Способ определения дифрактометрических характеристик фототермопластических носителей записи

 

Изобретение м.б. использовано в сенситометрии фототермопластических носите лей. Сущность изобретения1 измерение относительных величин световых потоков, диафрагированных в первый или нулевой порядки дифрак-ции. осуществляют по месту экспонирований носителя за плоскостью изображения растровой структуры Сканирование производят диафрагмированной областью экспонирующего светового потока в его частях, падающих на зеркало или на плоскость носителя 3 фиг., 1 табл

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ГОСУДАРСТВЕННЪ!Й КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЪ|ТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1 . (21) 4865381/12 . (22) 16,07.90 (46) 15.07:92. Бюл. М 26 (71) Всесоюзный государственный научноисследовательский .и проектный инстйтут химико-фотографической пр0мышленнбсти (12) А.П;Аксенчиков, А;В.Павлов и.С;А.НедуЖЙЙ (53) 77Z.93(088,8) (56) Недужий С.А. и Паволв А.В. — Сб..Регйстрирующие среды для изобразительной го- . лографии и киноголографии", Л.: Наука, 1919, с,143. (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ДИФРАКТОМЕТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТО-

Изобретейие относится к способам дифрактометрических характеристик фототермопластических носителей записи, со.стоит в измерении модуляционной и дифракционной эффективности (МЭ и ДЭ) растровой линейчатой структуры и может быть использовано в сенситометрии таких носителей.

Известен способ определения ДЭ на фототермопластических носителях записи, состоящий в формировании в плоскости экспонирования носителя интерференционной картины путем деления когерентного светового потока на две чэстй зеркалом Ллойда, образующим с плоскостью носителя прямой угол, ориентацию которого к потоку выбирают в соответствии с углом. схождения его частей, экпонировании очувствленного носителя образованной интерференционной картиной, тепловом проявлении растровой структуры и измерении величины ДЭ, т.е. относительно величины светового йотока, диафрагированного растровой структурой в, Ы3, 1748139 А1 (я)5 G 03 6 16/00

flK" ЮМ 1 1032

ТЕРМОПЛАСТИЧЕСКИХ НОСИТЕЛЕЙ 3АПИСИ (57) Изобретение м.б. использовано в сенситометрии фототермопластических носителей; Сущность изобретения: измерение

otíîñèòåéüHü!õ величин световых потоков, дйафрагйрованнь1х в первый или нулевой порядки дифракции; осуществляют по месту экспонирования носителя за плоскостью йзображения растровой структуры. Сканирование производят диафрагмированной областью экспонирующего светового потока в его частях, падающих на зеркало или на плоскость носителя. 3 фиг., 1 табл. первый порядок дифракции при ее сканировании считывающим лучом. ЭкспонированиЕ осуществляют при модулировании величины экспозиции по площади носителя, проявление проводят при варьируемь х значениях температуры нагрева для определения оптимального режима проявления с последующим измерением зависимости ДЭ от этих параметров, Недостатком способа является необходимость использования при измерениях действий, связанных с формированием считывающего светового потока, ориентации его по нормали к поверхности носителя и ориентации измерительного узла в первый или нулевой порядки дифракции, что снижает производительность прЬЦессб измерений.

Известен способ определения величин

ДЭ и МЭ (относительной величины суммарного дифрагированного потока) на фототермоп ластичес ких носителях записи, в котором использовано аналогичное форми1748139 рование интерференционной картины, экс- ютв соответствии соптимальнойдля даннопонирование областей носителя, проявле- ro носителя пространственной частотой ние их с градиентом температуры, ил исходя из.соотношения sin p=- 3ю, /2, ориентированным перпендикулярно на- где I nnx 1/2, д,д — толщина деформируправлению изменения величины экспози- 5 eMoro слоя носителя. Для толщин слоя носиции, и измерение ДЭ и МЭ. теля 1 — 5 мкм минимальная регистрируемая

Такой способ позволяет упростить на- пространственная частота растровой струк-1 хождение величин ДЭ и МЭ, однако также туры v,,,ñoñòàâëÿåò 100 мм требует для их измерения проведения опе- Экспонирование носителя записи при раций; связанных с формированием считы- 10 модулируемой величине экспозиции осуще- вающего луча и соответствующей ствляютлибо последовательно с перемещеориентации фотоприемника измерительно- нием носителя вдоль его длины го узла в первый или нулевой порядки диф- перпендикулярно плоскости зеркала, либо ракции. одновременно при модулируемой величине

Целью изобретения является сокраще "5 освещенности по длине носителя, располание длительности и упрощение процесса гаемого параллельно вершине двугранного определения дифрактометрических харак- угла системы: зеркало Ллойда — плоскость теристик фототермопластических носите- носителя, лей записи, Измерение распределения величин ДЭ

Цель достигается тем, что согласно спо- 20 или МЭ по площади носителя производят собу определения дифрактометрических ха- посредством сканирования сенситограммы рактеристик фототермопластических дифрагмированной до размера 1 мм об-. носителей записи, включающему формиРО- ластью экспонирующего светового потока в вание,в плоскости экспонирования носите- его частях, падающих на зеркало или на ля интерференционной картины путем 25 плоскость носителя, причем при сканироваделения когерентного светового потока на нии в части потока, падающего на зеркало, две части зеркалом Ллойда, образующим с определяют распределение величин ДЭ, а плоскостью носителя прямой угол, ориента- при сканировании à его части, падающей на . цию которого относительно потока выбира- плоскость носителя — распределение велиют в соответствии с углом схождения его 30 чины МЭ, частей к плоскости носителя. экспонирова- Измерения проводят за плоскостью эксние очувствленного носителя при модулиРу понирования носителя в дифракционном емых значениях экспозиции, тепловое порядке с угловой координатой, соответстпроявление полученной растровой структу- вующей направлению на источник излучеры и измерение относительных величин 35 ния. Угловой интервал, в котором дифрагированных световых потоков при производят измерения, определяют иэ уссканировании такой структуры считываю- ловия разделения на входном окне фотощим лучом, измерение осуществляют, эа приемника световых потоков, плоскостью экспонирования носите я B дифрагированныхвпервыйинулевойпорядифракционн порядке с угловой коорди- 40 док для минимальной пространственной чанатой, соответствующей направлению Рас- стоты.. пространения экспонирующего светового Величину МЭдля каждогоучастканосипотока, причем сканирование производят теля определяют по формуле диафрагмированной областью:этого потока (1) в его частях, падающих на зеркало или на 45 плоскость экспонирования носителя, где! — величина светового потока за плоскоПроведение измеРений за плоскостью стью экспонирования на участке беэ запиэкспонирования носителя с изображением си растровой структуры в дифракционном по- 1Π— величина светового потока за плорядкес угловой координатой, соответствую- 50 скостью экспонирования на участке с эащей направлению распространения писью. экспонйрующего светового потока, реали- Величину ДЭ определяют по формуле зуют путем размещения измерительного ус- о тройства, включающего фотоприемник и 7/ линзУ, за плоскоСтью экспонированиЯ носи- 55 HB фиг 1 изображена оптическая схеМ3 телЯ и сканирующей диафРагмы пеРед зер- экспонирования фототермопластического калом. носителя записи; на фиг.2 — оптическая схеУгол ориентации р зеркала Ллойда от- ма измерения ДЭ (сканирование сенситогНосительно направления распространения раммы проводят диафрагмированным экспонирующего светового потока выбира1748139 световым потоком в его части, падающей на мещая образец по его длине в направлении зеркало); на фиг,3 — оптическая схема изме- перпендикулярном плоскости зеркала. Длирения МЭ (сканирование сенситограммы тельность экспонирования каждого поля проводят диафрагмированным световым 5 сенситограммы составляет 1 с при освепотоком в его части. падающей на плоскость щенности первого поля 0,5 Вт/м . экспонирования носителя), Проэкспонированный образец помещаНа фиг,1 — 3 приняты следующие обозна- ют в устройство для проявления, обеспечи-. чения:1 — образецфототермопластического 10 вающего нагрев носителя с градиентом носителя, 2 — зеркало Ллойда. 3 — линза, 4 — температуры 40 С на гео рабочей ширине микрообъективс диафрагмой,5 — источник 20 — 22 мм в области температуры вязкого излучения, 6 — линза, 7 — фотоприемник, 8 — течения материала рабочего слоя {85-90 С) сканирующая диафрагма. и подвергают тепловому проявлению. ВреПример 1 (по прототипу). Образец 15 мя нагрева образца - 1 с. фототермопластического носителя записи Затем образец носителя помещают в марки ФТПГ, содержащего прозрачную . кассету узла измерения, расположенную по пленочную подложку шириной 35 мм; про- нормали к считывающему лучу, помещают зрачный проводящий слой и фототермопла- фотоприемник в положение нулевого по, стический деформируемый слой толщиной 5 20 рядка дифракции. Под считывающий луч усмкм, выполненный из композиции поливи- танавливают участок без записи и измеряют нилкарбазола стермопластическим связую- величинупрошедшего через него светового щим, помещают в подвижную кассету потока в нулевой порядок дифракции. Заустановки, включающей сенситометриче- тем устанавливают под считывающий луч ский источник света (лазер ЛГ-38 с длиной 25 области с разной величиной экспозиции на волны экспонирующего излучения А =0,63 каждой из которых находят участок с оптимкм), узел очувствления фототермопласти- мальной температурой проявления путем ческой пленки (скоротрон). узел ее экспони- перемещения образца rio его ширине. Велирования в поле интерференционной чину МЭ для каждого поля определяют как

Картины,образуемой делением когерентно- 30 !-! /!, где to — величина светового потока.

ro светового потока по фронту волны зерка- прошедшего через соответствующее поле

- лом Ллойда длиной L=320 мм и узел сенситограммы в нулевой порядок дифрак:измерени4 — (гониофотометр), включаю- ции. щий источник излучения (лазер ЛГ-38Я Величину ДЭ для каждого поля опреде=0,63 мкм), сканирующую диафрагму, фор- 35 ляют при перемещениифотоприемника под мирующую считывающий световой поток углом 3,5 к направлению считывающего лудиаметром 1 мм, кассету, имеющую воз- ча и выражают как !!/!, где !! — величина можность перемещения по длине и ширине. светового потока, прошедшего через соотносителя записи, и фотоприемник, установ- ветствующее поле сенситограммы в первый ленный с возможностью перемещейия по 40 порядок дифракции; — величина светового окружности относительно точки пересече-. потока, прошедшего в нулевой порядок ния считывающего светового потока с пло- дифракции на участке без записи, скостью носителя. Общую длительность измерений МЭ и

Образец материала очувствляют до по- ДЭ на всех полях принимают за одну отнотенциала 300В путем перемещения кассеты 45 сительную единицу. относительно скоротрона, а затем переме- . Пример 2. Формирование интерфещают его в положение для экспонирования ренционной картины, экспонирование обза зеркалом Ллойда. При этом зеркало об- разца носителя марки ФТПГ и его разует с плоскостью носителя прямой дву- проявление проводят по примеру 1, затем гранный угол, имеющий воэможность 50 образецустанавливают в исходное положевращения вокруг его вершины в пределах ние для экспонирования при той же ориен0 — 90 . Формируют интерференционную тации зеркала Ллойда относительно картйну, устанавливая угол поворота зерка- направления экспонирующего светового ла к направлению распространения свето- потока р =1,7 . За плоскостью экспонирового потока р =. 1.7, и проводят 55 вания размещают линзу с фокусныМ расстоэкспонирование образца при модулируе- янием F=50 мм в фокусе которой мых значениях величины экспозиции в ин- располагают входное окно фотоприемника тервале 0„1 — 10 Дж/м (для модуляции диаметром d=-1.5 мм (фиг,1). Растровую г величины экспозиции используют ступенча- структуру, полученную на носителе сканирутый нейтрально-серый клин с 220 0 п оол я мМи и: ют световым. потоком (il-=-0,63 мкм) диафконстантой К =0,15) последовательно пере-. рагмированным в его части, падающей на

1748139 плоскость экспонирования носителя посредством размещения перед ней непрозрачной шторки с отверстием диаметром 1 мм (шторку устанавливают с возможностью сканирования в соответствующей части светового потока, фиг.2). При сканировании измеряют величины светового потока на участке носителя без записи, а затем последовател ьно на каждом участке с различной величиной экспозиции, Величину МЭ для каждого участка определяют из выражения (1).

Затем растровую структуру сканируют световым потоком (Ъ0,63 мкм) диафрагмированным в его части, падающей на зеркало (фиг.3). При сканировании измеряют величину светового потока на участке без записи и на каждом участке с различной величиной экспозиции. Величину ДЭ для каждого участка определяют из выражения (2).

Пример 3. Запись растровой структуры и измерение дифрактометрических характеристик проводят на аналогичном фототврмопластическом носителе записи с толщиной деформируемого слоя 3 мкм. Все операции способа проводят по примеру 2, но при экспонировании и измерении характеристик ориентируют зеркало Ллойда к направлению распространения светового потока р =2,8".

Пример 4. Запись растровой структуры и измерение дифрактометрических характеристик проводят на аналогичном фототермопластическом носителе записи с толщиной деформируемого слоя 1 мкм. Все операции способа проводят по примеру 2, но при экспонировании и измерении характеристик ориентируют зеркало Ллойда к направлению распространения светового потока р=9,0 .

Пример 5. Запись растровой структуры и измерение дифрактометрических характеристик проводят на аналогичном фототермопластическом носителе записи с толщиной деформируемого слоя 3 мкм. При этом очувствление и экспонирование материала проводят по примеру 3, но тепловое проявление записи проводят по месту экс,понирования с одновременным сканированием и измерением величин МЭ и ДЭ, причем нагрев носителя осуществляют до достижения максимальных значений этих параметров в используемом интервале экспозиций. При экспонировании и измерении характеристик ооиентиоуют зеркало к направлению распространения светового потока р =2,8".

Пример 6 (no прототипу). Запись растровой структуры и измерение дифрактометрических характеристик проводят на аналогичном фототермопластическом носителе записи с толщиной деформируемого слоя 5 мкм согласно примеру 1, но в качестве источника экспонирования применяют. лазер Л Г-31 с А =g.44 мкм. При экспонировании зеркало Ллойда ориентируют к направлению распространения светового потока под,углом р =1.2О. Тепловое проявление и

10 измерение дифрактометрических характеристик проводят по примеру 1 с применением в узле измерения в качестве источника излучения ЛГ-31 с А= 0,44 мкм.

Величину ДЭ для каждого поля определяют при перемещении фотоприемника к

15 направлению считывающего луча под углом ,3,5, Пример 7. Запись растровой структуры и измерение дифрактометрических ха20 рактеристик проводят на фототермопластическом носителе записи с толщиной деформируемого слоя 5 мкм. Все. операции способа осуществляют по примеру 5, но в качестве источника излучения при25 меняют лазер ЛГ-31 с А =0,44 мкм, а при экспонировании и измерении характеристик ориентируют зеркало Ллойда к направлению распространения светового потока под углом (р =1,2О.

30 Условийосуществленияспособапопримерам 1-7 сведены в таблицу, Сравнение примеров 1 и 2-4 показывает, что выполнение измерений величин МЭ и ДЭ в соответствии с предложенным спо35 собом позволяет сократить длительность измерений в 1,5 раза, что обусловлено применением для измерений экспонирующего устройства и исключением из способа ряда операций..связанных с установкой об40 разца носителя в кассеты измерительного устройства и ориентацией фотоприемника измерительного узла в первый или нулевой порядки дифракции. Кроме того, в отличие . от прототипа предложенный способ позво45 ляет совмещать измерение дифрактометрических характеристик с процессом теплового проявления, что позволяет сократить длительность измерений в 3 раза (см. примеры 1 и 5,6 и 7).

50 Формула изобретения

Способ определения дифрактометрических характеристик фототермопластических носителей записи, включающий формирование в плоскости экспонирования носителя

55 интерференционной картины путем деления.когерентного светового потока на две части зеркалом Ллойда, образующим с плоскостью носителя прямой угол. ориентацию которого к потоку выбирают в соответствии

10,1748139 ния процесса, измерение осуществляют за плоскостью экспонирования носителя в дифракционном порядке с угловой координатой. соответствующей направлению экс5 понирующего светового потока, причем сканирование производят дифрагмированной областью потока на его частях, падающих на зеркало или на плоскость экспонирования носителя.

ТОЧНОСТЬ измерения величин световых потоков, Измеряемый параметр

Длительность процесса измерения, отн.ед.

Пример

Ориентация зеркала к напрвлению светового потока, r a .

Длина волны излучения, мкм

Толщина деформи руемого слоя носителя, мкм

- 0,63

1,7

0,63

1,7

0,63

2,8

9,0

0,63

0,63

2,8

1,2

0,44 .

6(прототип) 0.44

1,2 с углом схождения его частей, экспонирование очувствленного носителя при модулируемых значениях экспозиции, тепловое проявление полученной растровой структуры и измерение относительных величин дифрагированных световых потоков при сканировании такой структуры считывающим лучом, отл ич а ю щи йс я тем, что, с целью сокращения длительности и упрощеМЭ

ДЭ

МЭ

ДЭ

ДЭ

МЭ

ДЭ

МЭ

ДЭ

МЭ

ДЭ

МЭ

1

0,7

0,7

0.7

0,7

0,7

0,7

0,3

0,3

1

0,3

0,3

5

5

5

5

5

5

1748139 иг, Составитель А.Аксенчиков

Техред М.Моргентал

Корректор С,Черни

Редактор Н,Швыдкая

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101.

Заказ 2505 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва. Ж-35, Раушская наб., 4/5