Аттенюатор на поверхностных акустических волнах

 

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в качестве акустического плавно регулируемого аттенюатора и переключателя каналов. Цель изобретения - расширение диапазона рабочих частот. На пьезоэлектрической подложке 1 установлены входные 2 и выходные 3 и 4 преобразователи поверхностных акустических волн и многополосковый ответвитель 5, средняя часть 6 каждого электрода выполнена из V02. При нагревании полоски 6 в аттенюаторе происходит фазовый переход полупроводник - металл, при котором его сопротивление уменьшается, выходной сигнал на преобразователе 4 увеличивается. 1 ил

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51)5 Н 03 Н 9/25

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4456508/22 (22) 06.07.88 (46) 30.05.92. Бюл, N. 20 (71) Институт физики полупроводников СО

АН СССР и Специальное конструкторскотехнологическое бюро микроэлектроники (72) А. М. Жаров и А. Г. Малолыченко (53) 621.315.612.5(088.8) (56) Речицкий В. И. Акустоэлектрические радиокомпоненты. М,: Сов. радио, 1980.

Патент EP No 0064382, кл. Н 03 Н 9/64,,1982. (54) ATTEHIQATOP НА ПОВЕРХНОСТНЫХ

АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ

„... Ж„, 1737704 А1 (57) Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в качестве акустического плавно регулируемого аттенюатора и переключателя каналов. Цель изобретения — расширение диапазона рабочих частот. На пьезоэлектрической подложке 1 установлены входные 2 и выходные 3 и

4 преобразователи поверхностных акустических волн и многополосковый ответвитель

5, средняя часть 6 каждого электрода выполнена из VOz. При нагревании полоски 6 в аттенюаторе происходит фазовый переход полупроводник — металл, при котором его сопротивление уменьшается, выходной сигнал на преобразователе 4 увеличивается. 1 ил, 1737704

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в качестве акустического плавно регулируемого аттенюатора и переключателя каналов.

Известно устройство, состоящее из пьезоэлектрического звукопровода, входного и нескольких выходных встречно-штыревых преобразователей (ВШП), причем входной

ВШП имеет апертуру, равную суммарно апертуре выходных преобразователей. B акустическом канале каждого выходного преобоазователя расположена двухступенчатая секция тонкой металлической пленки, нанесенной на поверхность звукопровода.

При различной протяженности ступеней металлической пленки поверхностная акустическая волна (ПАВ) разделяется на две волны с различной начальной фазой, Амплитуда суммарного сигнала на каждом из.выходных преобразователей определяется относительным фазовым сдвигом частей волны, т, е. зависит лишь от разности протяженности металлической пленки в ступенях соответствующей секции.

Недостатками этого устройства являются частотная зависимость коэффициента ослабления и большие габариты.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является устройство, содержащее входной и два выходных преобразователя ПАВ, расположенных в двух параллельных пространственных каналах, и расположенный между ними многополосковый ответвитель (МПО), апертура которого не меньше суммарной апертуры выходных преобразователей. В центральной части MilO электроды имеют разрывы, заполненные слоем материала, электропроводность которого зависит от освещенности. Амплитуда сигнала на выходном преобразователе регулируется изменением уровня освещенности участков фотопроводящего материала.

Цель изобретения — расширение диапазона рабочих частот.

Поставленная цель достигается тем, что в устройстве на ПАВ, содержащем входной и два выходных преобразователя, расположенных на пьезоэлектрическом звукопроводе в двух параллельных пространственных каналах, и расположенный между ними МПО, средняя часть каждого электрода которого, находящаяся между акустическими каналами (или их части), выполнена из двуокиси ванадия (ЧО ), электропроводность которого изменяется скачком при темперэтуре фазового перехода (64 — 68 С), При эт м в области средней части электродов МПО, выполненной из VOg (над или под электродами), могут находить5

55 ся электрически изолированные от них тонкопленочные резистивные нагреватели.

На чертеже представлена конструкция аттенюатора на ПАВ.

Аттенюатор на ПАВ содержит пьезоэлектрическую подложку 1, входной 2 и выходные 3 и 4 преобразователи llAB u многополосковый ответвитель 5, средняя часть 6 каждого электрода которого (или их части) выполнена из VOz, электропроводность которого изменяется скачком при температуре фазового перехода.

Контактные площадки 7 служат для подключения внешних источников постоянного электрического тока, которым может быть изменена при необходимости температура и сопротивление полоски 6, В области средней части 6 электродов

МПО, выполненных из ЧО, расположены электрически изолированные от них посредством диэлектрической пленки 8 тонкопленочные резистивные нагреватели 9, причем последние могут находиться как непосредственно на поверхности подложки, так и над электродами МПО, Аттенюатор на ПАВ работает следующим образом, При нагревании полоски 6 из VOz до 64 — 68 С в нем происходит фазовый переход полупроводник — металл, при котором его сопротивление уменьшается на 2 — 4 порядка, При температуре ниже точки фазового перехода сопротивление полосок 6 из указанного материала велика, и ПАВ с входного преобразователя 2 распространяется только по каналу А до выходного преобразователя 3, т. е, сигнал на преобразователе 3 максимален, на преобразователе 4 минимален. При пропускании через любой электрод

МПО 5 тока от внешнего источника полоска

6 нагревается и при достижении температуры фазового перехода переходит в проводящее состояние, электрически соединяя части электрода, расположенные в канале А и в канале Б, При увеличении числа полосок

6, находящихся в- проводящем состоянии, увеличивается протяженность работающей части МПО, что приводит к увеличению выходного сигнала на преобразователе 4 и уменьшению выходного сигнала на преобразователе 2.

При определенном числе проводящих электродов МПО амплитуда сигнала в канале А (после МПО) становится минимальной, а в канале Б — максимальной. Это соответствует L/Ь = 1 (LT — оптимальная длина МПО для полной передачи сигнала из канала А в канал Б) и 110 Электродам МПО для звукопровода из ИМЬОз YZ-среза. При уменьше1737704

30

40

50

Составитель О, Яковлева

Техред M.Ìîðãåíòàë Корректор О, Ципле

Редактор М. Петрова

Заказ 1905 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 нии числа электродов МПО амплитуда сигнала в канале Б уменьшается, а в канале А возрастает.

Относительное изменение амплитуд сигналов на преобразователях 3 и 4 может быть получено также одновременным изменением электросопротивления между частями электродов МПО 5, расположенных в каналах А и Б, при изменении количества подключенных к внешнему источнику напряжения резистивных нагревателей 9 и изменении вследствие этого протяженности имеющих высокое cGl.lротивление участков полосок 6 из V02.

Аттенюатор на ПАВ позволяет изменить коэффициент ослабления с высокой точностью за счет обеспечения его плавной регулировки.

Предлагаемое устройство целесообразно использовать в качестве аттенюатора и переключателя каналов, Формула изобретения

Аттенюатор на поверхностных акустических волнах (ПАВ), содержащий пьезоэлектрическую подложку с изготовленными на ее поверхности входным и двумя выход5 ными преобразователями ПАВ, находящимися в двух параллельных пространственных каналах, и расположенный между ними многополосковый ответвитель, апертура которого не меньше

10.,суммарной апертуры выходных преобразователей, отличающийся тем, что с целью расширения диапазона рабочих частот, в него введены электрически изолированные тонкопленочные резистивные

15 нагреватели, электроды средней части многополоскового ответвителя выполнены из двуокиси ванадия VOz, при этом нагреватели установлены в области средней части многополоскового ответвителя, 20

Аттенюатор на поверхностных акустических волнах Аттенюатор на поверхностных акустических волнах Аттенюатор на поверхностных акустических волнах 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано в радиоэлектронных частотно-селектирующих системах, например, в узкополосных фильтрах и резонаторах, применяемых для стабилизации частоты задающих автогенераторов

Изобретение относится к радиоэлектронике и может использоваться в акустоэлектронных устройствах обработки радиосигнала

Изобретение относится к радиоэлектронике и может использоваться в резонаторах на поверхностных акустических волнах (ПАВ)

Изобретение относится к пьезоэлектрическому элементу, содержащему кристалл с по меньшей мере одной, в основном плоской плоскостью для акустического использования поверхностных волн

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано в фильтрах промежуточных и несущих радиочастот для селекции сигналов в радиотелефонах, пейджерах, мобильных системах связи и т.д

Изобретение относится к области радиоэлектроники и может использоваться в акустоэлектронных устройствах для обработки сигналов на поверхностных акустических волнах (ПАВ)

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано в приборостроении и машиностроении для измерения деформации, а также сосредоточенных сил, давления газов и жидкостей

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано в приборостроении и машиностроении для измерения деформации, а также сосредоточенных сил, давления газов и жидкостей

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в приборостроении и электронной промышленности для корпусирования и герметизации изделий функциональной электроники

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в радиоэлектронной промышленности для создания генераторов сверхвысокочастотного диапазона

Изобретение относится к акустоэлектронным устройствам на поверхностных акустических волнах (ПАВ) и может быть использовано для определения физических и химических параметров газовых сред (жидкости), преимущественно для создания беспроводных дистанционных аналитических систем на основе ПАВ-сенсоров и систем радиочастотной идентификации

Изобретение относится к электронным приборам на основе поверхностных акустических волн

Изобретение относится к акустоэлектрони ке и может быть использовано в радиоэлектронных узкополосных частотноселектирующих системах с повышенной частотной избирательностью
Наверх