесенных на нее двух фотопроводниковых слоев на основе аморфногоселена. отличающийсятем, что, с целью улучшения качества носителя за счет снижения скорости темнового спада потенциала при увеличении фоточувстви1651266

Составитель В.Шиманская

Техред M.Ìîðãåíòàë Корректор С,Шевкун, Редактор И.Шулла

Заказ 1606 Тираж 296 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 тельности в диапазоне длин волн 400800 нм носителя, фотопроводниковый слой, прилегающий к подложке, легирован висмутом с возрастающей концентрацией от

0,05 ат, у подложки до 5,0 ат. у поверхНОСтного СЛОЯ.