Отражательная антенная решетка с электрическим сканированием диаграммы направленности

 

Изобретение относится к радиотехнике, п частности к ашенной технике и мо-кет быть использовано в радиопередающих и радиоприемных системах Цель изобретения - повышение коэффициента полезного действия Отражательная антенная решетка содержит вибраторы, расположенные на диэлектрической подложке, упраппяемые комплексные сопротивления на два состояния , экран, облучатель. Расположение управляемых комплексных сопротивлении в одном глг-ме вибратра обосмеч.чмет больший коэффициент ni/ie.iiGra /ц исгьил по сравнению с равномерным п гюложонигм 3 ил

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИС1 ИЧЕСКИХ

РЕСГ1УБЛИК (5!)5 Н 01 0 . 3/46

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ сопротивления (> 20 Ом), (21) 4444630/09 (22) 20.06.88 (46) 30.10.91. Бюл. гв 40 (71) МГТУ им. Н.Э.Баумана (72) Н.А.Бей, В.В,Синюшин и В.Л.Хандамиров (53) 621.396.677(088.8) (56) Заявка Франции

М 2595873, кл. Н 01 0 15/14, 19/10, 1987. (54) ОТРАЖАТЕЛЬН/ Я АНТЕННАЯ РЕШЕТКА С ЭЛЕКТРИЧЕСКИМ СКАНИРОВАНИЕМ ДИАГРАММЫ НАПРАВЛЕННОСТИ (57) Изобретение относится к радиотехнике, в частности к антенной технике, и может

Изобретение относится к радиотехнике, в частности к антенной технике, и может быть использовано в радиопередающих и радиоприемных системах.

Цель изобретения — повышение коэффициента полезного действия.

На фиг.1 представлена структурная схема отражательной антенной решетки; на фиг.2 — полосковый вибратор с управляемыми комплексными сопротивлениями на два состояния (вид со стороны экрана); на фиг.3— узел I на фиг.2.

Отражательная антенная решетка содержит вибраторы 1, расположенные на диэлектрической подложке 2 в узлах плоской координатной сетки с двойной периодичностью, управляемые комплексные сопротивления 3 на два состояния, экран 4, облучатель 5.

Управлемые комплексные сопротивления 3 включены несимметрично в адно атно„„ I„„1688336 Al быть использовано в радиопсредающих и радиоприемных системах, Цель изобретения — повышение коэффициента полезного действия, Отражательная антенная решетка содержит вибраторы, расположенные на диэлектрической подложке, управляемые комплексные сопротивления на два состояния, экран, облучатель. Расположение управляемых комплексных сопротивлений в одн-.ì плече вибратора обеспечивает больший коэффициент полез аго дейсгвия по сравнению с равномерным расположением, 3 ил. сительно середины полоскового вибратора

1 в соответствующих точках.

В качестве управляемых комплексных сопротивлений 3 могут использоваться, например, р-i-n-диоды или оптоэлектронные ключи, или приборы какого-либо другого типа. Эквивалентная электрическая схема приборов такого типа в одном 13 состояний представляет собой параллельное соединение емкости и достаточно большого активнага сопротивления(>20 кОм), а в другом состоянии малое активное сопротивление (единицы Ом). В случае использования оптоэлектронных ключей подложка выполняется из полупроводника, например кремния. Эквивалентные параметры р-I n-диодов сообща отся в их паспортных данных, а эквивалентные параметры оптоэлектронного ключа можно рассчитать, зная размеры полоскав, зазора в полоске и параметры подложки, включая концентрацию неравновесных носителей в двух состояниях.

1688330. Отражательная антенная решетка работает следующим образом.

Облучатель 5 облучает полотно антенной решетки. Каждый элемент раскрыва, соответствующий определенному вибратору

1, фазируется таким образом, чтобы сфокусировать отраженную электромагнитную волну в определенном направлении. Фаза волны, отраженной элементом раскрыва, определяется результатом взаимодействия электромагHNTHoA волны cG сложной системой, включающей диэлектрическую подложку 2, полосковый вибратор 1 с включенными в него управляемыми комплексными сопротивлениями 3, воздушный зазор и экран 4. Использование нескольких управляемых комплексных сопротивлений позволяет изменять фазу отраженного поля в пределах 360 с определенным дискретом.

При этом число фазовых состояний N и количество и управляемых комплексных сопротивлений 3 связаны соотношением

М > A > log2N. Наличие диэлектрической подложки с диэлектрической проницаемостью большей единицы позволяет уменьшать величину зазора между решеткой и экраном 4 в пределах 0,05-0,25 Я„ где А— рабочая длина волны.

Размещение нескольких управляемых комплексных сопротивлений 3 в различных

5 точках несимметрично относительно середины вибратора 1 обеспечивает больший коэффициент полезного действия по сравнению с равномерным расположением, 10 Формула изобретения

Отражательная антенная решетка с электрическим сканированием диаграммы направленности, содержащая вибраторы, расположенные на диэлектрической под15 ложке, на расстоянииМ/4 от экрана, где Арабочая длина волны, в узлах плоской координатной сетки с двойной периодичностью и выполненные в виде проводящих отрезков, электрически связанных между собой

20 посредством управляемых комплексных сопротивлений на два состояния, о т л и ч а ющ а я с я тем, что, с целью повышения КПД, управляемые комплексные сопротивления на два состояния расположены несиммет25 рично относительно середины вибратора.

Составитель А.Немцова

Редактор Н.Швыдкая Техред М.Моргентал Корректор М.Кучерявая

Заказ 3713 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент",.г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Отражательная антенная решетка с электрическим сканированием диаграммы направленности Отражательная антенная решетка с электрическим сканированием диаграммы направленности Отражательная антенная решетка с электрическим сканированием диаграммы направленности 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области антенной техники, приборам и устройствам для излучения акустических волн в заданный сектор или зону обзора

Изобретение относится к радиотехнике, а именно к активным фазированным антенным решеткам (АФАР), которые предназначены для использования в РЛС. Техническим результатом является создание элемента АФАР отражательного типа с более высоким коэффициентом полезного действия и более низким уровнем шумов, способного работать в составе АФАР отражательного типа с двумя ортогональными круговыми поляризациями. Элемент активной фазированной антенной решетки отражательного типа, содержащий излучатель, фазовращатель проходного типа, усилитель, волноводный селектор круговых поляризаций с функцией преобразователя поляризаций, вход которого соединен с выходом фазовращателя, входом соединенным с излучателем, при этом выходы волноводного селектора круговых поляризаций с функцией преобразователя поляризаций подключены ко входам волноводно-полосковых переходов, к выходам которых подключен усилитель. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к конструкции малогабаритных сканирующих антенн. Технический результат - разработка конструкции антенны с широким сканированием луча и с возможностью изготовления на основе печатной технологии. Для этого направленная сканирующая планарная портативная линзовая антенна включает в себя: верхнюю (1) и нижнюю (2) линзовые структуры в виде набора проводящих цилиндров (3), расположенных между двумя проводящими экранами - наружным экраном (4) и внутренним экраном (5); монопольные излучатели (6); рефлекторы (7); и коммутатор (8), причем каждый выходной порт коммутатора соединен с соответствующим излучателем (6), а каждый входной порт соединен с отдельным портом внешнего восьмиканального приемо-передающего устройства (9). 6 з.п. ф-лы, 14 ил.

Изобретение относится к области телекоммуникационных технологий, а более конкретно - к устройствам для управления плоскими электромагнитными волнами. Технический результат заключается в обеспечении снижения величины управляющего напряжения и вносимых электромагнитных потерь. Отклоняющая система для управления плоской электромагнитной волной на основе микроволновой периодической структуры состоит из n слоев сегнетоэлектрического материала, разделенных между собой n-1 слоями линейного диэлектрика. Для формирования градиента электрического поля в сегнетоэлектрической пластине в направлении, перпендикулярном направлению распространения плоской волны, сегнетоэлектрические слои покрыты с обеих сторон прозрачными для СВЧ-излучения электродами. 5 з.п. ф-лы, 3 ил.
Наверх