Травитель для эпитаксиальных пленок на основе железоиттриевого граната

 

Изобретение относится к химическим соединениям и предназначено для прецизионного травления эпитаксиальных пленок на основе железоиттриевого граната. Изготавливаемые путем травления из данных пленок элементы необходимой конфигурации используются в устройствах радиотехники , таких как гиромагнитные фипьтры, линии задержки и т.п. Целью изобретения является повышение скорости травления при обеспечении высокого качества границ селективно вытравливаемых элементов. Для достижения цели используется травитель, содержащий концентрированную азотную кислоту и ортофосфорную кислоту в соотношении 5 и 95 мас.% соответственно . Травление проводится при температуре около 175 °С. При этой температуре азотная кислота разлагается с выделением двуокиси азота, что обуславливает повышение скорости травления эпитаксиальных пленок толщиной 20 мкм до 3-4 мкм/мин. При превышении данной концентрации азотной кислоты скорость травления возрастает еще более, но при этом начинает ухудшаться качество границ вытравливаемых элементов.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)5 С 30 В 33/08, 29/28

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4766331/26 (22) 19,10,89 (46) 07.10.91, Бюл. ¹ 37 (72) Р.П.Мальцева (53) 621.315.592(088,8) (56) ЫсИ S,J. Technique for controlled

adjustment of bubble collapse field ln

epitaxial garnet films by etching. — J. Electron.

Mater, 1975, 4, ¹ 4, р. 757 — 768, (54) ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ

ПЛЕНОК НА ОСНОВЕ ЖЕЛЕЗОИТТРИЕВОГО ГРАНАТА (57) Изобретение относится к химическим соединениям и предназначено для прецизионного травления эпитаксиальных пленок на основе железоиттриевого граната. Изготавливаемые путем травления из данных пленок элементы необходимой конфигурации используются в устройствах радиотехИзобретение относится к химическим соединениям и предназначено для прецизионного травления эпитаксиальных пленок на основе железоиттриевого граната (ЖИГ), получаемых жидко-фазной эпитаксией на монокристаллических подложках галлийгадолиниевого граната, изготавливаемые путем травления из данных пленок элементы необходимой конфигурации используются в устройствах радиотехники, таких как гиромагнитные фильтры, линии задержки и т.п, Целью изобретения является повышение скорости травления при обеспечении высокого качества границ селективно вытравливаемых элементов.. Ы 1682417 А1 ники, таких как гиромагнитные фильтры, линии задержки и т.п. Целью изобретения является повышение скорости травления при обеспечении высокого качества границ селективно вытравливаемых элементов.

Для достижения цели используется травитель, содержащий концентрированную азотную кислоту и ортофосфорную кислоту в соотношении 5 и 95 мас.7, соответственно, Травление проводится при температуре около 175 С. При этой температуре азотная кислота разлагается с выделением двуокиси азота, что обуславливает повышение скорости травления эпитаксиальных пленок толщиной 20 мкм до

3 — 4 мкм/мин, При превышении данной концентрации азотной кислоты скорость травления возрастает еще более, но при этом начинает ухудшаться качество границ вытравливаемых элементов, Поставленная цель достигается тем. что травитель для эпитаксиальных пленок ЖИГ, содержащий ортофосфорную кислоту, дополнительноно содержит концентрированную азотную кислоту при следующем соотношении компонентов, мас. :

Азотная кислота (концентрированная) 5

Ортофосфорная кислота Остальное

Травление производится при температуре около 175 С, близкой к температуре кипения ортофосфорной кислоты. При этой температуре введенная в состав травителя азотная кислота разлагается с выделением двуокиси азота. Двуокись азота является сильным окислителем, что и обуславливает

1682417

Составитель Е, I исарева

Техред M.Ìoðãåíòàë Корректор M Шароши

Редактор Н, Гунько

Заказ 3384 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 повышение скорости травления эпитаксиальных ЖИГ пленок.

Проведенные экспериментальные исследования показывают, что укаэанное введение азотной кислоты увеличивает скорость травления, Пленки ЖИГ толщиной

20 мкм растравливаются полностью (эа исключением участков, покрытых защитным слоем) за 5 — 7 мин, Скорость травления составляет не менее 3 — 4 мкм/мин, т,е, более, чем в 3;т скорость травления в известном травителе из ортофосфорной кислоты (без добавок), При добавке азотной кислоты в неполном количестве, чем указанные 5, скорость травления снижается. При превышении указанного значения скорость травления возрастает еще более, но при этом начинает ухудшаться качество границ вытравливаемых элементов.

Формула изобретения

5 Травитель для эпитаксиальных пленок на основе железоиттриевого граната, содержащий ортофосфорную кислоту, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения скорости травления при обес10 печении высокого качества границ селективно вытравливаемых элементов, травитель дополнительно содержит концентрированную азотную кислоту при следующем соотношении компонентов, мас.$:

15 Концентрированная азотная кислота 5

Ортофосфорная кислота Остальное

Травитель для эпитаксиальных пленок на основе железоиттриевого граната Травитель для эпитаксиальных пленок на основе железоиттриевого граната 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковой технологии, и может быть использовано для стравливания слоев сегнетоэлектриков, конкретно ниобата бария-стронция

Изобретение относится к технологии выращивания пленок феррит-гранатов и может быть использовано в производстве магнитооптических изделий на их основе

Изобретение относится к электронике и может быть использовано при создании элементов магнитооптических приборов

Изобретение относится к ферритовым монокристаллическим материалам, используемым для создания твердотельных УВЧ приборов, работающих в диапазоне дециметровых длин волн, в частности на частотах 0,5 2,0 гГц, и в широком интервале температур

Изобретение относится к электронной технике и позволяет улучшить оптические свойства монокристалла, повысить его стойкость к лазерному излучению

Изобретение относится к росту кристаллов и может быть использовано для получения материалов электронной техники

Изобретение относится к технологии получения гранатовых слоев и может быть использовано в производстве магнитных приборов микроэлектроники

Изобретение относится к технологии электронного приборостроения и может быть использовано при производстве носителей информации для запоминающих устройств

Изобретение относится к изготовлению ферромагнитных монокристаллических изделий для электронной техники, в частности к технологии изготовления сферических резонаторов из монокристаллов феррогранатов

Изобретение относится к порошку комплексного оксида металла, содержащему по крайней мере два металлических элемента, который используют в качестве исходного порошка оксидной керамики, которую используют в качестве функционального материала для конструктивного материала, который используют в диспергированном состоянии в качестве наполнителя или пигмента, или который используют в качестве исходного порошка для получения монокристалла или покрытия, нанесенного методом пламенного распыления, и к способу его получения

Изобретение относится к синтезу неорганических металлов и используется для получения шихты для выращивания монокристаллов ИАГ, применяемых в качестве активных сред в твердотельных лазерах, а такие при изготовлении высокотемпературной керамики

Изобретение относится к технологии высокотемпературной кристаллизации из расплава и может быть применено для получения особо крупных монокристаллов тугоплавких оксидов
Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов для пассивных лазерных затворов, используемых в современных лазерах, работающих в ИК-области спектра

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов для пассивных лазерных затворов, используемых в современных лазерах, работающих в ИК-области спектра

Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано в электронной, химической промышленности, в ювелирном деле
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов гранатов и может быть использовано в лазерной технике, магнитной микроэлектронике (полупроводники, сегнетоэлектрики) и для ювелирных целей

Изобретение относится к оксидным сцинтилляционным монокристаллам, предназначенным для приборов рентгеновской компьютерной томографии (РКТ) и обследования просвечиванием излучением

Изобретение относится к материалам для твердотельных лазеров, а именно к материалам для лазеров с ламповой накачкой

Изобретение относится к материалам для твердотельных лазеров, преимущественно, к материалам для перестраиваемых лазеров и лазеров со сверхкороткой длительностью импульса
Наверх