Травитель для ниобата бария-стронция

Авторы патента:

C30B29/30 - ниобаты; ванадаты; танталаты

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковой технологии, и может быть использовано для стравливания слоев сегнетоэлектриков, конкретно ниобата бария-стронция. Цель изобретения улучшение качества поверхности ниобата бария-стронция в виде пленки на кремниевой подложке. Для этого используется травитель, содержащий фтористоводородную (HF)j серную (H2S04) и соляную (НС1) кислоты при следующем соотношении компонентов, об.%: HF 25-80; НС1 10-35; . 10-50. Травлению подвергались пленки ниобата бария-стронция, полученные методом ВЧ-плазмеиного распыления , толщиной 1-2 мкм. Травление проводится при 20-60°С со скоростью не ниже 0,1-0,2 мкм/мин. Монокристаллический кремний и полнкристаллический кремний, на которых сформирован слой ниобата бария-стронция , при этом .не травятся. 1 табл. Ш СЛ

СОЮЗ СОВЕТСНИН

СОЦИЛЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСГУБЛИН

Al (51) 5 С 30 В 33/08, 29/30

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ

К ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУД4РСТБЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ Гкнт СССР (46) 23.09.92. Бюл. - 35 (21) 4756335/26 . (22) 03;10.89 (71) Научно-исследовательский институт "Восток" (72) С.Ф,Девятова (53) 621.315.592 (088,8) (56) Ito Y. Furuhata J. Dislocation

etch pits in strontium - barium niobate. "Phys status solidi(a)" 1974,.

° °, Р 1, 147-153.

54) TPABHTEJlb ДЛЯ НИОБАТА БАРИЯСТРОНЦИЯ (57) Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковой технологии, и может быть использовано для стравливания слоев сегнетоэлектриков, конкретно ниобата бария«стройция. Цель изобретениявЂ”

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковой технологии, и может быть использовано для стравливания слоев сегнетоэлектриков, а именно ниобата бария-стронция.

Цель изобретения вЂ” улучшение качества поверхности ниобата барилстронция в вице пленки на кремниевой подложке.

При изготовлении устройств на их основе необходимо стравливать толстые слои, так как слои ниобата бария-стронция проявляют сегнетоэлектрические свойства при толщннах м 2-3 мкм.

Травитель, используемый для синтия указанных слоев, содержит,об.%:

„„Я0„„1660407 улучшение качества поверхности ниобата бария-стронция в виде пленки на кремниевой подложке. Для этого используется травитель, содержащий фтористоводородную (HF) серную (Н ЯО ) и соляную (НС1) кислоты при следующем соотношении компонентов, об.7.: HF 25-80; НС1 10-35; Н $0

10-50. Травлению подвергались пленки ниобата бария-стронция, полученные методом ВЧ-плазменного распыления, толщиной 1-2 мкм. Травление проводится при 20-60 С со скоростью не ниже 0,1-0,2 мкм/мнн. Монокристаллический кремний и поликристаллический кремний, на которых сформирован слой ниобата бария-стронция, при этом,не травятся. 1 табл. Фтористоводородную кислоту 25-80

Соляную кислоту . 10-35

Серную кислоту . 10-50

Для экспериментальной проверки предлагаемого состава приготовляют смеси, которые получают смешиванием указанных ингредиентов. Травление осуществляют в следующей последовательности.

1) Приготовление травителя. Сначала в выбранных соотношениях смешивают серную, фтористо-водородную кислоты, потом постепенно добавляют соляную кислоту. Полученный раствор постепенно доводят до требуемой температуры 20 вЂ” 60 С.

1660407 Р

O евевюе ее

t-8 и 10-

25-80

10-35

10-50

1 HP

HCl

Н 80

° вЮ

2 HF

HCl

0,4

Зерен осадка нет, чистая поверхность

Зерен 0,3-0,6 икм на площади 10> ф

0,2

2) Травление. Подготовленную для обработки ппастину выкладывают в открытый 19торопластовый стакан, заливают слоем травителя толщиной 12 си и при перемешинании выдерживают в течение времени, предварительно определенного по контрольному образцу.

3) Прекращение травления. По окон- 10 чаиии -необходимого времени образец вынимают из.травителя, тщательно промывают под струей деиониэонанной во" ды с обеих сторон.

4) Сушка. Тщательно отмытую плас- !5 тину cymar либо под струей осушенно-. го воздуха илп инертного газа либо цеитрифугиронаниеи, П р и и е р. Пластину монокристаллического кремния с сформированным слоем ниобата барил-стронция высушивают до постоянного веса на мик. роаиалитических весах с точностью (5 103 ° 1О" г, травят i HF НС1

: В 80 по приведенной выше методи- .25 ке. Снова взвешивают и по убьши в весе рассчитывают среднюю скорость травления где фр -,скорость транления,мкм/мин, . Ь Р - потеря s весе, r

1 - плотность растворяемого вещества, r/cè, равная в частности,%;4 г/см, 8 - площадь образца, см ., и .- время травления, мин, Подбор травителя осуществляют таким образ@и, чтобы скорость травлеаия ве была ниже 0,1-0,2 мки/мин и .на поверхности ие оставалось налета.

В таблице приведены значения скорости растворения слоев ниобата бария-стронция для различных соотношений компонентов. Травлению подвергали пленки ниобата бария-стронция, полученные методом ВЧ-плазменного распыления, толщиной 1-2 мки.

Из таблицы видно, что скорость травления в транителях, содержащих большое количество серной кислоты, черезвычайно низка, а при малом со- . держании соляной кислоты на поверх1 ности остается нерастворимый налет, содержащий, как показал рентгеновский микроанализ, повышенное количество бария и стронция по сравнению с исходным образцом.

Другие отклонения содержания. койпонентов за граничные пределы не дают положительных результатов.

Предлагаемый травитель вписынается в маршрут изготовления, так как монокристаллический и лоликристаллнческий кремний не травятся и этом . травителе.

Ф о р и у л а и з о б р е т е и и я

",Травитель длп ниобата бария-стронция, содержащий фтористоводородную кислоту., отличающийся теи, что, с целью улучшения качества поверхности ниобата бария-стронция в ниде пленки на кремниевой подлож" ке, он дополнительно содержит серную. и соляную кислоты при следующем соотношении компонентов, об.Х!

Фтористоводородная кислота

Соляная кислота

° Серная кислота б

Продолжение таблицы

1660407 х 10 мкм 30 щтук, "Иуть" на поверхности

Н яо

Зерен нет, чистая поверхность

3 HF

НС1 н во, Ф аФ юю

4 HP

НС1

H SO+

0,2

0,005 Травления практически нет

5 HF

НС1

Н э804

0,2, Зерен нет, чистая поверхность

6 HF

НС1

На804 .

0,15

Поверхность чистая, эерен нет

0,009 Травления нракти-, чески нет

1О

80 .

7 BF

НС1

8 504

0,004

80.

8 НР

ВС1

HÄSO4

То ае

Составитель Е.Писарева

Редактор Т.Горячева Техред C.Ингунова Корректор И, Эрдели

ЮЮ

Ю Ю тевье

Заказ 4060 Тира к . Подписное

УЧИМ Государственного комитета по иэобретениян и открытиям при ГЕНТ CCCP.

113035, Иосква, В-35, Рауаская наб., д. 4/5

Orts%\ &

Проиэводственно-иэдательский комбинат "Патент" ° г.Ужгород, ул. Гагарина,101

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов стибио-танталата калия и может быть использовано в пъезотехнике

Способ сухого травления ниобата лития // 1638222

Изобретение относится к области электроники, в частности к методам изготовления приборов на твердом теле с использованием ниобата лития

Способ подготовки подложек ниобата лития для фильтров на поверхностно-акустических волнах // 1627601

Состав для травления // 1594222

Изобретение относится к неорганической химии и может быть использовано для химической обработки подложек ниобата и танталата лития

Способ травления монокристаллов ниобата лития // 1583479

Изобретение относится к исследованию доменной структуры ниобата лития путем химического травления, может быть использовано при изучении реальной структуры монокристаллов

Способ травления кристаллов танталата лития // 1583478

Изобретение относится к обработке кристаллов танталата лития методом травления, в частности к исследованию реальной и доменной структуры кристаллов методам оптической и электронной микроскопии

Способ выращивания монокристаллов l @ т @ о @ // 1562363

Изобретение относится к технологии получения сегнетоэлектрических монокристаллов, которые могут быть использованы в пьезотехнике

Способ получения крупногабаритных монокристаллов ниобата лития // 1468025

Способ получения шихты для выращивания монокристаллов ниобата или танталата лития // 1275931

Изобретение относится к способу получения шихты для выращивания монокристаллов ниобата или танталата лития и обеспечивает уг|1еньшёние отклонения шихты от заданного аехиометрического соотношения и фазового состава

Станнат-ванадат висмута и способ его получения // 1155630

Способ получения монокристаллов твердых растворов ортотанталата сурьмы // 2109856

Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов на основе сегнетоэлектрического соединения ортотанталата сурьмы Sb(SbxTa1-x)O4 (x=0,25 моль) и может быть использовано в пироэлектрической, пьезоэлектрической области, а также в химической технологии для создания родственных композиционных материалов

Способ получения монокристаллов твердых растворов на основе ортониобата сурьмы // 2113556

Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов (Sb1-xBix)NbO4 (x = 0,4 моль) и может быть использовано в пьезоэлектрической, пироэлектрической области, а также в химической технологии для создания композиционных материалов различного назначения

Способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого ниобата (la3ga5,5,nb0, 5o14) // 2160796

Изобретение относится к твердофазному синтезу шихты для выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а более конкретно к способу твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого ниобата методом Чохральского

Способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата (la3ga5,5ta0, 5о14) // 2160797

Изобретение относится к твердофазному синтезу шихты для выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно к способу твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата методом Чохральского

Способ и устройство для выращивания монокристалла высокого качества // 2209860

Изобретение относится к способу и устройству для выращивания монокристалла высокого качества

Устройство для получения монокристалла (варианты), способ получения монокристалла (варианты) и монокристалл (варианты) // 2215070

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов

Способ получения пьезоэлектрических монокристаллов с полидоменной структурой для устройств точного позиционирования // 2233354

Изобретение относится к области получения монокристаллов сегнетоэлектриков с сформированной доменной структурой и может быть использовано при создании и работе приборов точного позиционирования, в частности зондовых микроскопов, а также при юстировке оптических систем

Монокристалл со структурой галлогерманата кальция для изготовления дисков в устройствах на поверхностно-акустических волнах и способ его получения // 2250938

Изобретение относится к производству акустоэлектронных частотно-избирательных устройств на поверхностных акустических волнах

Способ получения шихты для выращивания монокристаллов на основе оксидов редкоземельных, рассеянных и тугоплавких металлов или кремния // 2296824

Изобретение относится к химической технологии композиционных материалов

Устройство для выращивания монокристаллов оксидов тугоплавких металлов // 2320790

Изобретение относится к области выращивания оптических кристаллов, предназначенных для применения в оптоэлектронных приборах

Способ профилирования тугоплавких и химически стойких материалов // 2252280

Изобретение относится к способам термохимического травления тугоплавких химически стойких материалов, в частности к методам локального травления их поверхности, например, с использованием локального лазерного облучения