Способ получения пленок теллура

 

Использование: в электронной технике. Сущность изобретения: подложку из селенида цинка отжигают в вакууме при 400- 500°С в течение не менее 1 ч. Затем на нее проводят осаждение пленок теллура. Обеспечивается увеличение сцепления пленки с подложкой и повышение стойкости пленки. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)з С 30 В 23/02, 29/02

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (с

С ! д ! ) (21) 4772024/26 (22) 22,12.89 (46) 07.10.92. Бюл, М 37 (71) Л ьвовский научно-исследовательский институт материалов (72) П.С.Кособуцкий, П.В.Водолазский, 3.А.Хапко и М.И.Глыва (56) 1. Джеман Н. Саул. Научные основы вакуумной техники, М., Мир, t964.

2. Fitzgerald А.G. The structure агd

composition of Те/CdS thim film diodes. //

f/Thin Solid Films. 1987, 149, М 3, р.325-330.

Изобретение относится к способам осаждения пленок теллура на полупроводниковые подложки и может быть использовано при изготовлении иэделий электронной техники.

Известен способ осаждения пленок теллура путем испарения мишени. Сущность его заключается в том, что молекулы испаряющего вещества осаждают на предварительно обработанную химико-динамическим способом подложку.

Недостатком известного способа является наличие неудовлетворительного качества границы раздела пленка — подложка.

Это продемонстрировано на фиг.1, где показано электронно-микроскопическое изображение среза: пленка Te — подложка

ZnSe 2. На химически обработанную поверхность была напылена пленки теллура.

Режимы напыления следующие: температура осаждения = 180 С; температура испарителя =370 С. Испарение теллура осуществлялось из танталовой лодочки путем резистивного нагрева, Остаточное„давление в вакуумной камере = 8 10 мм рт.ст. Из фиг.1 видно, что на границе раздела существует переходная область 3 (1—,, ЯЫ„„1767049 Al (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК ТЕЛЛУРА (57) Использование: в электронной технике.

Сущность изобретения; подложку из селенида цинка отжигают в вакууме при 400—

500 С в течение не менее 1 ч. Затем на нее проводят осаждение пленок теллура. Обеспечивается увеличение сцепления пленки с подложкой и повышение стойкости пленки, 2 ил. пленка; 2 — подложка), наличие которой неудовлетворительно сказывается на механических свойствах пленок теллура, т.е. имеет место их отслаивание от подложек при термоударе, Цель изобретения — увеличение сцепления пленки с подложкой и повышение стойкости пленок к термоудару.

Способ осуществляют следующим образом, Поверхность подложки подвергают химико-динамической полировке, затем отмывают в деионизированной воде, сушат в потоке сухого азота, производят термоотжиг в вакууме при температуре, при которой происходит эффективное испарение анионной составляющей кристаллической матрицы, затем напыляют пленку теллура.

Пример. Наносили пленки теллура на

ZnSe. Перед напылением подложки ZnSe отжигали в вакууме (P <5 106 мм рт.ст.) в течение = 1 ч при температуре Т =400500 С. Пленки Те толщиной =1 мм напыляли при соблюдении выше изложенных технологических режимов, Результаты представлены на фиг.2.

Видно, что при проведении технологиче1767049 ских приемов перед напылением пленок

Те, темная полоса на границе раздела исчезает; это существенно повышает ее механические свойства, что подтвердили. результаты испытаний на термоудар по схеме 300 К -80 К -300 К, По сравнению с прототипом, техникоэкономический эффект о т предлагаемого изобретения заключается в проведении предварительного стига подложек ZnSe при темйературе, способствующей обеднению поверхности атомами Se и усилению диффузии Те через границу раздела, в результате- чего увеличивается коэффициент сцепления полупроводниковой пленки с поверхностью полупроводниковой подложки, что ведет к увеличению надежности злектронных приборов. Это связано с тем, что после данной обработки отсутствует переходный слой на границе раздела слой — подложка.

Формула изобретения

Способ получения пленок теллура путем испарения исходного теллура и осаждения паров на предварительно очищенную

10 и нагретую подложку, выбранную из соединений групп II — И, отличающийся тем, что, с целью увеличения сцепления пленки с подложкой и повышения стойкости пленки к термоудару, в качестве под15 ложки берут селенид цинка и перед напылением ее отжигают в вакууме при

400 — 500 С не менее 1 ч,