Способ выращивания монокристаллов

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

С П И С А Н И Е l7l382

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 14.1.1964 (№ 872985/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 26.Ч.1965. Бюллетень № 11

Дата опубликования описания 28.VI.1965.

Кл. 12с, 2

МПК В 016

УДК 66.065.5(088.8) Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

Предмет изобретения

Подписная группа № 89

Известный спосоо выращивания монокристаллов методом кристаллизации из насыщенных растворов длителен и мало производителен.

Предложенный способ лишен этих недостатков и состоит в том, что кристаллизацию ве дут при темпер атуре ки пения насыщенного раствора в строго герметизированном объеме и постоянном давлении.

Способ выращивания монокристаллов, например алюмоаммониевых квасцов, методом

5 кристаллизации из насыщенных растворов, отличавшийся тем, что, с целью интенсификации процесса, подготовленные кристаллы исходного вещества с спределенным размером подвергают рекристаллизации при температу10 ре кипения при постоянных давлении и объеме, причем, последний герметизирован.

Способ выращивания монокристаллов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к нелинейно-оптическому кристаллу стронций бериллатоборату, способу выращивания нелинейно-оптических монокристаллов бериллатобората и нелинейно-оптическому устройству

Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла трибората лития (LBO)
Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла трибората лития (LBO) и позволяет выращивать крупные кристаллы диаметром 65-70 мм и длиной до 40-45 мм высокого оптического качества без включений и свилей, пригодных для изготовления оптических элементов

Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла двойного цезий-литий бората CsLiB6O10 из раствор-расплава на затравку путем снижения температуры расплава
Изобретение относится к области получения монокристаллов калий титанил арсената KTiOAsO4 (КТА), используемых в лазерной технике в качестве преобразователей частоты лазерного излучения

Изобретение относится к выращиванию синтетических монокристаллов и промышленно применимо при изготовлении ювелирных изделий, а также высокопрочных оптических деталей (небольших окон, линз, призм и т.п.)

Изобретение относится к порошку комплексного оксида металла, содержащему по крайней мере два металлических элемента, который используют в качестве исходного порошка оксидной керамики, которую используют в качестве функционального материала для конструктивного материала, который используют в диспергированном состоянии в качестве наполнителя или пигмента, или который используют в качестве исходного порошка для получения монокристалла или покрытия, нанесенного методом пламенного распыления, и к способу его получения

Изобретение относится к кристаллогидрату полисиликата натрия и способу его получения, который может быть использован в качестве гелеобразующего компонента, например, при изготовлении теплоизоляционных материалов, при создании высококачественных минеральных уплотнительных слоев из связанных грунтов, в нефтедобывающей промышленности при гидроизоляции
Изобретение относится к области неорганической химии, а именно синтезу широкого класса высокочистых материалов, применяемых в лазерной и инфракрасной технике, а также в волоконной оптике и спецтехнике

Изобретение относится к способам искусственного синтеза монокристаллов алмаза с заранее заданными физическими свойствами, например, с полупроводниковыми, с определенными люминесцентными, с определенным цветом или бесцветные и т.п
Наверх