Способ резки монокристаллов

 

Изобретение относится к механической обработке твердых и хрупких материалов и может быть использовано при разделении полупроводниковых и диэлектрических монокристаллов на пластины. Цель изобретения - повышение качества отрезаемых пластин. Способ заключается в том, что монокристаллу сообщают колебания вдоль оси, перпендикулярной направлению скорости поперечной подачи. Частоту и амплитуду колебательного движения устанавливают такими, чтобы вершина режущей кромки находилось на поверхности резания монокристалла. 4 ил., 1 табл.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)5 В 28 0 7/04

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ д

Х—

Rg д

DATE à Rg l — |в

R) \ — 4—

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4371589/33 (22) 01.02.88 (46) 23.10.91. Бюл. М 39 (71) Луганский машиностроительный институт и Московский институт. электронной техники (72) С.С.Ерошин, М.Т.Таранщанский, В.В. Гаврилюк, Ю.Д.Чистяков, Д.Н. Гулидов и А.А.Гарбузов (53) 679.8.053.3 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

N 937171, кл. В 28 D 7/04, 1980. (54) СПОСОБ РЕЗКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ

Изобретение относится к механической обработке твердых и хрупких материалов и может быть использовано при разделении полупроводниковых и диэлектрических монокристаллов на пластины.

Цель изобретения — повышение качества отрезаемых пластин.

Способ резки монокристаллов включает поперечную подачу отрезного круга на монокристалл и колебательное движение монокристалла, при этом колебательные движения монокристаллу сообщают вдоль оси, перпендикулярной направлению скорости поперечной подачи круга, а центр отрезного круга перемещают по дугам окружностей радиуса, равного радиусу режущей кромки отрезного круга, заключенных между двумя прямыми, параллельнымивектору скорости поперечной подачи, расстояние между которыми выбирают равным удвоенной амплитуде колебаний, а центры, SU, 1685719 А1 (57) Изобретение относится к механической обработке твердых и хрупких материалов и может быть использовано при разделении полупроводниковых и диэлектрических монокристаллов на пластины. Цель изобретения — повышение качества отрезаемых пластин. Способ заключается в том, что монокристаллу сообщают колебания вдоль оси, перпендикулярной направлению скорости поперечной подачи, Частоту и амплитуду колебательного движения устанавливают такими, чтобы вершина режущей кромки находилось на поверхности резания монокристалла. 4 ил., 1 табл. этих дуг располагают на указанных прямых, причем кинематические параметры относительно перемещения монокристалла и отрезного круга устанавливают из условия где V — скорость поперечной подачи, мм/с; д — амплитуда колебаний монокристалла, мм; в — частота колебаний монокристалла, рад/с;

Rp — радиус режущей кромки отрезного круга, мм.

На фиг. 1-3 — схемы резания в момент реверсирования движения монокристалла; на фиг. 4 — схема относительного движения

1685719 центра отрезного круга и его режущей кромки.

Способ реализуют следующим образом, Отрезной круг приводят во вращательное движение со скоростью, необходимой для выполнения процесса резания, В зависимости от модели станка отрезному кругу или монокристаллу сообщают поперечную подачу со скоростью Ч.

Разрезаемый монокристалл приводят в колебательное движение вдоль оси, перпендикулярной скорости поперечной подачи с частотой а, и амплитудой д. Пользуясь методом инверсии, можно мысленно остановить монокристалл и считать, что отрезной круг совершает сложное движение: прямолинейное перемещение вдоль вертикальной оси со скоростью поперечной подачи Ч и возвратно-поступательное перемещение вдоль горизонтальной оси со скоростью х =да, сов в,1., л(2п+11 в моменты. времени 1 — - (где

2Ф, и= О, 1. 2...) происходит реверс, скорость х изменяет направление. При этом та часть режущей кромки отрезного круга, которая была вконтакте,,отхо,дит от монокристалла, а часть режущей кромки, симметричная относительно вектора скорости Ч, вступает в контакт, На схеме резания в момент реверса (фиг, 1) дуги 1, проведенные из центрсв О>, показывают крайне: правое положение режущей кромки, а,дуги 2, проведенные иэ центров 02, показывают крайнее левое положение режущей кромки отрезного круга. Поверхность монокристалла в этот момент сформирована дугами АВ и

BC. Будет считать, что до реверса отрезной круг перемещается справа налево и режущая кромка находится в контакте с монокристаллом по дуге ВС. Поверхность, сформированная дугой ВС, называется поверхностью резания. Точками

l31 и Dz обозначена вершина режущей кромки соответственно в крайнем правом и крайнем левом положениях.

Через точку В проводят суммарный век. тор скорости подачи V<, который представляет собой геометрическую сумму х и Ч, Через ту же точку Впроводят нормаль,n — и и касательную т — t>, поверхности резания

BC и проектируют суммарный вектор Ч нэ

n n и т — т. Нормальная составляющая Ч,, представляет собой скорость внедрения режущей кромки в мснокристалл, Для того. вие выполняется только тогда, когда вектор, V лежит ниже касательной т — r. При вы10 а ==Ra — Я-4<9 (2) 15

55 чтобы происходил процесс резания, нужно, чтобы вектор Vn был направлен к центру режущей кромки отрезного круга. Это является необходимым условием непрерывного контакта режущей кромки с монокристаллом. Из схемы (фиг. 1э) видно, что это услобранном положительном направлении вектора Ч сверху вниз возможно такое соотношение между скоростями V и х, что суммарный вектор V> пройдет над касательной t — r и вектор V изменит свое направление, т.е, произойдет отрыв режущей кромки от монокристалла.

Отрыва не произойдет, если вершина режущей кромки Ог в момент реверса будет находиться на поверхности резания, т.е. на дуге ВС (фиг. 2), В этом случае при любом соотношении между векторами V и х проекция V направлена к центру отрезного круга и может изменить свое направление только при изменении направления поперечной подачи V, что невозможно, Таким образом, нахождение вершины режущей кромки на поверхности резания является достаточным условием непрерывного контакта отрезного круга с разрезаемым монокристаллом.

Между необходимым и достаточным условиями непрерывного контакта существует резкая граница; это выполнение такого движения, при котором вершина режущей кромк; непрерывно движется по поверхности АВ,. сформированной на предыдущем полупериоде, т.е, точки В и 02 совпадают (фиг. 3), На фиг. 4 показана схема резания, соответствующая пределу выполнения достаточного условия непрерывного контакта за один цикл колебаний слитка. Как видно иэ схемы, для выполнения предельного условия непрерывности необходимо, чтобы центр отрезного круга перемещался по кривой, составленной иэ дуг 01, Oz ..„On радиуса Кк. Если центр отрезного круга находится выше указанной кривой, условие непрерывности может не выполняться, Если ниже — выполнение условия непрерывности гарантировано. Пользуясь схемой фиг. 2, определяют частоту (+ и амплитуду д колебаний слитка. гарантирующие непрерывность контакта. Расстояние 010п, которое проходит центр отрезного круга за один период колебаний, примем равным 2а; так как дуга

О>, 0z „„О имеет радиус R<, то

1685719

Период колебаний Т = —. Частота коле2а

Ч баний в = —. Тогда искомая частота

Т вс должна удовлетворять неравенству (3) "6:

Предложенный способ позволяет вести ориентированную резку монокристаллов, так как колебания происходят вдоль оси, перпендикулярной вектору скорости поперечной подачи, в результате чего плоскость резания и плоскость отрезного круга совпадают. 30

Пример. Производится резка монокристаллов кремния диаметром 100 мм на пластины толщиной 0,6 мм. Резка производится на модернизированном станке моде- 35 ли "Алмаз 11". Модернизация заключается в оборудовании станка приводом колебаний слиткодержателя с числовым программным управлением. Применяется алмазный отрезной круг с внутренней режущей кром- 40 кой 560х180х0,36, оснащенный алмазом

МС6 50/40, Резку ведут с поперечной подачей Ч = 2/3 мм/с. Для выбранного отрезного круга Rg= 90 мм амплитуда колебаний монокристалла равна д= 15 мм. По формуле 45 (4) вычисляют отношение

15 ив

90 — < д, Ч . 1—

= 9,155, 50

90 откуда

Путем несложных преобразований из 10 (3) можно получить условие, которому должны удовлетворять а : д и V, чтобы процесс резания протекал без отрыва режущей кромки отрезного круга от монокристалла 15 а — 0,407 рад/с.

9,155 V

Проведено три серии опытов. В первой серии режимы соответствуют известному способу. Во второй серии частота колеба,ний соответствует пределув, = 0,407 рад/с), при котором выполняется условие непрерывного контакта режущей кромки с монокристаллом. В третьей серии в = 0 133 рад/с, что меньше предельного значения.

Результаты реализации предлагаемого способа сведены в таблицу.

Формула изобретения

Способ резки монокристаллов, включающий поперечную подачу отрезного круга на монокристалл и колебательное движение монокристалла, отличающийся тем, что, с целью повышения качества отрезаемых пластин, колебательные движения монокристаллу сообщают вдоль оси, перпендикулярной направлению скорости поперечной подачи круга, при этом центр отрезного круга перемещают по дугам окружностей радиуса, равного радиусу режущей кромки отрезного круга, эаключенных между двумя прямыми, параллельными вектору скорости поперечной подачи, расстояние между которыми выбирают равным удвоенной амплитуде колебаний, а центры этих дуг располагают на указанных прямых, причем кинематические параметры относительного перемещения монокристалла и отрезного круга устанавливают из условия л—

1+У д

RI где V — скорость поперечной подачи, мм/с; д — амплитуда колебаний монокристалла, мм; а, — частота колебаний монокристалла, рад/с;

Rp — радиус режущей кромки отрезного круга, мм.

1685719 фЙ(?. g

Редактор А,Козориз

Заказ 3563 Тираж Подписное

ЯНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

:тот ний рис

О с, 31

О,>

О, ли еба кри д, 1

Составитель Г,Афиногенова

Техред M. Ìîðãåíòàë Корректор И.Муска

Способ резки монокристаллов Способ резки монокристаллов Способ резки монокристаллов Способ резки монокристаллов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к обработке камня, а именно к устройствам для резки камня на плиты, и позволяет повысить производительность

Изобретение относится к промышленным строительным материалам, а именно к устройствам для обработки изделий из естественного и искусственного камня и позволяет повысить точность обработки

Изобретение относится к области обработки хрупких длинномерных материалов и может быть использовано при разрезке керамических труб

Изобретение относится к камнеобрабатывающей промышленности и может быть использовано для производства плоскостных изделий из природного камня

Изобретение относится к горной промышленности и промышленности строительных материалов, в частности к станкам для калибровки бруса из природного камня, и может быть использовано при производстве заготовок для изготовления облицовочных плиток из природного камня

Изобретение относится к механической обработке камня, а именно к распиловочным станкам, и позволяет повысить качество поверхности реза

Изобретение относится к механической обработке твердых хрупких материалов, а именно к распиливанию полупроводниковых материалов на станках с вращающейся пилой, и может быть использовано в электронной промышленности

Изобретение относится к механической обработке материалов из каменных пород, например мрамора и гранита, в форме блоков или плит. Обеспечивают рабочую поверхность, на которой размещают блок или плиту, подлежащие механической обработке. Перемещают обрабатываемый блок или обрабатываемую плиту по рабочей поверхности. Подвергают блок или плиту операции механической обработки с помощью станка для механической обработки материалов в форме блоков или плит. Станок содержит суппорт для инструмента, перемещаемый параллельно и перпендикулярно относительно рабочей поверхности, и манипулятор, содержащий средства захвата для блока или плиты. Суппорт и манипулятор соединены друг с другом. Средства захвата выполнены с возможностью перемещения между первым нерабочим положением, удаленным от блока или плиты, и вторым рабочим положением, приближенным к блоку или плите. Также средства захвата имеют возможность поворота между указанным первым нерабочим положением и указанным вторым рабочим положением. В результате обеспечивается устранение необходимости применения линейного исполнительного механизма для активации вакуумных захватов. 2 н. и 16 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к механической обработке твердых и хрупких материалов и может быть использовано при разделении полупроводниковых и диэлектрических монокристаллов на пластины

Наверх