Устройство для получения металлосодержащих пленок из паров химических соединений

 

Изобретение относится к нанесению покрытий в контролируемой атмосфере и может быть использовано для получения металлсодержащих пленок из паров химических соединений, Цель изобретения - повышение качества покрытий путем обеспечения равномерного нагрева и распределения газовой смеси. Устройство включает корпус 1 .который подключен к вакуумной системе, имеющей питатель 5 для ввода реакционной газовой смеси, в корпусе расположен соединенный с приводным механизмом держатель 2 с укрепленной на нем подложкой в виде диска 3, нагреватель 4, Держатель 2 выполнен в виде горизонтально установленного стержня, на котором перпендикулярно его оси укреплена подложка , при этом с противоположных сторон от оси стержня, параллельно плоскостям диска-подложки снизу установлен нагреватель 4, а сверхупитатель 5 газовой смеси. Устройство может быть использовано для получения монои полиметаллических оксидных , карбидных и других пленок для жестких магнитных дисков для записи и воспроизведения звуковых сигналов и види-. мого изображения, 1 ил. (Л

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Ж

С:! Ю С)

C) О аавЪ (21) 4764505/02 (22) 04,12.89 (46) 23,12.91. 6юл, ¹ 47 (71) Государственный научно-исследовательский институт химии и технологии элементорганических соединений, (72) А,А.Уэльский, В.Г.Сыркин, В.А.Персиянцев, И.С,Толмасский, А,Н.Соцков, А.И.Горбунов и В.Н,Францев (53) 621.793,14(088.8) (56) Заявка Японии № 63-134663, кл. С 23 С 16/44, 1988, Заявка Японии ¹ 62-177178, кл, С 23 С 16/18, 1986. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ МЕТАЛЛСОДЕРЖАЩИХ ПЛЕНОК ИЗ ПАРОВ

ХИМИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ (57) Изобретение относится к нанесению покрытий s контролируемой атмосфере и может быть использовано для получения металлсодержащих пленок из паров химических соединений, Цель изобретения — по„, SUÄÄ 1700097 А1 вышение качества покрытий путем обеспечения равномерного нагрева и распределения газовой смеси. Устройство включает корпус 1,которь|й подключен к вакуумной:системе, имеющей питатель 5 для ввода реакционной газовой смеси, в корпусе расположен соединенный с приводным механизмом держатель 2 с укрепленной на нем подложкой в виде диска 3, нагреватель

4, Держатель 2 выполнен в виде горизонтально установленного стержня, на котором перпендикулярно его оси укреплена подложка, при этом с противоположных сторон от оси стержня, параллельно плоскостям диска-подложки снизу установлен нагреватель 4, а сверху - питатель 5 газовой смеси.

Устройство может быть использовано для получения моно- и полиметаллических оксидных, карбидных и других пленок для жестких магнитных дисков для записи и воспооизведения звуковых сигналов и види-. мого изображения, 1 ил.

1700097

Изобретение относится к аппаратам для получения металлсодержащих пленок из паров химических соединений и пред.назначепа для получений IVIGHG.. и полиметаллических Оксидных, ка()бидных и др> ги."< пленок для жестких магнитных дисков для записи и воспроизведения ЗВукавых сиГналов и видимого изображения.

Цель изобретения - повышение ка lee tва пленок путем Обе- печения равнамернага нагрева и распределения газовой смеси, На чертеже представлена схема предлагаемого устройства, Устройства содержит карг.,с 1, OTåpжень-держатель 2 диск-подложку 3, еаГреватель 4, питая ель 5 г3ýoeot>I смеси, Отверстие 6 предн:";зчачена Для выводя реакционных газов.

НЗГpeBBTBflb ма,t

СОСТавом ГВЗОВой СМЕСИ, КОЛИЧССТВОМ Подаваемых реагентов, скоросп,iî Вращения диска пОДлажки и др. Питатель Газовой смеси может быть Выполнен В виде i/-образной трубки или KGHyc8 с GTBBpcтиям ri co сТароны, обращенной к плоскости Диска, Нагревательное устройство и питатель

Обеспечивают Двусторонний наГрев и ПОДВЧУ ПЙРОЗ МЕТВЛЛСОДЕР?Кащи. < COBP!iiIIBI- K каждой из двух сторон диска-пад/1ам<ки,,Движение t I3poe метал/3садер>м:вщих химических с<>единений Внутри ВГ! Па рата Осуl öeствляется с помощью неглубакога вакуума (фарвакуума ). Подачу паров в аппарат производят из термастатируемых /30затарав.

Рсгули(308 :.3 нагрева Осугдсствляется с памащыа автатрансфарматорав, Предлагаемая конструкций апггарата имеет ряд о гличий ат известного; дер><атель

Выполнен в виде ст<," м<ня; г противап,>лаж ных старОн ат Оси держателя (c/ep>K, : я/ параллельна плоскостям Диска-подложки установлены нагреватель и питатель паров металлсадерм<аших соединении

Можно предполо>кить, чта происходит более усредненный равномерный нагреь всей поверхности подла>кки за счет радлаЦИОНННОГО и КОНВЕКЦ№ЗНН >П3 ПотОКОВ ГIPh многократном прохождении диска-подложки через нагревате/1 ь.

Используемый как в изве тном, так и В бытующей Iltp8KTviKB (3езис Гиен ый I QHтактнь:й нагрев падло>кек BQ Всех без исключения случаях неспособен абеспечи3 усреднения GKopocòè теплаваto движения злекгронав и равномернога

1 !5 \ 0

25 с0

4/)

135 прогрева в силу наличия отрицательного

"аффекта витка" (неравномерного прогрева ка?<дога из витков спирали нагреВателя),.

Пример, Подложка-диск из сплава ал оминия с магнием диаметром 130 мм, толщиной 2 мм крепится на цилиндрическом держателе перпендикулярна ето оси, Павле герметизации аппарата в последнем создают Вакуум 2 10 мм рт, ст„включа о; нагреватель и вращение диска-подложки

cQ скоростью 2,0 аб/млн, При достижении температурь! подложки 190 < через распределительное питательное устройство вводят пары пентакарбанила железа =е(СО) в количестве 1,0 t на операцию. В момент ввода паров давление В реакторе увеличив8ется Да 1 10 мм pT,ñò, Соприкасаясь с нагретой подложкой, пары Fe(CO)s диссациируют, образуют на ней магнитный железосадер>кащий слой, состоящий из структурированного Fe, содержащего карбид железа ЕезС и -месь оксидов железа

Ге20з и ЕезО, Э/1ект(3онна-микроскопический анализ на сканирующем микроскопе позволяет установить Высокую pGBHOMBpHGGTb образовазшейся магнитной пленки. Изменение м-,.ãíèòíûõ свойств полученного магнитного диска показывает, что коэрцитивная сила Нс = 608 Э, остаточная намагниченность

)г == 710 Гс, коэффициент прямаугольности

KiI > 0,91. Плотность записи tip!/t 3TGf4 состаВляе3 -- 3185 бит/ММ2. Эти параметры значительна превышают таковые для диска, полученного в известном аппарате и в других методах, используемых для создания рабачега металлсодержащего магнитного слоя, Известное устройство имеет более низкие параметры (i-I<: = 480 Э, tf = 690 Гс, Кп = 0,90 и П = 2320 бит/мм .

Таким образом, предлагаемая конструкция аппарата обеспечивает равномерный нагрев подложки и равномерное распределение реакцианнага газа, что приводит к улучшению качества получаемых пленок, 8 зта Выражается В паВышнии зна чений злектромагнитнь х параметров,, преимущестВенна Нс и П на 20 /Ь. формула изобретения

Устройства для получения металлсодержащих пленок из паров хлмических соединений, содержащее корпус, подключен и ый к вакуумной системе, питатель для ввода реакционой газовой смеси, держатель пОдлОжки, соединенный с приводом, нагреватель и подложку В виде диска, о тл и ч а lo щ е е с я тем, что, с целью ., Овышения качества и/. енок пу ем абеспе1700097

Составитель Л,Груднева

Редактор Н. Бобкова Техред М.Моргентал Корректор С,Черни

Заказ 4445 Тираж ° Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул.Гагарина, 101 чения равномерного нагрева и распределения газовой смеси, держатель выполнен в виде горизонтально. установленного стержня, на котором перпендикулярно его оси укреплен диск, при этом с противоположных сторон от оси стержня симметрично относительно плоскостей диска установлены нагреватель и питатель газовой смеси.

Устройство для получения металлосодержащих пленок из паров химических соединений Устройство для получения металлосодержащих пленок из паров химических соединений Устройство для получения металлосодержащих пленок из паров химических соединений 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к оборудованию для нанесения покрытий из газовой фазы

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии, к области тонкопленочного материаловедения, а именно к устройствам для нанесения тонких пленок и диэлектриков

Изобретение относится к оборудованию для получения слоев из газовой фазы при пониженном давлении (ХОГФПД) и может быть использовано при формировании и диэлектрических, полупроводниковых и проводящих слоев в производстве

Изобретение относится к области высоковольтной техники, к силовым полупроводниковым устройствам и, в частности, к способу и устройству для одностадийного двустороннего нанесения слоя покрытия из аморфного гидрогенизированного углерода на поверхность кремниевой пластины, а также к держателю подложки для поддержки кремниевой пластины. Используют кремниевую пластину (4), содержащую первую большую сторону с первым скосом по кромке первой большой стороны и вторую большую сторону с центральным участком и вторым скосом по кромке второй большой стороны, окружающей центральный участок, причем вторая большая сторона противоположна первой большой стороне, помещают кремниевую пластину (4) на опору (31) для подложки держателя (3) подложки, причем опору (31) для подложки выполняют с возможностью обеспечения контакта лишь центрального участка второй большой стороны пластины (4) с опорой (31) для подложки. Затем помещают держатель подложки с пластиной (4) в реакционную камеру (8) плазменного реактора, в которой на первый и второй скосы одновременно воздействуют плазмой (6), для получения осажденного слоя (7) из аморфного гидрогенизированного углерода. Обеспечивается возможность одностадийного двухстороннего нанесения пассивирующего слоя, обеспечивающего электрическую неактивность участка полупроводниковой пластины. 3 н. и 14 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к устройству и способу осаждения атомных слоев на поверхность листообразной подложки. Устройство содержит инжекторную головку, включающую осадительное пространство, оснащенную впуском для прекурсора и выпуском для прекурсора. Указанные впуск и выпуск предназначены для создания потока газообразного прекурсора от впуска для прекурсора через осадительное пространство к выпуску для прекурсора. Осадительное пространство локализовано инжекторной головкой и поверхностью подложки. Инжектор опорного газа предназначен для нагнетания опорного газа между инжекторной головкой и поверхностью подложки. Опорный газ создает газовую подушку. Конвейерная система обеспечивает относительное перемещение подложки и инжекторной головки вдоль плоскости подложки для формирования плоскости транспортирования, вдоль которой перемещают подложку. Напротив инжекторной головки размещают опорную деталь. Опорная деталь скомпонована для создания газовой подушки с профилем давления, которая уравновешивает газовую подушку инжекторной головки в плоскости транспортирования так, что подложка поддерживается без опоры указанной газовой подушкой с профилем давления между инжекторной головкой и опорной деталью. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к реакторам атомно-слоевого осаждения, в которых материал наносят на поверхности при последовательном использовании самоограниченных поверхностных реакций. Способ нанесения тонкопленочного покрытия на поверхность полотна атомно-слоевым осаждением (АСО) включает подачу покрываемого полотна в реакционное пространство реактора атомно-слоевого осаждения, формирование для покрываемого полотна в реакционном пространстве траектории с повторяющейся конфигурацией и обеспечение доступности покрываемого полотна в реакционном пространстве для подачи прекурсоров разделенными во времени импульсами для нанесения на указанное полотно материала посредством последовательных самоограниченных поверхностных реакций. Импульсы прекурсоров подают со стороны реакционного пространства в горизонтальном потоке газов прекурсоров. Аппарат для нанесения тонкопленочного покрытия на поверхность полотна АСО содержит входной шлюз, сконфигурированный с возможностью вводить движущееся покрываемое полотно в реакционное пространство реактора для нанесения материала, элементы для задания траектории, сконфигурированные с возможностью формировать для покрываемого полотна в реакционном пространстве траекторию с повторяющейся конфигурацией, и узел подачи паров прекурсоров, сконфигурированный для обеспечения доступности покрываемого полотна в реакционном пространстве для подачи прекурсоров разделенными во времени импульсами для нанесения на указанное полотно упомянутого материала. Узел подачи паров прекурсоров содержит по меньшей мере один распределитель потока, выполненный с возможностью обеспечения горизонтального потока газов прекурсоров. Распределитель потока расположен со стороны реакционного пространства. Производственная линия для нанесения тонкопленочного покрытия на поверхность полотна АСО содержит в качестве одного из модулей упомянутый аппарат с возможностью нанесения покрытия упомянутым способом. Обеспечивается возможность настройки реактора АСО на требуемую скорость производственной линии для обработки покрываемого полотна. 3 н. и 11 з.п. ф-лы, 6ил.

Изобретение относится к установке для вакуумной обработки изделий и способу вакуумной обработки с использованием упомянутой установки. Заявленная установка предназначена для обработки изделий, закрепленных на карусели (205), размещенной на карусельных салазках (201). Указанная карусель содержит вакуумную камеру (303) с дверцей (305) и привод (101). Вакуумная камера имеет по меньшей мере один задний упор (309) и по меньшей мере один передний упор (311), которые при полном введении карусельных салазок (201) в вакуумную камеру (303) и при закрытой дверце (305) обеспечивают кинематическую связь привода (101) карусели с каруселью (205). Привод (101) карусели расположен в вакуумной камере (303) на ее стенке, противолежащей дверце (305). Упомянутый способ включает введение карусельных салазок (201) с размещенной на них каруселью (205) в открытую дверцу (305) вакуумной камеры (303), закрытие дверцы (305) вакуумной камеры (303), ее откачку и осуществление вакуумной обработки. Карусельные салазки (201) с размещенной на них каруселью (205) с закрепленными на ней изделиями предварительно помещают на рельсы тележки и подводят эту тележку с размещенной на ней упомянутой каруселью к открытой дверце (205) вакуумной камеры (303). После закрытия указанной дверцы (305) карусельные салазки (201) фиксируют посредством упомянутых по меньшей мере одного заднего упора (309) и по меньшей мере одного переднего упора (311). Обеспечивается простое подсоединение карусели к ее приводу. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к СВЧ технике и может быть использовано для изготовления держателей для подложек, на которых формируют методом плазменного парофазного химического осаждения пленки или покрытия различных материалов, в частности углеродные (алмазные) пленки или покрытия. Держатель подложки выполнен в виде диска из тугоплавкого высокотемпературного переходного металла, при этом верхняя поверхность держателя, выполнена шлифованной, а нижняя поверхность держателя содержит кольцевые пазы, образованные концентрическими окружностями. Между кольцевыми пазами образованы внешний и средний теплоотводящие элементы в виде кольцевых выступов и центральный теплоотводящий элемент, представляющий собой выступ в виде круга. Обеспечивается повышение однородности распределения температурного поля по поверхности держателя, обеспечивающего однородность роста пленки по толщине. 10 з.п. ф-лы, 3 ил., 2 пр.

Изобретение относится к реакторам атомно-слоевого осаждения, в которых материал наносят на поверхности при последовательном осуществлении самоограниченных поверхностных реакций. Способ атомно-слоевого осаждения материала на партию подложек включает загрузку партии подложек в держатель подложек, находящийся в загрузочной камере реактора для нанесения материала, с формированием в держателе подложек вертикальной стопы горизонтально ориентированных подложек, в которой подложки расположены одна на другой, и разворот держателя подложек для получения горизонтальной стопы вертикально ориентированных подложек, в которой подложки расположены одна за другой, и опускание держателя подложек в реакционную камеру указанного реактора для нанесения материала посредством последовательных самоограниченных поверхностных реакций путем воздействия на партию подложек разделенными во времени импульсами подачи прекурсоров. Аппарат для осуществления упомянутого способа содержит механизм разворота, выполненный для разворота держателя подложек для получения горизонтальной стопы вертикально ориентированных подложек, в которой подложки расположены одна за другой, и подъемник, выполненный для опускания держателя подложек в реакционную камеру указанного реактора, для нанесения материала посредством последовательных самоограниченных поверхностных реакций путем воздействия на партию подложек разделенными во времени импульсами подачи прекурсоров. Обеспечивается система загрузки сверху реактора для нанесения материалов с вертикальным потоком газов, позволяющая загружать подложки, ориентированные горизонтально, а также устраняется необходимость в развороте каждой подложки по отдельности за счет разворота держателя подложек в целом и минимизация перемещения подложек при их загрузке в кластер реакторов. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 6 ил.

Настоящее изобретение относится к загрузочному устройству (100) реакционной камеры печи для инфильтрации для уплотнения штабелируемых пористых преформ (160-163), имеющих форму усеченного конуса, методом химической инфильтрации в газовой фазе направленным потоком и печи (200) для инфильтрации для уплотнения штабелируемых пористых упомянутых преформ (160-163). Указанное устройство содержит опорный поддон (110), первый штабель, имеющий нижние кольца (140-144) с инжекционными отверстиями (1401; 1411; 1421; 1431; 1441), второй штабель, имеющий верхние кольца (150-154), причем каждое верхнее кольцо имеет выпускные отверстия (1501; 1511; 1521; 1531; 1541), проходящие между внешней и внутренней окружностями каждого из верхних колец, первую непористую стенку (130), форма и размеры которой идентичны форме и размерам подлежащих уплотнению пористых преформ (160-163), расположенную на опорном поддоне (110) внутри нижних колец (140-144) первого штабеля и проходящую между опорным поддоном и верхним кольцом, расположенным в основании второго штабеля, и вторую непористую стенку (170), форма и размеры которой идентичны форме и размерам подлежащих уплотнению пористых преформ (160-163), проходящую между нижним кольцом (143), расположенным на вершине первого штабеля, и верхним кольцом (154), расположенным на вершине второго штабеля. Упомянутая печь содержит реакционную камеру (210), впускную трубу (221) газа-реагента, расположенную в первом конце камеры и ведущую в зону (222) предварительного нагрева, и выпускную трубу (231), расположенную во втором конце камеры, противоположном первому концу, и упомянутое загрузочное устройство (100) реакционной камеры. Обеспечивается возможность уплотнять пористые преформы, имеющие форму усеченного конуса, с высоким объемом загрузки и с минимальными градиентами уплотнения в подложках. 2 н. и 9 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к способу и оснастке для осаждения из паровой фазы металлического покрытия на детали из жаропрочного сплава и может быть использовано для нанесения такого покрытия на детали турбомашин, подвижные лопатки или лопатки статора газотурбинного двигателя. Осуществляют обеспечение образующей камеру коробки, включающей боковую стенку и плиту, образующую дно коробки. Помещают в камеру гранулы донора металла упомянутого покрытия и активатора, образующих галогенид металла покрытия с образованием подстилающего слоя гранул на дне коробки. Обеспечивают опору для деталей, содержащую плиту, поддерживаемую колонками опоры. Подвешивают упомянутые детали на плите опоры. Помещают опоры в камеру сверху подстилающего слоя гранул, расположенного на дне коробки, так что детали не контактируют с подстилающим слоем гранул. Закрывают коробку, нагревают камеру в атмосфере нейтрального или восстановительного газа до температуры химической реакции галогенида металла покрытия с жаропрочным сплавом, из которого изготовлены детали. Нейтральный или восстановительный газ вводят в закрытую коробку через боковую стенку коробки и выпускают в коробку над подстилающим слоем гранул. Предложенная оснастка содержит по меньшей мере одну коробку с по меньшей мере одной опорой для упомянутых деталей, выполненной в виде плиты, удерживаемой параллельно дну коробки с помощью поддерживающих колонок и снабженной приемными отверстиями для подвески деталей. Обеспечивается улучшение осуществления способа за счет снижения влияния на него оснастки и увеличения полезного объема для размещения дополнительных деталей внутри коробок, в частности уменьшение поверхности оснастки относительно поверхности деталей, количества и веса оборудования. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 5 ил.
Наверх