Способ получения полупроводниковых структур на основе соединений а @ в @

 

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при производстве полупроводниковых структур . Цель изобретения - улучшение планарности и уменьшение плотности дефектов в структуре. Способ включает нагрев исходных компонентов, гомогенизацию полученного раствора-расплава в защитной атмосфере, приведение подложки в контакт с раствором-расплавом в вакууме и последующее эпитаксиальное наращивание слоев на основе соединений А4В в защитной атмосфере Получают структуры с плотностью дефектов менее 103 см .

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

gsI>s С 30 В 19/00,29/46

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И OTKPbITVIAM

ПРИ ГКНТ СССР (Ь.

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К. АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4705405/26 (22) 23.03.89 (46) 30.06.91. Бюл. М 24 (71) Северо-Осетинский государственный университет им. К.Л,Хатагурова (72) M,В.Бестаев. Н,P.Æóêoâ и В.В.Томаев (53) 621.315.592 (088.8) (56) Kasal J., 8assett D.W., Liquid Phase ер1taxlal Growth of PbI y Sny Se. — J.Grist.

Growth,1974, ч. 27, р, 215-220. (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ. СОЕДИНЕНИЙА В

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при получении полупроводниковых структур методом жидкостной эпитаксии из растворарасплава.

Целью изобретения является улучшение планарности и уменьшение плотности дефектов в структуре.

Пример, Получение эпитаксиальных структур PbTe-Pbo,в$по,2Те осуществляют в лабораторных условиях. Для получения эпитаксиальных структур PbTe-Pbo,aSno2Te монокристаллическую подложку РЬТе, ориентированную по плоскости (100) и исходные компоненты Pb, Sn, Те, взятые в соотношениях согласно диаграмме состояния для выбранной температуры эпитаксии

600 С, помещают в графитовую лодочку. Систему нагревают в потоке чистого водорода. до 600 С и выдерживают при этой температуре в течение часа для достижения полной

„„5Q„„1659536 А1 (57) Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при производстве полупроводниковых структур, Цель изобретения — улучшение планарности и уменьшение плотности дефектов в структуре. Способ включает нагрев исходных компонентов, гомогенизацию полученного раствора-расплава в защитной атмосфере, приведение подложки в контакт с раствором-расплавом в вакууме и последующее эпитаксиальное наращивание слоев на основе соединений А В в защитной атмосфере. Получают структуры с плотностью дефектов менее 10 см гомогенизации раствора-расплава. Использование чистого водорода способствует удалению окисной пленки с поверхности раствора-расплава и подложки. Затем прекращают подачу водорода и в системе создают вакуум. При достижении вакуума

10 -10 мм рт.ст. раствор-расплав приво-3 -4 дят в контакт с подложкой. После этого в системе вновь восстанавливают поток водорода и снижают температуру со скоростью

0,05 С/мин.

В результате получены структуры PbTePbo,aSno,2Te. у которых высота микронеровностей границы раздела не превышала

0,3 мкм, на границе раздела не было включений в виде пузырей и пустот, а плотность

3 -2 дефектов составляла меньше 10 см .

Вакуум в системе позволяет удалить газ, адсорбированный поверхностью подложки и растворенный в растворе-расплаве.

В момент контакта раствора-расплава с

1659536

Формула изобретения

Составитель Е.Лебедеве

Редактор О,Спесивых Техред М.Моргентэл Корректор О.Крэвцова

Заказ 1823 Тираж 266 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушскэя нэб., 4/5

Производственно-издательские коибинат."Патент", т. Увггород, ул.Гагарина, 101 подложкой гэз не зэхвэтыввется рэсплавом, что обеспечивает нэ границе раздела подложки и зпитэксиэльного слоя отсутствие включений, способюствует улучшению плэнэрности границы раздела.

Использование предлагаемого способэ жидкостной зпитэксии полупроводниковых структур позволяет улучшить плэнэрность . структур в 3-4 раза зэ счет улучшения смэчиваемости подложки раствором-рэсплэвом и снизить плотность посторонних включений и дефектов в зпитэксиэльной структуре в 10-12 рэз.

Способ получения полупроводниковых структур нэ основе соединений А В, включа5 ющий нагрев исходных компонентов, гомогенизэцию полученного раствора-расплава, приведение подложки в контэкт с растворомрэсплэвом и зпитаксиэльное наращивание в защитной атмосфере, отл и ч э ю щи и ся

10 тем, что, с целью улучшения плэнэрности и уменьшения плотности дефектов в структуре. контакт подложки с раствором-рэсплэвом проводят в вакууме.