Составной транзистор
Изобретение относится к микроэлектронике . Цель изобретения - уменьшение потребляемой мощности и повышение быстродействия. В составном транзисторе используются пять транзисторов 1-5, диод 6 и резистор 7. При работе образуются два канала прохождения сигнала. В первом канале , состоящем из трех последовательно включенных эмиттерных переходов транзисторов 1-3, происходит эффективное усиление сигнала по току. Второй канал, - состоящий из двух последовательно включенных эмиттерных переходов транзисторов 1 и 4, вспомогательный и служит для управления состоянием транзистора 5. Второй канал начинает проводить ток при меньшей , чем у первого амплитуде входного сигнала. По этой причине транзистор 3 открывается при закрытом транзисторе 5 и закрывается при открытом транзисторе 5. В результате сокращаются длительности переходных процессов открывания-закрывания мощного транзистора 3. Приоткрывании транзистора 3 происходит запирание диода 6 и тем самым отключение транзисторов 1 и 2 от цепи нагрузки. В результате снижается остаточное напряжение составного транзистора, т.е. уменьшается потребляемая мощность и повышается КПД. 1 ил. Ё О ел 00 со 2
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (я)з Н 03 F 3/19
ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4718217/09 (22) 10.07.89 (46) 23.06.91. Бюл, М 23 (72) О.Л.Венедиктов (53) 621,375.026 (088.8) (56) Заявка ФРГ М 3230236, кл. Н 03 F 3/14, 1982. (54) СОСТАВНОЙ ТРАНЗИСТОР (57) Изобретение относится к микроэлектронике. Цель изобретения — уменьшение потребляемой мощности и повышение быстродействия. В составном транзисторе используются пять транзисторов 1-5, диод 6 и резистор 7. При работе образуются два канала прохождения сигнала, В первом канале, состоящем из трех последовательно включенных эмиттерных переходов транзисторов 1-3, происходит эффективное усиление сигнала по току. Второй канал, » . Ж „„1658374 А1 состоящий из двух последовательно включенных эмиттерных переходов транзисторов 1 и 4, вспомогательный и служит для управления состоянием транзистора 5. Второй канал начинает проводить ток при меньшей, чем у первого амплитуде входного сигнала, По этой причине транзистор 3 открывается при закрытом транзисторе 5 и закрывается при открытом транзисторе 5, В результате сокращаются длительности переходных процессов открывания-закрывания мощного транзистора 3. При открывании транзистора 3 происходит запирание диода 6 и тем самым отключение транзисторов 1 и 2 от цепи нагрузки. В результате снижается остаточное напряжение составного транзистора, т,е. уменьшается потребляемая мощность и повышается
КПД. 1 ил.
1658374 рой транзистор 2 в принципе не может находиться в режиме насыщения, т.е. усиленные свойства этих транзисторов изменяются незначительно. Третий транзистор 3 входит в режим насыщения и его остаточное напряжение составляет 0,10,3 В, т.е, на коллекторе составного транзистора остаточное напряжение такое же, кэк у обычных импульсных транзисторов.
Это обеспечивает уменьшение потребляемой мощности и повышает КПД устройств. Кроме того, запирание третьего (мощного) транзистора 3 происходит при насыщенном пятом транзисторе 5, а его отпирание — при закрытом пятом транзисторе 5.
В результате сокращается длительность переходных процессов в режиме переключения, 5
Формула изобретения
Составитель В. Серов
Техред М.Моргентал Корректор Т. Малец
Редактор В. Данко
Заказ 1721 Тираж 472 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35. Раушская наб., 4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в различных усилительных и переключательных устройствах, Цель изобретения — уменьшение потребляемой мощности и повышение быстродействия.
На чертеже представлена принципиальная электрическая схема предложенного составного транзистора.
Составной транзистор содержит первый — пятый транзисторы 1-5, диод 6 и резистор 7.
Составной транзистор работает следующим образом.
При подаче входного сигнала положительной полярности на базу составного транзистора происходит его разделение на два канала. В первом канале, состоящем из трех последовательно включенных эмиттерных переходов первого-третьего транзисторов 1-3, происходит эффективное усиление сигнала, так как первые два транзистора представляют собой составной транзистор с большим интегральным коэффициентом усиления и большим остаточным напряжением между коллектором и эмиттером.
Во втором канале, состоящем из двух последовательно включенных эмиттерных переходов первого 1 и четвертого 4 транзисторов, также происходит эффективное усиление входного сигнала с переворотом его фазы на 180О, что приводит к возможности эапирания пятого транзистора 5, Так как второй канал состоит из двух последовательно соединен ных эмиттерн ых переходов, а первый канал — иэ трех, то второй канал начинает проводить ток при меньшей амплитуде входного сигнала, чем первый. Это приводит к тому, что первый канал начинает проводить ток, когда уже закроется пятый транзистор 5. При насыщении третьего транзистора 3 происходит запирание диода 6, что удерживает первый транзистор 1 от режима насыщения, а втоСоставной транзистор, содержащий первый, второй и третий транзисторы, а также диод, включенный между коллекторами второго и третьего транзисторов, причем коллектор первого транзистора подключен к коллектору второго транзистора, эмиттер первого транзистора — к базе второго транзистора, эмиттер которого подключен к базе третьего транзистора, база первого транзистора, коллектор и эмиттер третьего транзистора являются соответственно базой, коллектором и эмиттером составного трайзистора, отличающийся тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощноти и повышения быстродействия, введены четвертый и пятый транзисторы и резистор, включенный между шиной питания и базой пятого транзистора, коллектор и эмиттер которого соединены с базой и змиттером третьего транзистора, база, коллектор и эмиттер четвертого транзистора подключены соответственно к эмиттеру первого транзистора, к базе и эмиттеру пятого транзистора.
