Устройство для магнитооптических температурных исследований феррит-гранатовых пленок

 

Изобретение относится к магнитометрической технике и предназначено для исследования магнитных характеристик пленок в устройствах памяти на цилиндрических доменах. Сущность изобретения: устройство содержит источник света 1, поляризационный микроскоп 2, держатель 4, проточный термостат 5, источник постоянного магнитного поля 6, трубопровод 9, проволочный нагреватель 10, источник импульсного магнитного поля 8, а держатель 4 имеет гнездо с кольцевым выступом и установлен подвижно в направляющем пазу термостата 5. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)5 G 01 R 33/05

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

14 (21) 4811225/21 (22) 09.04,90 (46) 15.05,92, Бюл. ¹ 18 (71) Свердловский завод автоматики (72) Г.Ф.Грязев, А.Г.Талуц и С.И.Нестеренко (53) 621.317(088.8) (56) Логунов М.В. и др. — ПТЭ, 1985, ¹ 5, с.

247-248.

Беляева А,И. и др. Проточные криостаты для лабораторных исследований. Киев: Наукова думка, 1987, с. 114 — 115. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ МАГНИТООПТИЧЕСКИХ ТЕМПЕРАТУРНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ ФЕРРИТ-ГРАНАТОВЫХ ПЛЕНОК

„„5U„„1734058 А1 (57) Изобретение относится к магнитометрической технике и предназначено для исследования магнитных характеристик пленок в устройствах памяти на цилиндрических доменах, Сущность изобретения: устройство содержит источник света 1, поляризационный микроскоп 2, держатель

4, проточный термостат 5, источник постоянного магнитного поля 6, трубопровод 9, проволочный нагреватель 10, источник импульсного магнитного поля 8, а держатель 4 имеет гнездо с кольцевым выступом и установлен подвижно в направляющем пазу термостата 5, 2 ил.

1734058

Изобретение относится к магнитным 11 открыт, а вентиль 12 закрыт. Газообразизмерениям и предназначено для исследо- ный криоагент, полученный, например, исвания температурных магнитных характе- парением жидкого азота, под действием ристик феррит-гр ф рит-гранатовых пленок избыточногодавления поступаетпотрубопЧ используемых в качестве запоминающей 5 роводам 13 и 9 в термостат 5, обтекает сверсредывустройствахпамятинацилиндриче- ху и снизу образец 3 и выходит через ских магнитных доменах ( доменах (ЦМД). отверстия в верхней и нижней стенках терЦель изобретения — расширение обла- мостата (на фиг.1 показано стрелками). При сти применения устройств . стройства. непрерывной подаче криоагента воздух из

На фиг.1 схематически показано пред- 10 промежутка между объективом микроскопа лагаемое устройство; на фиг.2 — проточный 2 и верхней катушкой, а также между контермостат с держателем в двух проекциях. денсатором и нижней катушкой источника

Устройство содержит оптически связан- вытесняется быстрее, чем объектив и конные источник 1 света, поляризационный денсатор успеют охладиться до температумикроскоп cñïåðóåì À об- 15 ры ниже точки росы. Это предотвращает обмерзание объектива и конденсатора микпленки, установленный перпендикулярно роскопа. Регулируя ток нагревателя 10 при оптической оси микроскопа 2 в держателе 4, заданном потоке криоагента и одновременскользящем в направляющем пазу проточ- но контролируя напряжение на выходе терного термостата 5, источник 6 постоянного 20 мопары 7, устанавливают требуемую магнитного поля, ориентированный вдоль температуру образца. оптической оси микроскопа 2 и выполнен- Для создания температуры выше комный в виде катушек Гельмогольца, между натнойобдувобразцаосуществляется потокоторыми размещен термостат 5, термопа- ком сжатого воздуха, нагретого с помощью

7, измерительный спай которой установ- 25 нагревателя 10 до нужной температуры. ру, и л е н внутри терм оста та вблизи Указанный режим обеспечивается при закр—

ыконтролируемого участка образца 3, источ- том вентиле 11 и открытом вентиле 12. Устаник 8 импульсного магнитного поля в виде новка и поддержание заданной катушки, расположенной втермостатесоос- температуры аналогичны режиму низких но с источником постоянного магнитного 30 температур. поля, основной трубопровод 9 с проволоч- В результате, не извлекая образца из нымнагревателем10внутри,двавентиля11 термостата, можно проводить исследоваи 12, два дополнительных трубопровода 13 ния в любой точке пленки в диапазоне теми 14, соединенных с входом основного тру- ператур от -50 до 100 С. бопровода 9 и через вентили 11 и 12 — с 35 Проведение исследований феррит-граисточниками криоагента и сжатого воздуха. натовых плвнок основано на магнитооптиДержатель 4 имеет гнездо 15 с кольцевым ческом эффекте Фарадея. выступом 16 для установки образца и про- Визуализация доменной структуры обрезь17. Верхняя и нижняя стенки термоста- разца осуществляется с помощью источнита выполнены с двумя соосными 40 ка 1 света и поляризационного микроскопа отверстиями 18 и 19 соответственно. 2, Для прохождения светового потока в верУстройство работает следующим обра- хней и нижней стенках термостата предусзом. мотрены отверстия 18 и 19, совпадающие с

Образец 3 феррит-гранатовой пленки в оптической осью микроскопа. Наблюдают в виде шайбы устанавливается на выступ 16 45 окуляр микроскопа увеличенное изображегнезда подвижного держателя. 4, который ние доменной структуры пленки в виде чевставляется в паз термостата 5, Для обеспе- редующихся темных и светлых полос. чения перемещения держателя в термоста- Устанавливая в рабочем объеме термоте и удобства установки и съема образца стата требуемую температуру и воздействуя ержатель имеет в торцовой части прорезь 50 на образец магнитными полями источников

А

17. Держатель плотно подогнан к стенкам 6 и 8, определяют температурную завистермостата и имеет свободный ход, позво- мость(температурный коэффициент) периоляющий просматривать исследуемый обра- да страйп-структуры, напряженности поля зец по всему диаметру. Поворотом образца коллапса и эллиптической неустойчивости в гнездедержателя и перемещениемдержа- 55 ЦМД, а также поведение доменных границ теля в направляющем пазу термостата мож- в интервале температур. При этом источник но вывести под оптическую ось любую точку 6 постоянного магнитного поля обеспечивао разца. бразца. ет необходимую величину напряженности

При работе устройства в режиме низких поля смещения в пределах области сущесттемператур(от-50 С до комнатных) вентиль вования ЦМД. Импульсная катушка 8 пред1734058 назначена для выпрямления доменной структуры пленки при изменении периода, для зарождения доменов в процессе исследования коллапсирования ЦМД и для смещения доменных границ.

Использование предлагаемого устройства позволяет расширить возможности магнитооптических исследований ферритгранатовых пленок путем обеспечения контроля образцов в виде шайб большого диаметра, расширения верхней границы температурного диапазона и воздействия на контролируемый образец импульсным магнитным полем.

Кроме того, конструкция подвижного держателя с гнездом позволяет легко производить смену образца без разборки устройства.

Формула изобретения

Устройство для магнитооптических температурных исследований феррит-гранатовых пленок, содержащее оптически связанные источник света и поляризационный микроскоп, источник постоянного магнитного поля, ориентированного вдоль оптиче5 ской оси микроскопа, проточный термостат, размещенный внутри источника постоянного магнитного поля, держатель и термопару, размещенные внутри термостата, трубопровод, выход которого соединен с термоста10 том, проволочный нагреватель, установленный внутри трубопровода, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью расширения области применения, в него введены источник импульсного магнитного поля в

15 виде катушки, расположенной внутри проточного термостата соосно с источником постоянного магнитного поля, а держатель снабжен гнездом с кольцевым выступом и установлен подвижно в направляющем пазу

20 термостата с плотной подгонкой к его стенкам.

Устройство для магнитооптических температурных исследований феррит-гранатовых пленок Устройство для магнитооптических температурных исследований феррит-гранатовых пленок Устройство для магнитооптических температурных исследований феррит-гранатовых пленок 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к магнитометрии тонких пленок и может быть использовано для контроля их параметров при использовании в запоминающих устройствах

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для измерения характеристик магнитных пленок

Изобретение относится к технике контроля намагниченности насыщения ферритов на СВЧ

Изобретение относится к технике магнитных измерений и может быть использовано для изготовления сенсоров

Изобретение относится к технике измерения магнитных параметров и может быть использовано для неразрушающего локального экспресс-контроля намагниченности насыщения пленок с осью легкого намагничивания , расположенной в плоскости пленки Цель изобретения - повышение точности измерений - достигается тем, что переменное магнитное поле направлено в плоскости пленки, а регистрацию переменной составляющей оптического сигнала проводят при использовании тангенциального магнитооптического эффекта

Изобретение относится к технике измерений параметров магнитных материалов и может быть использовано для измерения параметров магнитных ферритовьгх пленок

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах

Изобретение относится к магнитометрам и может быть использовано для измерения напряженности магнитного поля и вектора магнитной индукции в науке, промышленности, медицине

Изобретение относится к электроизмерительной технике и, прежде всего, к магнитометрии

Изобретение относится к области электротехники, в частности к магниторезистивным считывающим элементам, и может быть использовано в компьютерной технике для считывания информации с магнитных носителей с высокой информационной плотностью, а также в сенсорной технике и автоматике

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения напряженностей магнитных полей, например, в геофизических исследованиях

Изобретение относится к электроизмерительной технике

Изобретение относится к приборостроению и может быть использовано для определения полей рассеяния микроскопических объектов, в частности магнитных головок

Изобретение относится к способам измерений параметров тонких магнитных пленок (ТМП) и может найти применение при научных исследованиях и технологическом контроле образцов ТМП, например, гранатовых эпитаксиальных структур

Изобретение относится к радиоэлектронике и электронной технике и может быть использовано при измерении параметров ферромагнитных пленок как в процессе их производства, так и при изготовлении пленочных спин-волновых СВЧ-приборов

Изобретение относится к приборостроению и может быть использовано при изготовлении элементов, предназначенных для измерения и детектирования магнитных полей
Наверх