Биполярный латеральный магнитотранзистор

 

Изобретение относится к биполярному латеральному магниготранзистору, который используется в качестве датчика магнитного поля. Цель изобретения - повышение магниточувствительности. Биполярный латеральный магтпотранзистор включает полупроводниковую пластину первого типа проводимости, в приповерхностной области которой сформированы последовательно на расстоянии дру( от друга первая контактная базовая область первого типа проводимости, инжекторная область второго типа проводимости, коллекторная область второго типа проводимости и вторая контактная базовая область первого типа проводимости. В приповерхностной области пластины дополнительно сформирована вторая инжекторная область второго типа проводимости, расположенная с противоположной сюроны от первой контактной базовой области ча расстояни,. большем, чем оассюяние между первой контактной базо&ой областью и первой инжекторной областью, Введение дополг-:.- тельной инжекторной области погоняет управлять коллекторным токлм в зависимо сти от направления магнитного поля, что позволяет детектировать г..рнь слабые магнитные поля. 1 ил. С

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51)5 Н 01 (29/82

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (89) BG/37507 (48) 21.12,83 (21) 7773490/25 (2?) 05.07.84 (31) 61655 (32) 08,07.83 (33) BG (46) 30.12.91. Бюл, М 48 (71) Институт по физике твердого тела (BG) (72) Йордан Димитров Касабов (BG) и

Н. Д. Смирнов (SU) (53) 621.382(088.8) (54) БИПОЛЯРНЫЙ ЛАТЕРАЛЬНЪ|Й MAI

НИТОТРАНЗИСТОР (57) Изобретение относится к биполярному латеральному магнитотранзистору, который используется в качестве датчика магнитного паля. Цель изобретения повышение магниточувствительности, Биполярный латеральный магнитотранэистор включает полупроводниковую пластину первого типа проводимости, в приповерхИзобретение относится к микроэлектронике, а именно к биполярным латеральным магнитотранзисторам, используемым в качестве датчиков магнитного поля, Известны биполярные магнитотранэисторы содержащие эмиттер, базу и коллектор с соответствующими контактами, Недостатком такого транзистора являе ся невысокое значение магниточувствительности, обусловленное размерами базовой области и расположением коллекторной области.

Наиболее близким к предлагаемому является биполярный латеральный магнитотранзистор, содержащий полупроводнико Ы 1702458 А1 ностной области которой сформированы последовательно на расстоянии друг от друга первая контактная базовая область первого типа проводимости, инжекторная область второго типа проводимости, коллекторная область второго типа проводимости и вторая контактная базовая область первого типа проводимости. В приповерхностной области пластины дополнительно сформирована вторая инжекторная область второго типа проводимости, расположенная с противоположной стороны от первой контактной базовой области на расстолнм большем, чем расстояние . ежду первой контактной базовой областью и первой инжекторной областью, Введение дополнительной инжекторной области позволяет управлять коллектарным током в завис ..ости от направления магнитного поля, что позволяет детектиравать очень слабые лагнитные поля, 1 ил. вую пластину первого типа проводимости, в приповерхностной аблас и которой сформированы последовательно на расстоянии друг от друга первая контактная базовая область первого типа проводимости, инжекторная область втсрого типа проводимости, коллекторная область второго типа проводимости и вторая контактная базовая область первого типа проводимости.

Однако известный биполярный латеральный транзистор характеризуется низкой магниточувствительностью пои коллекторных токах, превышающих 0.5 л А.

Цель изобретения — повышение магниточувствительности, 1702458

Поставленная цель достигается тем, что

В биполярном латеральном магнитотранзисторе, содержащем пог1упроводниковую пластину первого типа проводимости, в приповерхностной области которой сформирОВаны последовательно на расстоянии друг от друга. первая контактная базовая область первого типа про1зодимости, инжекторная область Второго типа проводимости, коллекторная область Второго типа провоДимОсти и ВтораЯ! контактная базовая об ласть rlepeoro тиг1а прОВОдимости, В приповерхностной области пластины дополнительно сформирована вторая инжекторная область Второ1о типа проводимости, расположенная с противоположной стороны от первой контактной базовой области на расстоянии большем, чем расстояние между первой контактно1л базовой областью и первой инжекторной областью.

На чертеже прлведен биполярный латеральный магни готранзистор, поперечный разрез, со схемой его внешнего соединения.

Биполярный латеральный магнитотранзистор состоит иэ полупроводниковой пластины 1 первого типа проводимости, в приповерхностной о1зласти которой сформированы последовательна расположенные на расстоянии один о другого первая контактная базовая область 2 первого типа проводимости, инжекторная область 3 Второго типа проводимости, коллекторная область 4 второго типа npoeoöèìoñòè и вторая контактная базовая область 5 первого типа проводимости, С другой стороны первой кснтактной базовой области 2 располо>кена дополнительная инжекторная область 6 второго типа проводимости. Инжекторные области 3 и 6 соединены между

СОбОЙ и пОДключены В прямом напраВлении по отношению к Второл контактной базовой области 5 с источником питания (JAN. Первая контактная базовая область 2 подключена к тому же источнику питания Ul и по отношению к Второй контактной базовой области той же полярности, Коллекторный р-и-переход, образованный областями 4 и 1, подключен в обратном направгении по отношению к второй контактной базовой области 5 и второму источнику постояннсго напряжения 02, в Br0 цегь подсоединено сопоо.ивление нагрузки R<. Внешнее постоянное

ЗО

50 или переменное магнитное поле В7 расположено перпендикулярно со стороны магнитотранзистора. Выходной сигнал снимается между коллекторной областью 4 и второй контактной базовой областью 5.

Устройство работает следующим образом, Посредством напряжения питания О и регулируемых сопротивлений R1 и й2 выбирают режим действия прибора, при котором обе инжекторные области 3 и 6 инжектируют одновременно неосновные носители в пластине 1, при этом инжекторная область

3 работает в режиме отрицательного сопротивления. Коллекторный ток магнитотранзистора определяется током неосновных носителей. ин>кектированных в пластину 1 инжекторной областью 3. Магнитное поле B воздействует на ин>кектированные неосновные носители инжекторных областей 3 и

6, и в зависимости от направления коллекторнь1й ток повышается или понижается.

Введение дополнительной инжекторной области позволяет повысить магниточувствительность и возможность детектирования очень слабых магнитных полей при одновременном повышении каллекторного тока на два-три порядка. что способствует повышению помехозащищенности.

Формула изобретения

Биполярный латеральный магнитотранзистор, ьключающий полупроводниковую пластину первого типа проводимости, в приповерхностной области которой сформированы последовательно на расстоянии одна от другой первая контактная базовая область первого типа проводимости, инжек:орная область второго типа проводимости, коллекторная область второго типа проводимости и вторая контактная базовая Область первого типа проводимости, о т л ич а о шийся тем, что, с целью повышения магниточувствительности, в приповерхностной области пластины дополнительно сформирована вторая инжекторная область второго типа проводимости, расположенная с противоположной стороны от первой контактной базовой области на расстоянии большем, чем расстояние между первой контактной базовой Областью и первой инжекторной областью, 1702458

Составитель B. TèxoíîB

Редактор Л.Пчолинская Техред M,Ìîðãåíòàë Корректор Н,Ревская

Заказ 4548 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101