Диэлектрическая паста для межслойной изоляции и маркировочных слоев толстопленочных схем

 

Изобретение относится к микроэлектронике и может найти применение, в частности , в приборостроении, Цель изобретения - повышение качества толстоппеночных схем путем снижения удельной емкости пересечений и Повышения температуры вжигания слоев. Диэлектрическая паста, содержащая стеклоцементы двух систем, 4%-ный раствор этил целлюлозы в термонеоле, пластификатор и касторовое масло, позволяет снизить удельную емкость пересечений до 63 пФ/см , повысить температуру вжигания до87р°С. 1-табл.

,I ф

СОКОВ СОВГТСKMX

ОО1!ИАПИС ТИ IECKMX

fò-.СПУЬЛИК (51)5 Н 01 B 3/08

f ОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБР

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4730949/07 (22) 11,08.89 (46) 30.01.93. Бюл. f+ 4 (71) Научно-исследовательский технологический институт приборостроения (72) В.П.Брагин, И.В.Серченко, Ю.П.Дьяконенко, Л.Н.Косова и В.В.Зубарева (56) Авторское свидетельство СССР

N 1492991, кл. Н 01 В 3/08, 1987. (54) ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПАСТА ДЛЯ

МЕЖСЛОЙНОЙ ИЗОЛЯЦИИ И МАРКИРОВОЧНЫХ СЛОЕВ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ

СХЕМ

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к материалам диэлектрических паст, и может найти применение в радиоэлектронике, электротехнике, технике, связи, вычислительной технике и приборостроении, Целью изобрзтения является повышение качества толстопленочных схем путем снижения величины удельной емкости межслойных пересечений, увеличения температуры вжигания слоев и повышения точности монтажа навесных элементов за счет создания цветового контраста пасты.

Для изготовления паст проводилось измельчение стеклоцементов путем мокрого помола в планетарной шаровой мельнице до удельной floBf;pxHocTvl - 6800 см /г, По2

I лученные порошки смешивались в нужных соотношениях путем механического совместного просеивания через капроновое сито с размером ячеек 120 мкм.

Полученные сухие композиции смешивались с органическим связующим методом механv:.еского перемешивания в фарфоро„„ЯЦ „„1791853 А1 (57) Изобретение относится к микроэлектронике и может найти применение, в частности, в приборостроении, Цель изобретения— повышение качества толстопленочных схем путем снижения удельной емкости пересечений и повышения температуры вжигания слоев. Диэлектрическая паста. содержащая стеклоцементы двух систем, 4%-ный раствор этилцеллюлозы в термонеоле, пластификатор и касторовое масло, позволяет снизить ууельную емкость пересечений до

63 пФ/см, повысить температуру вжигания до 8700С. 1.табл, вой ступке. Нанесение пасты осуществлялось методом трафаретной печати на полуавтомате "Тропа-1" при следующем технологическом режиме; размер ячеек сетки

40 мкм, зазор между трафаретом и подложкой 1,5 мм, материал подложки — керамика

ВК 94-1.

Вжигание проводили в электрической конвейерной печи ПЭК-8 при температуре

850ч 20 С на воздухе. Длительность термаобработки при пиковой температуре 10+ 2 мин, длительность всего цикла 90+5 мин.

Контроль электрофизических характеристик изоляции осуществляли на тестплатах с 2-уровневой проводниковой разводкой, выполненной из проводниковых паст П-0703 и П вЂ” 0704 по ТУ 6-09-4780-84.

Межслойная изоляция изготавливалась путем четырехкратного нанесения и вжигания диэлектрических паст, Составы паст и основные свойства межслой ной изоляции представлены в таблице.

Данные таблицы свидетельствуют о том, что оптимальный состав имеют пасты 6 — 8. обес1791355

Продолжение таблицы и ви

Нал рект мно т/циклов ныхт !

1 ла>к

Отел

КПо

Синий Дeô KTt I о гс.утствуют печивающие возможность формирования маркировочных и изоляционных слоев при высоких (850-870 С) температурах с низкой удельной емкостью (63 — 74 пФ/cM ). г

Использование диэлектрической пасты 5 предлагаемого состава позволит повысить качество толстопленочных схем путем улучщения качества межслойной изоляции, повышения надежности монтажа навесных элементов и получения плотных беспори- 10 стых проводников, Формула изобретения

Диэлектрическая паста для межслойной изоляции и маркировочных слоев толстопленочных схем, содержащая стекло- 15 цемент и раствор этилцеллюлоэы в терпинеоле, отличающаяся тем; что, с целью повышения качества толстопленочных схем путем снижения удельной емкости пересечений и повышения температуры вжигания 20 слоев. она содержит стеклоцементы систем

РОг-А!гОз-ВгОз-Ва0-ZnO-Cd0 и PbO-Si02А1гОз-ВгОз-СиО-Со0, 4%-ный раствор зтилцеллюлоэы в терпинеоле и дополнительно пластификатор и касторовое масло при следующем соотношении компонентов, мас. :

Стеклоцемент системы 30-35

SION . 35,0-0,3

А!гОз 5,0 — 0,1

ВгОз 5,0-0,2

ВаО 27,0 — 0,3

ZnO 25,0-0,3

CdO 3,0 — 0,1

Стеклоцемент системы 30 — 35

РЬО 60,0 — 0,3

SION 20,0 — 0,3

Ab03 5,Π— 0,1

ВгОз 10,0 — 0,2

СиО 1,0 — 0,1

СоО 4,0 — 0,1

4%-ный раствор этилцеллюлозы в терпинеоле 29 — 32

Пластификатор 1-2

Касторовое масло 2-5

1791853

Продолжение таблицы

Основные изические па амет ы

Номер партии

1g д

Изменение величины tg д после

С уд. и cDIñì

R из.

Ом

Внешний вид пленки

Толщина пленки, мкм

Цвет

Наличие дефектов после 5 т/циклов многократных термообработок увлажнения

20

Единичные дефекты

180

130

Блед65 но-голубой

1010

180

15

40

Единичные е екты

250

10—

1010

20

Единичные е екты

Не оп е елялись из-за пл

Синий охого качест ва печа ти

1011

70

20

Синий

Дефекты отсутствуют

62

16

74

63

200

10

220

20

Дефекты в виде пузырей

1010

50

210

20

Составитель В. Зубарева

Техред М.Моргентал Корректор Д, Филь

Редактор

Заказ 154 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101

Синий

Синий

Зеленый

Бледно-розовый

Белый

Наличие дефектов после многократных т/о и увлажнения

1011

1010—

1011

1010

14

Отсутствует

Диэлектрическая паста для межслойной изоляции и маркировочных слоев толстопленочных схем Диэлектрическая паста для межслойной изоляции и маркировочных слоев толстопленочных схем Диэлектрическая паста для межслойной изоляции и маркировочных слоев толстопленочных схем 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электротехники, в частности к способам изготовления стекла для диэлектриков

Изобретение относится к электротехнике , в частности к электроизоляционной технике

Изобретение относится к электротехнике и может найти применение в частности для изготовления толстопленочных схем

Изобретение относится к электротехнике и может найти применение, в частности, для изготовления толстопленочных микросхем

Изобретение относится к электротехнике и может найти применение для изготовления толстопленочных микросхем
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении газоразрядных индикаторных панелей (ГИП)

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано в производстве индикаторов, в том числе газоразрядных индикаторных панелей (ГИП), выполненных методом толстопленочной технологии

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении газоразрядных индикаторных панелей постоянного и переменного тока
Шликер // 2196366
Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству газоразрядных индикаторных панелей (ГИП), где шликер используется при их герметизации

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано в производстве газоразрядных индикаторных панелей (ГИП)
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использована в производстве газоразрядных индикаторных панелей, а именно в получении антибликового покрытия
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано в производстве газоразрядных индикаторных панелей (ГИП)
Наверх