Диэлектрический керамический материал для термокомпенсации
Изобретение относится к электронной технике, в частности к составам керамических диэлектриков, и может быть использовано при изготовлении термокомпенсирующих высокочастотных конденсаторов . Для снижения температуры спекания диэлектрический керамический материал для термокомпенсации содержит дополнительно BteWOe и LINbOa при следующем соотношении компонентов, мас.%: Sr2Nb20 41,6-85,2, BiaWOe 14,0-55,2 и LiNbOa 0,8- 3.2. Полученный по обычной керамической технологии материал имеет характеристики , данные в описании. 2 табл.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (19) (! l) ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4774376/33 (22) 26.12.89 (46) 15.03.92. Бюл. N. 10 (71) Рижский политехнический институт им.
А.Я. Пельше и Республиканский межотраслевой научно-технический комплекс "Бытовая радиоаппаратура" (72) И.В. Аболтиня, И.С. Виноградова, Т.К.
Кутузова, P.Ê. Рамата, С.Л. Скалозуб и Д,Н.
Сухов (53) 666.638(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР
N 1315440, кл. С 04 В 35/46, 1987.
Авторское свидетельство СССР
М 1595817, кл, С 04 В 35/00, 1989.
Изобретение относится к электронной технике, в частности к составам керамических диэлектриков, и может быть использовано при изготовлении термокомпенсирующих высокочастотных конденсаторов.
Цель изобретения — снижение температуры спекания.
Керамику на основе пирониобата стронция с добавками ниобата лития и вольфрамата висмута получают из карбонатов лития, стронция, оксидов висмута, вольфрама (see марки ч.д.а,) и ос.ч. пятиокиси ниобия марки ТУ-6-09-4047-86.
Составные части синтезируют отдельно (Сг2ЙЬ|0т при 900 С, LINbOg и Bi2WOo при
700 С по 2 ч). Смешивание и измельчение компонентов до и после синтезов осуществляют в яшмовом барабане в среде этило(s(>s С 04 В 35/00, Н 01 G 4/12 (54) ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ TEPMOKOMI1EHCAЦИИ (57) Изобретение относится к электронной технике, в частности к составам керамических диэлектриков, и может быть использовано при изготовлении термокомпенсирующих высокочастотных конденсаторов. Для снижения температуры спекания диэлектрический керамический материал для термокомпенсации содержит дополнительно 8(2WO(и LiNbO при следующем соотношении компонентов, мас. : Яг2МЬ20т
41,6 — 85,2, Bi2WOg 14,0-55,2 и ОМЬОз 0,8—
3,2. Полученный по обычной керамической технологии материал имеет характеристики, данные в описании. 2 табл. вого спирта в течении 16 ч, затем порошок брикетируют. Совместный синтез
SI2Nb201 с добавками LiNb03 и Bi2WO(; проводят при 950 С, 4 ч. Для спекания образцы Я= 0,012 м прессуют поддавлением
1000 кгс/см . В качестве связки используют
3%-.ный водный раствор поливинилового спирта. Спекание керамических материалов проводят при 1140-1180 С. 1 ч. На сошлифованные диски наносят платиновую пасту и вжигают при 7500С, аким образом получая термостабильные электроды толщиной
1 MK.
Химический состав материалов приведен в табл. 1,свойства — в табл. 2.
Формула изобретения
Диэлектрический керамический материал для термокомпенсации на основе
Я(ИЬ207, отличающийся тем. что, с
1719357
41,6-85,2
14,0-55,2
0,8-3,2, S г2 М Ь207
В 12М/06
ОКЬОз целью снижения температуры спекания, он дополнительно содержит B12W06 и 0ИЬОз при следующем соотношении компонентов, мас. ;
Таблица 1
Таблица 2
3 Прототип
Свойства
5,.4
1260-1280
4,8
1160
1180
5,2
5,3
113
127
211
210
Температурный коэффициент емкости
ТКЕ 10 в интервале температур (-80)-(25) С, град"
+160 +158
+(159.-160) +161
Температурный коэффициент емкости
ТКЕ 10 в интервале температур (+25)-(+125) С, град
+(430-625) +480
+412
+555
Температурный коэффициент емкости
ТК8 10 в интервале температур
{+125)-{750) С, град 1
+(200-550) +470
+570
+500
Тангенс угла диэлектрических по" ф,104 „ „ 20оC
12 I3- IS
149 140-156
Тангенс угла диэлектрических потерь, tg 8 10 при 750 С
163
154
1 03 ° 10 1 04 10 (1 04-1 7) 10
Удельное электрическое сопротивление, Оч при 750 С, Ом см
1, 04" 10
Составитель Л. Косяченко
Редактор В, Фельдман Техред М.Моргентал . Корректор Л, бескид
Заказ 738 Тираж Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва. Ж-35, Раушская наб., 4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент". г, Ужгород, ул.Гагарина, 101
Оптимальная температура спекания, С о з в
Плотность р.10, кг/и
Диэлектрическая проницаемость
Я при 20 С
Диэлектрическая проницаемость Ятвв при 750 С
125 110""126 .205 200-210.
