Устройство для получения кристаллов


C30B1 - Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J 3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L);

 

Устройство для получения кристаллов, включающее камеру роста, держатели кристалла, нижний из которых закреплен в опорной плите, электронно-лучевой нагреватель, кинематически связанный с приводом вертикального перемещения, и высоковольтный источник питания, отличающееся тем, что, с целью повышения чистоты получаемых кристаллов, расширения технологических возможностей устройства и повышения его надежности, нижний держатель кристалла снабжен съемным теплопроводным кольцом, закрепленным в опорной плите, выполненной охлаждаемой и разделяющей камеру на две части, привод и источник питания установлены в нижней части камеры, а нагреватель - в верхней.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к высокотемпературной технологии соединения тугоплавких токопроводящих материалов - позволяет проводить герметизацию контейнера без разложения и сублимации помещенной в нем загрузки

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов из расплава в ампуле и может быть применено для выращивания щелочно-галоидных кристаллов

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов под защитной жидкостью способом Чохральского и может быть использовано для управления процессом кристаллизации на ростовых установках с весовым методом контроля Известны способы, а также устройства управления процессом выращивания монокристаллов под защитной жидкостью методом Чохральского Целью изобретения является улучшение качества выращиваемых монокристалмонокристалла посредством управления температурой расплава и скоростью вытягивания монокристалла по отклонению скорости изменения веса кристалла от заданной величины - на участке разращивания монокристалла , и по состоянию - на участке стабилизации диаметра монокристаллов, для чего используют восстановление переменных состояния с помощью модели процесса кристаллизации и вырабатываемых управляющих воздействий

Изобретение относится к технике сцинтилляционных детекторов на базе ортогерманата висмута В14Сез012, применяемых в физике высоких энергий, в дозиметрии, в сцинтилляционных экранах для сканирующих электронных микроскопов, компьютерной томографии и в радиационной технике, связанной с эксплуатацией ядерно-энергетических установок, гамма-картонажных геофизических устройств для ионной имплантации

Изобретение относится к способу выплавления остатков расплава тугоплавких оксидов и позволяет исключить загрязнение выплавляемых остатков расплава материалом контейнера

Изобретение относится к способу выращивания монокристаллов гематита а - РеаОз и позволяет увеличить размеры монокристаллов в направлении тригональной оси

Изобретение относится к технике получения искусственных кристаллов и обеспечивает повышение качества монокристаллов Устройство содержит камеру роста с тиглем для расплава, формообразоватепь и средство перемещения затравкодержателя Средство выполнено в форме двух коаксиально размещенных барабанов, консольно установленных на валах с возможностью вращения и осевого перемещения На внешней поверхности наружного барабана выполнена винтовая нарезка а к внутреннему барабану с помощью гибкого элемента прикреплен затравкодержатель Получена монокристаллическая нить сапфира диаметром 0.3 мм

Изобретение относится к получению монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников ВТСП, которые могут быть использованы в микроэлектронике и технике низких температур

Изобретение относится к монокристаллическим ферритовым материалам (МКФ), предназначенным для сердечников видеоголовок сверхплотной записи, работающих в диапазоне до 50 МГц

Изобретение относится к способу получения малодислокационных монокристаллов арсенида галлия и позволяет увеличить однородность распределения дислокаций в объеме монокристалла

Изобретение относится к способам получения полупроводниковых твердых растворов CuAlxini-xS2, которые могут быть использованы как материалы для изготовления светодиодов для видимой и ультрафиолетовой областей, солнечных элементов
Наверх