Фототермоэл емент

Авторы патента:

H01L35/32 - отличающиеся конструкцией или конфигурацией термоэлемента или термопары, образующей прибор

H01L27/16 - содержащие термоэлектрические компоненты со спаем из различных материалов или без него; содержащие термомагнитные компоненты (с использованием эффекта Пельтье только для охлаждения полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле H01L 23/38)

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 05.Х.1964 (№ 923879/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 21.VII.1965. Бюллетень № 15

Дата опубликования описания 1.IX.1965

Кл. 21g 291о

21Ь, 279з

Государственный комитет ло делам изобретений и открытий СССР

МПК Н 01l

Н 0 1m

УДК 621.383.5

621 362 1(088 8) Автор изобретения

М. С. Сомииский

Заявитель

ФОТОТЕРМОЭЛ ЕМЕНТ

Подписная группа № 97

Данное изобретение относится к преобразователям солнечной энергии в электрическую.

Известен фототермоэлемент, состоящий из отдельно выполненных фотоэлемента и термоэлемента, причем последний примыкает к фотоэлементу через изоляционную прокладку.

При заданной площади фототермоэлемент вырабатывает электроэнергию с большей эффективностью, чем фотоэлемент и термоэлемент порознь. Кроме того, фототермоэлемент допускает использование концентрированного потока солнечных лучей, так как съем тепла, осуществляемый термоэлектрической частью устройства, предохраняет фотоэлектрическую часть от перегрева.

Предложенное устройство отличается тем, что фотоэлемент и термоэлемент совмещены в одном кристалле полупроводникового материала, выполненном в виде ветви термоэлемента, на торцовой части которой создается p-ппереход с фотоэлектрическими свойствами, причем роль второй ветви термоэлемента выполняет провод, соединяющий фототермоэлемент с нагрузкой. Это отличие повышает к.п.д. фототермоэлемента за счет ликвидации паразитного перепада температур на изоляции между фото элементом и термоэлементом и упрощает конструкцию устройства.

На чертеже представлена схема предлагаемого устройства, Из полупроводникового вещества с высокими термоэлектрическими свойствами р- или и-проводимости изготовляется ветвь термоэлемента 1. На торцовой части образца создается р-и-переход 2 с высокими фотоэлектрическими параметрами. Поверх p-n-перехода наносится полупрозрачный металлический электрод 8. На противоположной торцовой части выполнен металлический электрод с примыкающими к нему:пластинчатыми радиато10 рами 4 для рассеивания в воздухе той части тепла, которая не утилизируется ветвью термоэлемента.

Верхний и нижний электроды замыкаются на нагрузку 5, соединительный провод 6 выполняет роль второй ветви термоэлемента, При облучении фототермоэлемента концентрированным потоком солнечных лучей он вырабатывает э. д. с., которая слагается из фото- э.д. с. и термо- э.д.с.

Предмет изобретения

Фототермоэлемент, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции и повышения к. п. д., фотоэлемент и термоэлемент совмеще25 ны в одном кристалле полупроводникового материала, выполненном в виде ветви термоэлемента, на торцовой части которой создается р-и-переход с фотоэлектрическими свойствами, причем роль второй ветви термоэле30 мента выполняет провод, соединяющий фототермоэлемент с нагрузкой.

Составитель С. Е. Островская

Редактор И. Г. Карпас Техред А. А. Камышникова Корректор Ф. П. Киреева

Заказ 2187/17 Тираж 1575 Формат бум. 60>(90 /з. Объем 0,1 изд. л. Цена 5 коп.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, д. 2

Термобатарея полупроводниковая // 142651

Термобатарея // 126202

Термоэлектрический генератор // 126157

Термоэлектрический генератор // 126156

Выпарной аппарат // 125285

Термоэлектрический генератор // 120553

Термоэлектрическая батарея // 114216

Термопара // 113255

Охлаждающий термоэлектрический элемент // 112198

Устройство для температурной стабилизации фотодиодов // 143481

Термоизмерительная система и способ изготовления информационной микросхемы для термоизмерительной системы // 2247442

Устройство, содержащее слоеную конструкцию, для обнаружения теплового излучения, способ его изготовления и использования // 2465685

Чувствительный элемент датчика интегрального теплового потока нернста-эттингсгаузен // 524263

Электронное устройство // 2515214

Изобретение относится к электронной технике. Сущность: электронное устройство содержит термоэлектрический преобразователь (100) с гетероструктурными полупроводниковыми слоями (38), выполняющими термоэлектрическое преобразование, фотоэлектрический преобразователь (102), в котором, по меньшей мере, часть гетероструктурного полупроводникового слоя (38) выполняет фотоэлектрическое преобразование, транзистор (104) и/или диод, содержащий, по крайней мере, часть полупроводниковых слоев гетероструктуры, выполняющих функции рабочего слоя. Технический результат: возможность использования технологии монолитных интегральных схем для объединения термоэлектрического преобразователя с фотоэлектрическим преобразователем и транзистором и/или диодом, предотвращение помех между термоэлектрическими элементами p-типа и n-типа. 6 н. и 7 з.п. ф-лы, 11 ил.

Способ изготовления датчиков температуры и теплового потока (варианты) // 2537754

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в авиационной и космической технике. Предложено формирование датчика температуры и теплового потока осуществить непосредственно на поверхности модели разной степени кривизны без морщин и без нарушения целостности модели и физических процессов обтекания на поверхности модели и газового потока. Термопары датчиков изготовляют из пленки хромель-константана способом катодного напыления в вакууме. В качестве изоляционной пленки между моделью и термопарой, между термопарами выбрана окись алюминия. Верхняя поверхность термопары защищена от окисления жаростойкой изоляционной пленкой толщиной 0,80-0,1 мкм. Толщина обкладки с выводами термопары 0,3-0,4 мкм. Обкладки с выводами формируют через маски (из металла или пленки полиимида) и способом электрической гравировки напряжением «карандаша» 6-10 В. Технический результат - повышение функциональных возможностей датчиков температуры и теплового потока. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.

Полупроводниковое устройство и способ для его производства // 2565360

Изобретение относится к полупроводниковой технике. Сущность: полупроводниковое устройство включает полупроводниковую подложку, композиционную металлическую пленку и вывод для измерения. Композиционная металлическая пленка нанесена на переднюю поверхность или на заднюю поверхность полупроводниковой подложки и содержит первый слой металлической пленки и второй слой металлической пленки, который соединяется с первым слоем металлической пленки и имеет разные коэффициенты термоЭДС с первым слоем металлической пленки. Вывод для измерения позволяет измерять разность электрических потенциалов между первым слоем металлической пленки и вторым слоем металлической пленки. Технический результат: повышение чувствительности и точности измерения температуры. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 9 ил.

Полупроводниковое изделие и термоэлектрическое устройство // 2120684

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к полупроводниковым изделиям для термоэлектрических устройств и термоэлектрическим устройствам и может быть использовано в термоэлектрических приборах, основанных на эффектах Пельтье и Зеебека

Термоэлектрический преобразователь // 2131156

Изобретение относится к области приборостроения, а именно к прямому преобразованию тепловой энергии в электрическую, и может быть использовано в качестве источника постоянного тока

Термоэлектрическая батарея // 2142177

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к термоэлектрическим батареям, работающим на основе эффекта Пельтье

Термоэлектрическое устройство // 2173007